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[发明专利]设备检测装置及其工作方法、半导体设备-CN201910114619.8有效
发明人：韦伟;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G01N21/958 文献下载
摘要：一种设备检测装置及其工作方法、半导体设备，设备检测装置包括：保护板；设置于保护板侧壁的多个分立发射单元，所述发射单元用于向保护板内发射第一信号；设置于保护板侧壁的多个分立接收单元，所述接收单元用于接收第二信号，所述第二信号为第一信号穿透保护板衰减后的信号，且各接收单元与各发射单元一一对应；数据处理单元，用于通过第二信号获取保护板的裂纹信息。半导体设备包括：腔体；位于腔体内的基座，用于承载待测物体；腔体盖，用于加热腔体；位于腔体盖内的加热装置，用于提供热能；上述任意一种设备检测装置，所述设备检测装置位于加热装置和基座之间，用于保护加热装置。所述设备检测装置的性能得到提高。
设备检测装置及其工作方法半导体设备

[发明专利]离子束的控制方法-CN201811083155.0有效
发明人：汪红红;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明涉及离子植入技术领域，公开了一种离子束的控制方法，在离子束的控制方法中，电流测量装置测量通过的离子束的电流，并将测得的电流转换成电流信号发送给控制器，控制器将电流信号与预设的电流参数进行比对，当二者不同时，控制器控制光束阻挡器转动，改变离子束的离子束通过量。根据本发明，无需重新设置机台参数，通过控制光束阻挡器的转动，控制离子束通过量，可以灵活适应不同道工序的变化，提高产能并降低成本。
离子束控制方法

[发明专利]热处理设备及其热处理方法-CN201810084076.5有效
发明人：邱宇航;周颖;倪明明;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种热处理设备及其热处理方法，所述热处理设备包括热处理腔体、热处理灯、用于放置晶圆的晶圆基座，还包括：遮光板，设置于所述热处理腔体内；遮光板控制部件，与所述遮光板耦接，所述遮光板控制部件带动所述遮光板移动至预设隔离位置，以阻隔所述热处理灯对所述晶圆的热辐射，或者带动所述遮光板移动至离开所述预设隔离位置，以使所述晶圆接受所述热处理灯的热辐射，所述预设隔离位置位于所述热处理灯和晶圆基座之间。本发明方案可以更精确地对晶圆接受所述热处理灯的热辐射的辐射量进行控制，从而提高半导体器件的品质。
热处理设备及其方法

[发明专利]离子植入机-CN201811056894.0有效
发明人：田成俊;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及半导体设备制造技术领域，公开了一种离子植入机，其中离子植入机包括：离子源结构，离子源结构所采用的离子源为电感耦合等离子体源；分析磁体，与离子源结构连接，能够接收离子源结构提供的植入离子束，并分离得到植入离子束；价态转换装置，与分析磁体连接，能够接收从分析磁体出射的植入离子束，并对植入离子束中离子的价态进行转化。本发明提供的离子植入机的离子源结构通过电感耦合等离子技术形成需要植入的等离子体。由于在离子源结构的整个工作过程中不需要金属器件参与，因此从源头减少了金属离子的产生。并且通过价态转换装置能够对植入离子束中的离子的价态进行转化，从而提高离子植入机的适用性。
离子植入

[发明专利]法拉第杯组件及其离子束注入角度的测量方法、装置-CN201910727088.X在审
发明人：田成俊;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种法拉第杯组件，所述法拉第杯组件包括堆叠放置的前置板以及法拉第部件，所述前置板与所述法拉第部件相互平行设置且具有预设间距，所述前置板与所述法拉第部件在保持间距不变的状态下可相对平移；其中，所述前置板具有多个孔洞，每个孔洞穿通所述前置板；所述法拉第部件内具有多个法拉第杯，每个法拉第杯具有开口，多个法拉第杯的开口的朝向相同，且所述开口与所述孔洞一一对应。本发明方案可以准确地确定离子束的实际注入角度。
法拉第杯前置板法拉第孔洞开口离子束堆叠放置平行设置相对平移组件包括预设测量

