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[发明专利]发光二极管(LED)传质设备及其制造方法-CN201880055587.2在审
发明人： 弗兰乔斯·J·亨利 -专利权人：特索罗科技有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：实施方式涉及用于制造包含发光二极管(LED)结构的产品的传质方法。通过多个LED器件的光束辅助释放(BAR)以高速灵活的方式将LED阵列从源衬底转移到目标衬底。BAR传质方法还能够利用源衬底的已知良好管芯(KGD)数据文件来仅转移功能良好的管芯，并避免返工和产量损失。
发光二极管 led 传质设备及其制造方法

[发明专利]发光二极管(LED)测试设备和制造方法-CN201880048204.9在审
发明人： 弗兰乔斯·J·亨利 -专利权人：特索罗科技有限公司
申请日： 2018-06-18 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：实施方式涉及可用于制造包含发光二极管(LED)结构的产品的功能测试方法。具体地，通过使用场板，经由位移电流耦合装置注入电流来功能地测试LED阵列，该场板包括非常靠近LED阵列放置的电极和绝缘体。然后将受控电压波形施加到场板电极以并行激励LED装置以获得高吞吐量。相机记录由电激发产生的各个光发射，以产生多个LED装置的功能测试。改变电压条件可以不同的电流密度水平激励LED，以在功能上测量外部量子效率和其他重要的装置功能参数。光谱滤波用于改善测量对比度和LED缺陷检测。外部光照射用于激发LED阵列并改善电荷注入光发射的开始和吞吐量。
发光二极管 led 测试设备制造方法

[发明专利]发光二极管(LED)测试设备和制造方法-CN201880019926.1在审
发明人： 弗兰乔斯·J·亨利 -专利权人：特索罗科技有限公司
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：实施例涉及用于制造包含发光二极管(LED)结构的产品的功能性测试方法。具体地，通过使用场板，经由位移电流耦合装置注入电流来功能性地测试LED阵列，该场板包括靠近LED阵列放置的电极和绝缘体。然后将受控电压波形施加到场板电极以并联激发LED装置得到高通量。相机记录由电激发产生的各个光发射，以产生多个LED装置的功能性测试。改变电压条件可以在不同的电流密度水平激发LED，以在功能上测量外部量子效率和其他重要的装置功能参数。
功能性测试场板绝缘体外部量子效率发光二极管电压条件受控电压位移电流相机记录注入电流装置功能耦合装置板电极电激发高通量光发射电极并联激发测量施加测试制造

[发明专利]发光二极管(LED)测试设备和制造方法-CN201780084326.9在审
发明人： 弗兰乔斯·J·亨利 -专利权人：特索罗科技有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：实施例涉及用于制造包含发光二极管(LED)结构的产品的功能测试方法。具体地，通过使用场板，经由位移电流耦合装置注入电流来功能地测试LED阵列，该场板包括靠近LED阵列放置的电极和绝缘体。然后将受控电压波形施加到场板电极以并联激励LED装置得到高通量。相机记录由电激发产生的各个光发射，以产生多个LED装置的功能测试。改变电压条件可在不同的电流密度水平激励LED，以在功能上测量外部量子效率和其他重要的装置功能参数。
发光二极管功能测试场板绝缘体外部量子效率并联激励测试设备电压条件方法实施受控电压位移电流相机记录注入电流装置功能耦合装置板电极电激发高通量光发射电极制造测量施加测试

[发明专利]通过层转移制造微发光二极管(LED)-CN201780080595.8在审
发明人： 弗兰乔斯·J·亨利 -专利权人： QMAT股份有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：实施方式涉及利用层转移的材料制作微发光二极管(LED)结构。具体而言，利用诸如氢化物气相外延(HVPE)的技术，在供体基材上生长高质量的氮化镓(GaN)。示例性供体基材能够包括GaN、AlN、SiC、蓝宝石和/或单晶硅，例如，(111)。以这种方式生长的GaN的较大相对厚度(例如，～10μm)显著降低材料中存在的穿透位错密度(TDD)(例如，至约(2～3)×10⁶cm^‑2)。这使得所述解理生长的GaN材料非常适合于转移并结合到在低电流/热量产生条件下在高亮度下工作的微‑LED结构中。
微发光二极管供体基材生长氢化物气相外延单晶硅蓝宝石穿透位错热量产生层转移氮化镓低电流通过层解理制造

