[发明专利]电子部件、半导体封装件和电子器件无效
| 申请号： | 201210182881.4 | 申请日： | 2007-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102738106A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 曾川祯道;山崎隆雄;高桥信明 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社;瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/498;H01L23/31;H01L23/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在常规UBM例如Cu、Ni或NiP中，存在的这样问题：在长时间将电子部件保持在高温条件下时导致UBM的阻挡特性被破坏，并且由于在结合界面形成脆性的合金层，导致结合强度降低。焊料连接部分在高温下储存之后长期连接可靠性降低的问题得到了解决。电子部件上提供有：安置在基板或半导体元件上的电极片；和为覆盖所述电极片而安置的阻挡金属层。所述阻挡金属层在与所述电极片接触侧相反的一侧上包含CuNi合金层，所述CuNi合金层含有15至60原子％的Cu和40至85原子％的Ni。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 部件 半导体 封装 电子器件 | ||
【主权项】：
一种电子部件，所述电子部件包括：电极片，所述电极片形成在基板或半导体元件上；和阻挡金属层，所述阻挡金属层被形成用于覆盖所述电极片，其中所述阻挡金属层在与所述电极片相反的一侧上包含CuNi合金层，所述CuNi合金层含有15至60原子％的Cu和40至85原子％的Ni，其中在所述电极片和所述阻挡金属层之间还形成中间层，并且其中所述中间层含有Ni、NiP合金或NiB合金。
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