[发明专利]沟槽隔离结构及图像传感器的形成方法-CN201910676495.2在审
发明人：韦伟;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种沟槽隔离结构及图像传感器的形成方法，其中沟槽隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成沟槽；对所述沟槽进行表面处理，去除所述沟槽侧壁表面和底部表面的缺陷；在所述表面处理之后，采用沉积工艺在所述沟槽的底部表面与侧壁表面形成界面层，所述沉积工艺的温度低于预设温度；在所述界面层表面形成填充层，所述填充层填满所述沟槽。本发明的技术方案通过先对所述沟槽进行表面处理，能去除所述沟槽的表面的缺陷，减小暗电流；再在低温的制程下形成所述界面层，有效的减小了晶圆发生翘曲变形以及金属污染的可能性，从而提高最终成品的性能与良率。
沟槽隔离结构图像传感器底部表面界面层填充层衬底减小沉积去除半导体界面层表面侧壁表面沟槽侧壁金属污染翘曲变形最终成品暗电流晶圆良率填满预设制程

[发明专利]退火方法和半导体器件的制造方法-CN201910652395.6在审
发明人：冯晨萁;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本公开涉及一种退火方法和半导体器件的制造方法。其中，退火方法包括：在形成有图案化结构的衬底上沉积石墨烯层，其中所述石墨烯层至少部分覆盖所述图案化结构；以及对所述衬底退火。
退火半导体器件图案化结构石墨烯层衬底沉积制造覆盖

[发明专利]一种图像传感器及其制作方法-CN201910519278.2在审
发明人：蒋亚伟;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，具体地涉及一种图像传感器及其制作方法。所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有感光元件和浮置扩散区，所述半导体衬底表面形成有传输栅结构，用于控制光电荷从所述感光元件到所述浮置扩散区的传输；氧化层，位于所述半导体衬底表面；导电膜，位于所述氧化层表面，所述导电膜的位置部分对应于所述感光元件。当图像传感器工作时，在所述导电膜上外接负电压，将空穴吸引在与所述导电膜位置对应的半导体衬底表面处形成空穴积累层，使之无法影响光电子的运行，减小暗电流，从而达到提高图像传感器量子效率的作用。
图像传感器导电膜半导体衬底表面感光元件浮置扩散区衬底半导体半导体制造领域空穴氧化层表面空穴积累量子效率暗电流传输栅负电压光电荷氧化层光电子减小外接制作传输申请吸引

[发明专利]背照式图像传感器、像素单元及其制备方法-CN201910446015.3在审
发明人：薛小帅;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种背照式图像传感器、像素单元及其制备方法，包括：位于第一半导体基底中的蓝光、绿光及红光吸收结构；位于红外光基底中的红外光吸收结构；位于第二半导体基底中的第一存储区、第二存储区、第三存储区及第四存储区；第一连接插塞、第二连接插塞、第三连接插塞及第四连接插塞；通过金属互联层电连接的逻辑电路结构。通过设计红外光吸收结构，可选择性捕获可见光辐射(蓝光、绿光及红光)及红外光辐射，可大幅提升图像传感器在多种场景下的成像需求，提高图像传感器的成像质量，同时将四种光的捕获结构集成于同一像素单元，有效降低像素单元的体积，提高图像传感器的集成度。
连接插塞图像传感器像素单元背照式图像传感器半导体基底红外光吸收红光蓝光绿光制备成像红外光逻辑电路结构第二存储区第一存储区红外光辐射金属互联层可见光辐射选择性捕获结构集成同一像素吸收结构集成度电连接基底捕获场景

[发明专利]提升半导体器件散热性能的方法和半导体器件-CN201910598340.1在审
发明人：张杰;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：该发明涉及一种提升半导体器件散热性能的方法和半导体器件，其中所述提升半导体器件散热性能的方法包括以下步骤：将衬底的上表面形成一导热层；在所述导热层的上表面形成器件层；在所述器件层内形成与所述导热层连接的导热带。以上提升半导体器件散热性能的方法及半导体器件在半导体器件的水平方向和竖直方向各提供了一散热、导热的结构，即导热层以及导热带，且导热带与所述导热层相互连接，因此在单独使用所述导热层进行热量发散的同时，还能够使用导热带将器件层内的热导向所述导热层，提高了导热层的利用率。
半导体器件导热层散热性能导热带器件层上表面导热单独使用发散散热衬底竖直