[发明专利]使用气相或液相外延用于GaN增厚的种子晶片-CN201780061091.1在审
发明人： 弗兰乔斯·J·亨利 -专利权人： QMAT股份有限公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：实施方式涉及制造包括用作形成附加GaN材料的模板的薄的高质量单晶GaN层的晶片。对GaN材料的块状锭进行植入以形成次表面裂开区域。将植入的块状材料粘合到具有晶格和/或与GaN相容的热膨胀系数(CTE)特性的基底。这种基底材料的实例可包括但不限于AlN和莫来石。通过受控裂开工艺将GaN种子层从植入的块状材料转移到基底表面。所得到的基底和GaN种子层的组合可以形成用于后续生长上覆的高质量GaN的模板。利用诸如液相外延(LPE)或气相外延的技术，例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)或氢化物气相外延(HVPE)可以进行高质量GaN的生长。
块状材料液相外延植入的种子层裂开基底晶片金属有机化学气相沉积氢化物气相外延高质量单晶热膨胀系数基底表面基底材料气相外延生长次表面莫来石相容的粘合晶格受控增厚植入制造

[发明专利]接合和释放层转移工艺-CN201680035760.3在审
发明人： 弗兰乔斯·J·亨利;西恩·康;钟明宇;李明航 -专利权人： QMAT股份有限公司
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：实施方式将电子器件(例如，用于光电子器件的GaN)中所利用的薄层材料从施主转移到柄部衬底。某些实施方式使用接合‑释放系统，其中释放沿着通过将粒子注入施主中形成的切割平面而发生。一些实施方式可依赖于在谨慎控制的热条件下(例如，基于焊料的材料和/或含铟材料的热分解)通过将组分从固体转化为液体来释放。一些实施方式利用使用外延生长或注入区域作为光学吸收区域的激光诱导膜释放工艺。单一的接合‑释放序列可涉及加工GaN材料外露的N面。可连续使用多个接合‑释放序列(涉及加工外露的GaN材料的Ga面)，例如利用临时柄部衬底作为中间体。特定实施方式形成适合于制造高亮度发光二极管(HB‑LED)器件的高质量GaN的模板坯。
接合释放转移工艺

[发明专利]用于形成光电器件的技术-CN201480016417.5在审
发明人： 弗兰乔斯·J·亨利;西恩·康;艾伯特·拉姆 -专利权人： QMAT股份有限公司
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：实施方式涉及使用粒子加速器束流以从块状衬底形成材料的薄膜。在具体实施方式中，具有顶表面的块状衬底(例如，施体衬底)暴露于加速粒子的射束。在某些实施方式中，该块状衬底可包括GaN；在其他实施方式中，该块状衬底可包括Si、SiC、或者其他材料。然后，通过沿着通过从射束注入的粒子形成的裂化区域执行受控裂化处理使材料的薄膜或者晶片与块状衬底分开。在某些实施方式中，该分开的材料直接结合到光电器件中，例如从GaN块状材料裂化的GaN膜。在一些实施方式中，该分开的材料可以采用作为用于对光电器件有用的半导体材料(例如，GaN)的进一步生长的模板。
用于形成光电器件技术

[发明专利]用于形成光电子装置的技术-CN201380023625.3在审
发明人： 弗兰乔斯·J·亨利;西恩·康;艾伯特·拉姆 -专利权人：硅源公司
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：描述了涉及使用粒子加速器光束来从大块基板形成材料的薄膜的实施方式。在具体实施方式中，具有顶表面的大块基板被暴露到加速粒子的光束中。在某些实施方式中，该大块基板可包括GaN；在其他实施方式中，该大块基板可包括(111)单晶硅。然后，通过沿着由从光束灌输的颗粒形成的劈裂区域进行受控劈裂过程将薄膜或薄片材料与所述大块基板分离。在某些实施方式中，该分离的材料被直接结合在光电子装置内，例如，与从GaN大块材料劈裂的GaN薄膜。在一些实施方式中，该分离的材料可被用作模板，用于对光电子装置有用的的半导体材料(例如，GaN)的进一步生长。
用于形成光电子装置技术

[发明专利]利用受控剪切区域的膜的层转移-CN200910138229.0有效
发明人： 弗兰乔斯·J·亨利 -专利权人：硅源公司
申请日： 2009-05-07 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：通过提供半导体衬底可形成材料膜，该半导体衬底具有表面区域以及位于表面区域下方预定深度处的裂开区域。在将膜从衬底裂开的过程中，小心地控制裂开区域中的剪切。根据特定实施方式，面内剪切分量(KII)被保持接近零，并夹在拉伸区域与压缩区域之间。在一个实施方式中，利用定位在衬底表面上方的板可以完成裂开。该板用来在裂开期间限制膜的移动，并且与局部热处理一起来降低在裂开工艺过程中产生出的剪切。根据另一实施方式，KII分量有目的地保持在高水平上并用来通过裂开序列来引导和驱动断裂扩展。在一个实施方式中，通过利用暴露于E束辐射的硅绝热加热来实现高的KII分量，这在硅中的精确限定的深度处赋予了非常陡峭的热梯度以及所得的应力。
利用受控剪切区域转移

