“斯蒂芬·莫法特”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果49个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有挡板的气体注射器-CN201880066517.7有效
发明人：维希瓦·库马尔·帕迪;劳拉·哈夫雷查克;庄野贤一;卡尔蒂克·萨哈;克里斯托弗·S·奥尔森;赛拉朱·泰拉瓦尔尤拉;凯拉什·普拉丹;雷内·乔治;约翰内斯·F·斯温伯格;斯蒂芬·莫法特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文中提供了用于提供均匀流体流的气体注射器。所述气体注射器包括充气主体。所述充气主体包括：凹口；凸部，与所述凹口相邻且侧向延伸远离所述充气主体；及多个喷嘴，从所述充气主体的外表面侧向延伸。所述充气主体在所述充气主体的外壁中具有多个孔。各个喷嘴与所述充气主体的内部容积流体连通。通过引导流体流，所述气体注射器提供了均匀的沉积作用。
具有挡板气体注射器

[发明专利]用于检测和校正实时产品基板的增强处理和硬件架构-CN202180067579.1在审
发明人：卡提克•桑瑟南姆;卡尔蒂克·萨哈;沃尔夫冈·阿德霍尔德;马丁•希尔金;斯蒂芬·莫法特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G05B13/04 文献下载
摘要：本文所公开的实施方式包括一种用于半导体处理的处理工具。在实施方式中，处理工具包括腔室及与该腔室整合的多个见证传感器。在实施方式中，处理工具进一步包括漂移检测模块。在实施方式中，将来自多个见证传感器的数据提供至漂移检测模块以作为输入数据。在实施方式中，处理工具进一步包括仪表板，该仪表板用于显示来自漂移检测模块的输出数据。
用于检测校正实时产品增强处理硬件架构

[发明专利]通过使用混合学习模型提高性能的半导体处理工具-CN202180058793.0在审
发明人： 斯蒂芬·莫法特;谢尔顿·R·诺曼;德莫特·P·坎特威尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文公开的多个实施方式包括具有混合模型的半导体制造工具和使用此混合模型来处理晶片和/或开发工艺配方的方法。在一个实施方式中，一种用于开发半导体制造工艺配方的方法包含选择一个或多个装置成果，和查询混合模型，以获得适于获得装置成果的工艺配方推荐。在一个实施方式中，此混合工艺模型包含统计模型和物理模型。在一个实施方式中，此方法可进一步包含在一组晶片上执行实验设计(DoE)，以验证此混合工艺模型推荐的此工艺配方。
通过使用混合学习模型提高性能半导体处理工具

[发明专利]用于使用多个特殊传感器和算法的半导体处理配备的抗脆弱系统-CN202180055149.8在审
发明人：马丁·希尔金;卡尔蒂克·萨哈;斯蒂芬·莫法特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文公开的实施方式包括处理工具及使用处理工具的方法。在一个实施方式中，处理工具包含腔室、及用于使一种或多种处理气体从多个气源流入腔室中的盒。在一个实施方式中，处理工具进一步包含用于多个气源的每一者的质量流量控制器、及在气源与盒之间的质量流量计。在一个实施方式中，处理工具进一步包含在质量流量计与盒之间的第一压力计、流体耦接到腔室的第二压力计、及耦接到腔室的排气管线。
用于使用特殊传感器算法半导体处理配备脆弱系统

[发明专利]用于晶片放气的等离子体增强退火腔室-CN202210877835.X在审
发明人：劳拉·哈夫雷查克;马修·D·斯科特奈伊-卡斯尔;诺曼·L·塔姆;马修·斯伯勒;刚·龙·塞缪尔·陈;姚东明;斯蒂芬·莫法特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文所述的实施方式提供具有原位清洁能力的热基板处理装置。本文所述的装置可包括热处理腔室，所述热处理腔室限定处理容积并且基板支撑件可布置于处理容积内。一个或多个远程等离子体源可与处理容积流体连通，并且远程等离子体源可配置成将等离子体传送到处理容积。
用于晶片放气等离子体增强退火

