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[发明专利]用于形成光电器件的技术-CN201480016417.5在审
发明人：弗兰乔斯·J·亨利;西恩·康;艾伯特·拉姆 -专利权人： QMAT股份有限公司
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：实施方式涉及使用粒子加速器束流以从块状衬底形成材料的薄膜。在具体实施方式中，具有顶表面的块状衬底(例如，施体衬底)暴露于加速粒子的射束。在某些实施方式中，该块状衬底可包括GaN；在其他实施方式中，该块状衬底可包括Si、SiC、或者其他材料。然后，通过沿着通过从射束注入的粒子形成的裂化区域执行受控裂化处理使材料的薄膜或者晶片与块状衬底分开。在某些实施方式中，该分开的材料直接结合到光电器件中，例如从GaN块状材料裂化的GaN膜。在一些实施方式中，该分开的材料可以采用作为用于对光电器件有用的半导体材料(例如，GaN)的进一步生长的模板。
用于形成光电器件技术

[发明专利]用于形成光电子装置的技术-CN201380023625.3在审
发明人：弗兰乔斯·J·亨利;西恩·康;艾伯特·拉姆 -专利权人：硅源公司
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：描述了涉及使用粒子加速器光束来从大块基板形成材料的薄膜的实施方式。在具体实施方式中，具有顶表面的大块基板被暴露到加速粒子的光束中。在某些实施方式中，该大块基板可包括GaN；在其他实施方式中，该大块基板可包括(111)单晶硅。然后，通过沿着由从光束灌输的颗粒形成的劈裂区域进行受控劈裂过程将薄膜或薄片材料与所述大块基板分离。在某些实施方式中，该分离的材料被直接结合在光电子装置内，例如，与从GaN大块材料劈裂的GaN薄膜。在一些实施方式中，该分离的材料可被用作模板，用于对光电子装置有用的的半导体材料(例如，GaN)的进一步生长。
用于形成光电子装置技术

[发明专利]利用直线加速器的厚层转移的方法和结构-CN200780041135.0有效
发明人：弗兰乔斯·J·亨利;艾伯特·拉姆;巴巴克·阿迪比 -专利权人：硅源公司
申请日： 2007-11-06 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L21/425 文献下载
摘要：一种用一个或多个半导体衬底，如单晶硅、多晶硅、锗化硅、锗、III/IV族材料等制造自支撑材料厚度的方法。在特定实施方式中，本方法包括提供具有表面区和厚度的半导体衬底。该方法包括使半导体衬底的表面区经受用直线加速器生成的第一多个高能粒子，从而在剥离区内形成多个吸除点的区域，剥离区被提供在表面区下面从而限定待分离材料的厚度，半导体衬底被保持在第一温度。在特定实施方式中，该方法包括使半导体衬底的表面区经受用直线加速器生成的第二多个高能粒子，该第二多个高能粒子用来将剥离区的应力水平从第一应力水平提高到第二应力水平。在优选实施方式中，半导体衬底被保持在比第一温度高的第二温度。该方法采用剥离工艺，如受控的剥离工艺，来释放可分离的材料厚度。
利用直线加速器转移方法结构

[发明专利]采用射频四极线性加速器引入用于半导体材料的粒子的设备和方法-CN200780041601.5无效
发明人：弗兰乔斯·J·亨利;艾伯特·拉姆;巴巴克·阿迪比 -专利权人：硅源公司
申请日： 2007-11-08 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H05H7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于形成能够自支撑的一个或多个可分离半导体膜的系统。该设备包括用来产生多个处于第一能级的准直带电粒子的离子源。该系统包括具有编号为1至N的多个彼此顺次耦合的模块化射频四极(RFQ)元件的线性加速器，其中N是大于1的整数。该线性加速器控制和加速所述多个第一能级的准直带电粒子成为具有处于第二能级的带电粒子束。编号为1的RFQ元件可操作地连接(或耦合)于离子源。该系统包括耦接(或连接)于RFQ线性加速器中编号为N的RFQ元件的输出孔。在一种特定实施方式中，该系统包括耦合(或连接)于输出孔的射束扩展器，射束扩展器被设计为将第二能级带电粒子束处理成扩展的带电粒子束。该系统包括连接于射束扩展器的处理室和设置于该处理室中的待注入工件。
采用射频线性加速器引入用于半导体材料粒子设备方法