[发明专利]利用直线加速器的厚层转移的方法和结构-CN200780041135.0有效
发明人： 弗兰乔斯·J·亨利;艾伯特·拉姆;巴巴克·阿迪比 -专利权人：硅源公司
申请日： 2007-11-06 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L21/425 文献下载
摘要：一种用一个或多个半导体衬底，如单晶硅、多晶硅、锗化硅、锗、III/IV族材料等制造自支撑材料厚度的方法。在特定实施方式中，本方法包括提供具有表面区和厚度的半导体衬底。该方法包括使半导体衬底的表面区经受用直线加速器生成的第一多个高能粒子，从而在剥离区内形成多个吸除点的区域，剥离区被提供在表面区下面从而限定待分离材料的厚度，半导体衬底被保持在第一温度。在特定实施方式中，该方法包括使半导体衬底的表面区经受用直线加速器生成的第二多个高能粒子，该第二多个高能粒子用来将剥离区的应力水平从第一应力水平提高到第二应力水平。在优选实施方式中，半导体衬底被保持在比第一温度高的第二温度。该方法采用剥离工艺，如受控的剥离工艺，来释放可分离的材料厚度。
利用直线加速器转移方法结构

[发明专利]采用射频四极线性加速器引入用于半导体材料的粒子的设备和方法-CN200780041601.5无效
发明人： 弗兰乔斯·J·亨利;艾伯特·拉姆;巴巴克·阿迪比 -专利权人：硅源公司
申请日： 2007-11-08 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H05H7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于形成能够自支撑的一个或多个可分离半导体膜的系统。该设备包括用来产生多个处于第一能级的准直带电粒子的离子源。该系统包括具有编号为1至N的多个彼此顺次耦合的模块化射频四极(RFQ)元件的线性加速器，其中N是大于1的整数。该线性加速器控制和加速所述多个第一能级的准直带电粒子成为具有处于第二能级的带电粒子束。编号为1的RFQ元件可操作地连接(或耦合)于离子源。该系统包括耦接(或连接)于RFQ线性加速器中编号为N的RFQ元件的输出孔。在一种特定实施方式中，该系统包括耦合(或连接)于输出孔的射束扩展器，射束扩展器被设计为将第二能级带电粒子束处理成扩展的带电粒子束。该系统包括连接于射束扩展器的处理室和设置于该处理室中的待注入工件。
采用射频线性加速器引入用于半导体材料粒子设备方法

[发明专利]利用层转移工艺制造太阳能电池的方法和结构-CN200780011167.6无效
发明人： 弗兰乔斯·J·亨利 -专利权人：硅源公司
申请日： 2007-04-04 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于层转移工艺的可重复使用的硅衬底装置。该装置具有可重复使用的衬底，其具有表面区域、解理区域、以及总厚度的材料。总厚度的材料比待去除的第一厚度的材料大至少N倍。在一种特定的实施方式中，待去除的第一厚度的材料位于表面区域和解理区域之间，因而N是大于约10的整数。该装置还具有卡盘元件，适于将操作衬底元件保持在原位。该卡盘元件被设置为支持操作衬底，以便于将操作衬底结合至待去除的第一厚度的材料。在优选的实施方式中，该装置具有可操作地结合至卡盘元件的机械压紧装置。该机械压紧装置适于提供力，以使操作衬底结合至待去除的第一厚度的材料。
利用转移工艺制造太阳能电池方法结构

[发明专利]连续大面积扫描注入工艺的方法与系统-CN200780026734.5有效
发明人： 弗兰乔斯·J·亨利 -专利权人：硅源公司
申请日： 2007-07-25 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L21/425 文献下载
摘要：公开了一种使用连续的大面积扫描注入工艺制造掺杂基底的方法。在一个实施例中，本方法包括在具有进口和出口的腔中提供一种可移动的轨道构件。本方法也可以包括提供包括第一多个瓦片的第一基底。本方法包括将包括第一多个瓦片的第一基底从入口转移到可移动的轨道构件上。对第一多个瓦片实施扫描注入工艺。本方法也包括在真空中保持包括第二多个瓦片的第二基底。本方法包括将包括第二多个瓦片的第二基底从入口转移到可移动的轨道构件上。本方法包括使用扫描注入工艺对第二多个瓦片实施注入工艺。
连续大面积扫描注入工艺方法系统

[发明专利]使用厚层转移工艺制造太阳能电池的方法和结构-CN200780022933.9有效
发明人： 弗兰乔斯·J·亨利 -专利权人：硅源公司
申请日： 2007-09-10 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：本发明披露了一种诸如太阳能电池、太阳板的光伏电池器件及其制造方法。该器件具有光学透明衬底，该衬底包括第一表面和第二表面。包括具有第一表面区和第二表面区的第一厚度的材料(例如，半导体材料、单晶材料)。在一个优选实施例中，该表面区与所述光学透明衬底的第一表面叠置。该器件具有设置在该厚度的材料的第一表面区和光学透明材料的第一表面之间的光学耦合材料。
使用转移工艺制造太阳能电池方法结构

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