[发明专利]使用外延形成的堆叠像素结构-CN202180014150.6在审
发明人：陈泰舟;约翰·博兰德;舒伯特·S·楚;斯蒂芬·莫法特;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一般来说，本文描述的实例涉及用于使用外延生长工艺来形成堆叠像素结构的方法和处理腔室和系统以及由此形成的器件结构。在实例中，第一传感器层在基板上的结晶表面上外延生长。第一隔离结构在第一传感器层上外延生长。第二传感器层在第一隔离结构上外延生长。第二隔离结构在第二传感器层上外延生长。第三传感器层在第二隔离结构上外延生长。
使用外延形成堆叠像素结构

[发明专利]用于晶片放气的等离子体增强退火腔室-CN201780024464.8有效
发明人：劳拉·哈夫雷查克;马修·D·斯科特奈伊-卡斯尔;诺曼·L·塔姆;马修·斯伯勒;刚·龙·塞缪尔·陈;姚东明;斯蒂芬·莫法特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文所述的实施方式提供具有原位清洁能力的热基板处理装置。本文所述的装置可包括热处理腔室，所述热处理腔室限定处理容积并且基板支撑件可布置于处理容积内。一个或多个远程等离子体源可与处理容积流体连通，并且远程等离子体源可配置成将等离子体传送到处理容积。
用于晶片放气等离子体增强退火

[发明专利]用于热处理腔室的高温测量过滤器-CN201810278612.5有效
发明人：约瑟夫·M·拉内什;布鲁斯·E·亚当斯;斯蒂芬·莫法特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-02-11 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文中所述的实施方式大体涉及在半导体基板的热处理期间的高温测量。更具体地，实施方式是关于用于热处理腔室的高温测量过滤器。在某些实施方式中，高温测量过滤器选择性地过滤选定的能量波长以改良高温计测量。高温测量过滤器可具有多种几何形状，这些几何形状可影响高温测量过滤器的功能。
用于热处理高温测量过滤器

[发明专利]脉冲序列退火方法和设备-CN201610912283.6有效
发明人： 斯蒂芬·莫法特;约瑟夫·迈克尔·拉内什 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2008-11-10 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明通常描述用来在衬底的期望区域上执行退火工艺的设备和方法。在一个实施例中，利用闪光灯或激光设备，将脉冲电磁能量供给到衬底上。该脉冲可以是从约1纳秒到约10毫秒长，并且每个脉冲具有比熔化衬底材料需要的能量小的能量。脉冲之间的能量间隔通常足够长，以允许由每个脉冲给予的能量完全消散。由此，每个脉冲实现一个微退火循环。脉冲可以被一次性供给到整个衬底上，或者一次性供给到衬底的一部分上。此外实施例提供了一种用来供电辐射组件的设备，和用来检测衬底上的脉冲的效果的设备。
脉冲序列退火方法设备

[发明专利]用于激光处理设备的多重光束组合器-CN201610717185.7有效
发明人： 斯蒂芬·莫法特;道格拉斯·E·霍姆格伦;塞缪尔·C·豪厄尔斯;埃德里克·唐;布鲁斯·E·亚当斯;季平·李;阿伦·缪尔·亨特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G02B27/10 文献下载
摘要：公开用于组合放大的辐射光束的设备和方法。光束组合器具有准直光学元件，该准直光学元件被定位成相对于准直光学元件的光轴以恒定的入射角接收多个相干辐射光束。各自的入射角度在某些实施方式中亦可为不同的。准直光学元件具有使光束准直的光学特性。该光学特性可为折射或反射，或折射与反射的结合。亦可提供聚集光学元件以将多个光束引导至准直光学元件。光束组合器可用于热处理设备中，以将诸如激光的两个以上的相干放大辐射光束组合至单一光束中。
用于激光处理设备多重光束组合

