[发明专利]发光器件、发光器件封装件以及包括其的照明装置有效
申请号: | 201210171651.8 | 申请日: | 2012-05-29 |
公开(公告)号: | CN103035803B | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 文智炯;李尚烈;郑泳奎 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/44;H01L33/00;H01L33/22;H01L33/48;F21V29/83;F21K9/23 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 蔡胜有,董文国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种发光器件。所公开的发光器件包括包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构,设置在发光结构下并且电连接至第二导电型半导体层的第二电极层,第一电极层,包括设置在第二电极层下的主电极、以及从主电极分支出的并且延伸穿过第二电极层、第二导电型半导体层和有源层以接触第一导电型半导体层的至少一个接触电极;以及介于第一电极层和第二电极层之间、以及第一电极层和发光结构之间的绝缘层。第一导电型半导体层包括第一区域和高度小于第一区域的第二区域,并且第一区域与接触电极交叠。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 以及 包括 照明 装置 | ||
【主权项】:
一种发光器件,包括:包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构;设置在所述发光结构下并且电连接至所述第二导电型半导体层的第二电极层;第一电极层,包括:设置在所述第二电极层下的主电极,以及从所述主电极分支出的并且延伸穿过所述第二电极层、所述第二导电型半导体层和所述有源层以接触所述第一导电型半导体层的至少一个接触电极;以及介于所述第一电极层和所述第二电极层之间、以及所述第一电极层和所述发光结构之间的绝缘层,其中所述第一导电型半导体层包括沿垂直方向与所述接触电极交叠的第一区域、以及沿垂直方向与所述接触电极不交叠的第二区域,其中所述接触电极的上表面设置为低于所述第一导电型半导体层的在所述第一区域和所述第二区域中的上表面,以及所述接触电极的所述上表面和所述第一导电型半导体层的在所述第一区域中的所述上表面之间的距离大于所述有源层的上表面和所述第一导电型半导体层的在所述第二区域中的所述上表面之间的距离。
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