[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201210121850.8 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN102760767A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·E·格雷布斯;J·S·普瑞斯 | 申请（专利权）人： | 快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 武晨燕;张颖玲 |
| 地址： | 215021 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件。除其他以外，本发明讨论了包括第一导电层和第二导电层的半导体器件，所述第一导电层包括栅道和漏接触区，并且所述第二导电层包括漏导体，所述漏导体的至少一部分覆盖所述栅道的至少一部分。半导体器件的第一表面可以包括耦合到栅道的栅焊垫以及耦合到漏接触区和漏导体的漏焊垫。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；第一器件表面，其覆盖所述衬底，所述第一器件表面包括至少三个焊垫，其中，所述至少三个焊垫包括：漏焊垫；栅焊垫；以及源焊垫；多个挖有沟槽的栅结构，其被耦合到所述栅焊垫，所述多个挖有沟槽的栅结构被配置为在电压被施加于所述栅焊垫时，控制所述源焊垫与所述漏焊垫之间的电流的流动；第一导电层，其包括：漏接触区，所述漏接触区被耦合到所述漏焊垫；栅道，所述栅道被耦合到所述栅焊垫；以及源接触区，其被耦合在所述源焊垫与所述多个挖有沟槽的栅结构之间；以及第二导电层，所述第二导电层的至少一部分使用电介质与所述第一导电层的至少一部分分离，其中，所述第二导电层包括漏导体，所述漏导体的至少一部分覆盖所述栅道的至少一部分，其中，所述漏导体被耦合到所述漏接触区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司，未经快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210121850.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种改性卵磷脂络合碘及其制备方法和用途
- 下一篇：倒车灯控制装置
- 同类专利
- 专利分类