[发明专利]扫描脉冲退火装置及方法-CN201580035113.8有效
发明人：阿伦·缪尔·亨特;阿米科姆·萨德;塞缪尔·C·豪厄尔斯;道格拉斯·E·霍姆格伦;布鲁斯·E·亚当斯;西奥多·P·莫菲特;斯蒂芬·莫法特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种用于热处理基板的装置、系统及方法。脉冲电磁能量源能以至少100Hz的频率产生脉冲。可移动基板支撑件可相对于电磁能量脉冲移动基板。光学系统可设置在能量源和可移动基板支撑件之间，且可包含将电磁能量脉冲塑形成矩形分布的部件。控制器可命令所述电磁能量源以选定的脉冲频率产生能量脉冲。所述控制器也可命令所述可移动基板支撑件以选定的速度在平行于所述矩形分布的选定的边缘的方向上进行扫描，使得沿着平行于所述选定的边缘的直线上的每个点接收预定数量的电磁能量脉冲。
扫描脉冲退火装置方法

[发明专利]在激光处理系统中的周围层气流分布-CN201610621466.2有效
发明人： 斯蒂芬·莫法特;阿伦·缪尔·亨特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开一种用于使半导体基板退火的方法及设备。设备具有退火能量源及基板支撑件以及遮蔽构件，所述遮蔽构件设置于退火能量源与基板支撑件之间。遮蔽构件为实质平坦构件，所述实质平坦构件具有比在基板支撑件上处理的基板大的尺寸，窗覆盖所述实质平坦构件中的中心开口。中心开口具有气体入口门及气体出口门，所述气体入口门及气体出口门各自分别与气体入口气室及气体出口气室流体连通。连接构件设置于中心开口附近，且所述连接构件将窗固持于中心开口上方。连接构件中的连接开口分别经由气体入口导管及气体出口导管与气体入口气室及气体出口气室流体连通，所述气体入口导管及气体出口导管穿过连接构件形成。
激光处理系统中的周围气流分布

[发明专利]用于直接形成纳米尺度的特征结构的方法及设备-CN201480049452.7有效
发明人：詹姆斯·弗朗西斯·麦克;斯蒂芬·莫法特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种设备及使用该设备以在工件上形成纳米尺寸特征结构包括了多个可个别偏压的尖端，且各尖端具有10nm的尺度或更小的直径。通过在反应物存在的情况下在工件表面之上移动尖端，特征结构可以次微米尺寸且小于当前光刻术的分辨率而直接形成于工件上。特征结构可蚀刻进工件或形成于其上。
用于直接形成纳米尺度特征结构方法设备

[发明专利]用于使用耗尽光束形成亚微米特征结构的反应物的光子活化-CN201480042522.6有效
发明人：詹姆斯·弗朗西斯·麦克;斯蒂芬·莫法特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：精细特征结构的形成方法和装置在小于STED耗尽激光光束的直径或横截面的区域中提供光子诱发的沉积、蚀刻及基于热或光子的处理。至少两个STED耗尽光束被导引到基板上的反应位置，其中形成面积小于光束的激发部分的光束重叠区域。被引导到反应区域的反应物被两个光束的激发部分的组合能量激发，但未在所述光束的两个激发部分的重叠区域外部被激发。使反应物只在所述重叠区域中出现。所述重叠区域可以小于20nm宽，并且宽度小于1nm，以能够以小的面积形成基板特征结构或在基板中进行改变。
用于使用耗尽光束形成微米特征结构反应物光子活化

[发明专利]激光处理装备中用于减少斑纹的设备和方法-CN201611155297.4有效
发明人： 斯蒂芬·莫法特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-09-26 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： G02B27/48 文献下载
摘要：这里所描述的实施方式提供用于以均匀的激光能量处理半导体基板的设备和方法。激光脉冲或光束被导引至空间均化器，该空间均化器可为多个透镜，这些透镜沿着平面布置，该平面垂直于激光能量的光学路径，一个实例是微透镜阵列。该空间上均匀的能量由空间均化器产生，该空间上均匀的能量接着被导引至折射介质，该折射介质具有多个厚度。所述多个厚度的每一个厚度与其他厚度相差至少激光能量的相干长度。
激光处理装备用于减少斑纹设备方法

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 49 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top