[实用新型]遮挡装置及离子植入机-CN201821926309.3有效
发明人：冯晨萁;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于晶片的离子植入的遮挡装置及所述离子植入机中，所述遮挡装置包括：档板和机械手，所述挡板与所述机械手相连，所述挡板能够随着所述机械手移动。在晶片植入离子的位置前方增加本实用新型的遮挡装置，当晶片进行最后一次扫描且发生两次瞬间离子束的波动时，机械手带动挡板移动，将挡板的一侧边缘移动到晶片发生两次瞬间离子束的波动位置的中间位置，对晶片一侧进行补植入；然后将挡板的另一侧边缘移动到晶片发生两次瞬间离子束波动的中间位置，再对晶片另一侧进行补植入，避免了离子植入过量的现象。
晶片机械手挡板遮挡装置植入离子束离子本实用新型离子植入机一侧边缘移动波动位置挡板移动一次扫描植入的档板过量

[发明专利]半导体工艺方法-CN201910398689.0在审
发明人：韦伟;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺方法,包括如下步骤：对待处理材料层进行离子注入；于离子注入后的待处理材料层的表面形成离子扩散阻挡层；将表面形成有离子扩散阻挡层的待处理材料层进行退火处理。本发明的半导体工艺方法通过首先在离子注入后的待处理材料层的表面形成离子扩散阻挡层，再将离子注入后的待处理材料层进行退火处理，在退火处理过程中，离子扩散阻挡层可以阻挡离子的扩散，从而避免离子扩散至快速热退火机台的腔室内，不会在快速热退火机台的腔室内壁造成附着，可以确保温度探测装置准确探测快速热退火机台的腔室内的温度，降低产品的报废率；同时，还可以降低快速热退火机台的维护频率，从而节约人力物力。
离子扩散机台待处理材料快速热退火离子阻挡层半导体工艺表面形成退火处理室内温度探测装置处理材料腔室内壁人力物力报废率附着探测阻挡扩散节约维护

[发明专利]隔离结构及其形成方法-CN201910401732.4在审
发明人：田成俊;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请提供一种隔离结构及其形成方法，所述隔离结构的形成方法包括：在半导体衬底的第一表面上依次形成第一衬垫氧化层和第一硬掩膜层；刻蚀所述第一硬掩膜层和所述第一衬垫氧化层形成开口；通过所述开口进行第一离子注入，在所述半导体衬底中形成第一离子注入区；腐蚀所述第一离子注入区形成多孔硅层；氧化所述多孔硅层形成第一隔离部。所述方法优化了工艺流程，节约一道光罩，减少企业的生产成本。
隔离结构衬垫氧化层离子注入区多孔硅层硬掩膜层衬底半导体开口第一表面工艺流程隔离部光罩刻蚀生产成本离子腐蚀节约申请优化

[发明专利]炉管装置-CN201711460077.7有效
发明人：邸太平;洪纪伦;倪明明;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：一种炉管装置，包括底座和壳体，所述底座、壳体围成适于容纳晶圆的炉管腔，所述底座面向所述炉管腔的表面上设有多个适于放置晶圆的托盘。通过在底座上设置多个托盘，使晶圆能够被分散的放置在多个托盘上，从而能够降低炉管腔的高度。当炉管腔的高度降低时，也就说明位于高度方向上两端的晶圆之间的距离变得更小，使每一晶圆所处的工艺条件都十分接近，从而使每一晶圆均具有十分相近的处理效果，提升产品良率。
晶圆炉管底座托盘炉管装置产品良率高度降低工艺条件壳体围壳体容纳

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910389305.9在审
发明人：汪红红;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明技术方案公开了一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极氧化层结构，所述栅极氧化层结构的边缘区域厚度大于中间区域厚度；在所述栅极氧化层上形成栅极。本发明提高了MOS晶体管的可靠性。
栅极氧化层半导体器件衬底半导体边缘区域中间区域

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