[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210175345.1 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102683385A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 王巍;王敬;郭磊 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的稀土氧化物层；和形成在所述稀土氧化物层上的沟道区以及形成在所述沟道区两侧的源区和漏区。通过在源漏区和沟道区下方形成稀土氧化物，以对CMOS器件的源漏区和沟道区引入类型和大小可调的应力，从而显著提升半导体器件的迁移率，并且，利用稀土氧化物的晶体特性，以晶体生长的方式形成应力源，极大地简化了工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的稀土氧化物层；和形成在所述稀土氧化物层上的沟道区以及形成在所述沟道区两侧的源区和漏区；其中，所述稀土氧化物层的材料的晶格常数a与所述沟道区和或所述源区和漏区的半导体材料的晶格常数b的关系为：a=(n±c)b，其中n为整数，c为晶格常数失配率，0
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