[发明专利]SOI横向超结功率MOSFET器件

摘要

本发明涉及功率半导体器件，具体是一种SOI横向超结功率MOSFET器件。本发明解决了现有SOI横向超结功率MOSFET器件耐压低、以及自热效应严重的问题。SOI横向超结功率MOSFET器件包括p型衬底、设于p型衬底上端面的绝缘埋层、以及由横向交替分布的超结n区和超结p区构成的超结结构；绝缘埋层的上端面设有n型埋层；n型埋层的上端面设有p型外延层；p型体区和超结结构均设于p型外延层的上端面。本发明适于作为功率集成电路（PIC，PowerIntegratedCircuit）中的关键器件，并应用于电机控制、平板显示驱动、电脑外设控制等领域。

主权项

一种SOI横向超结功率MOSFET器件，包括p型衬底（1）、设于p型衬底（1）上端面的绝缘埋层（2）、以及由横向交替分布的超结n区（9）和超结p区（10）构成的超结结构；超结结构的一侧端面设有p型体区（3）；p型体区（3）的上端面分别设有n型源区（4）、p型体接触区（5）、以及栅氧化层（7）；n型源区（4）的上端面和p型体接触区（5）的上端面共同设有源电极（6）；栅氧化层（7）的上端面设有多晶硅栅（8）；超结结构的另一侧端面设有n型漏区（12）；n型漏区（12）的上端面设有漏电极（11）；其特征在于：绝缘埋层（2）的上端面设有n型埋层（14）；n型埋层（14）的上端面设有p型外延层（13）；p型体区（3）和超结结构均设于p型外延层（13）的上端面。