[发明专利]半导体器件及其制造方法以及配线板的制造方法在审
申请号: | 201210070010.3 | 申请日: | 2012-03-16 |
公开(公告)号: | CN102693951A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 佐佐木直人;尾崎裕司 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L21/60;H05K3/28 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 曲莹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本公开涉及半导体器件及其制造方法以及配线板的制造方法。所述半导体器件包括焊接凸点,所述焊接凸点包括形成在基板的电极衬垫部分上的屏障金属层,以及形成在所述屏障金属层的上表面的中心部分以具有比所述屏障金属层的外径小的外径的焊接层。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 以及 线板 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括焊接凸点,所述焊接凸点包括:形成在基板的电极衬垫部分上的屏障金属层,和形成在所述屏障金属层的上表面的中心部分以具有比所述屏障金属层的外径小的外径的焊接层。
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