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[发明专利]摄像装置-CN202280015853.5在审
发明人：桝田佳明;畑野启介;关大一;户田淳;纳土晋一郎;大池祐辅;大冈丰;佐佐木直人;坂元俊起;森川隆史 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：[问题]提供一种能够抑制光斑影响的摄像装置。[解决方案]本公开的摄像装置包括：像素区域，在所述像素区域中布置有执行光电转换的多个像素；片上透镜，所述片上透镜设置在所述像素区域上；保护构件，所述保护构件设置在所述片上透镜上；和树脂层，所述树脂层粘附在所述片上透镜和所述保护构件之间，其中，当所述树脂层和所述保护构件的厚度为T，从光的入射方向观察时所述像素区域的对角线的长度为L，并且所述保护构件的临界角为θc时，满足T≥L/2/tanθc(式2)或T≥L/4/tanθc(式3)。
摄像装置

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202180081593.7在审
发明人：重歳卓志;佐佐木直人;齐藤谦一 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，半导体装置上形成涂布了绝缘膜的贯通孔，其中，半导体装置提高了产量。半导体装置配备有贯通孔、绝缘膜和配线层。关于具有贯通孔、绝缘膜和配线层的半导体装置，贯通孔在与半导体基板的预定面垂直的方向上贯通半导体基板。此外，绝缘膜覆盖贯通孔。此外，配线层包括在绝缘膜的外周和绝缘膜的内周之间的区域中布置在其表面上的伪栅极。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体芯片和电子装置-CN201680069319.7有效
发明人： 佐佐木直人;大冈丰 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本技术涉及半导体芯片和电子装置，其可抑制包括图像拾取设备的半导体芯片的光学特性的劣化。半导体芯片包括：图像拾取设备；保护图像拾取设备的透明保护构件；布置在图像拾取设备的受光面和保护构件之间的IR截止膜；将IR截止膜和保护构件粘合在一起的粘合层；以及覆盖IR截止膜和粘合层的侧表面的保护膜。本技术可应用于例如图像拾取设备的半导体芯片。
半导体芯片电子装置

[发明专利]高效的熔融铁合金的精炼方法-CN201980094720.X有效
发明人： 佐佐木直人;松尾充高;内藤宪一郎;新野崇一;森田浩二;藤健彦;若生昌光;大贯一雄;平田浩;S·I·谢梅金;V·F·波利亚科夫 -专利权人：日本制铁株式会社;乌克兰国家科学院Z·I·涅克拉索夫钢铁研究所
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C21C5/36 文献下载
摘要：该熔融铁合金的精炼方法，是在向转炉内的熔融铁合金浴送氧的状态下精炼熔融铁合金的方法，在配置于所述熔融铁合金浴上方的第一电极与配置成与所述熔融铁合金浴接触的第二电极之间供给直流电流，在将流通所述直流电流的通电时间中的直流电流的平均大小设为IP[A]，将停止所述送氧之前的1分钟内的通电时间中的所述直流电流的平均大小设为IP'[A]，将所述转炉内的钢液量设为Ws[t]，并将炉腹部的炉内截面积设为As[m2]时，满足下述(1)式～(4)式中的至少一个。IP≥0.125×Ws(1)式、IP≥1.5×As(2)式、IP'≥0.125×Ws(3)式、IP'≥1.5×As(4)式。
高效熔融铁合金精炼方法

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN202180007394.1在审
发明人： 佐佐木直人;斋藤谦一;林优佑;山田敦彦;重歳卓志;大井琢矢 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-02-15 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在本发明中，减小了配置在半导体基板的背面侧的配线的寄生电容。本发明的半导体装置具备：半导体基板；背面侧配线；贯通配线；和分离区域。在所述半导体基板的前面侧配置有：半导体元件；和连接到所述半导体元件的前面侧配线。所述背面侧配线配置在所述半导体基板的背面侧。所述贯通配线配置在形成于所述半导体基板中的通孔中，并且将所述前面侧配线和所述背面侧配线连接。所述分离区域配置在所述半导体基板和所述背面侧配线之间。
半导体装置制造方法

[发明专利]电子部件安装基板、电子部件安装体、及其制造方法以及电子装置-CN202080082812.9在审
发明人：青山幸司;佐佐木直人 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H05K3/34 文献下载
摘要：在本发明中，一种电子部件安装体包括基板、设置在基板上的连接部分、具有连接部分连接的端子的电子部件，以及将电子部件固定到连接部分的焊料。连接部分具有其中端子由焊料固定的第一区域，以及润湿性低于第一区域的第二区域，并且第二区域具有延伸至连接部分的外围边缘的延伸区域，以及从延伸区域向第一区域突出并且被设置为与外围边缘间隔开的间隔区域。
电子部件安装及其制造方法以及装置

[发明专利]半导体器件-CN202110953737.5在审
发明人：驹井尚纪;佐佐木直人;小川尚纪;井上孝史;岩元勇人;大冈豊;长田昌也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。该半导体器件可包括：第一半导体基板和第二半导体基板，在所述第一半导体基板中形成有像素区域，在所述像素区域内二维布置有进行光电转换的像素部，在所述第二半导体基板中形成有用于处理从所述像素部输出的像素信号的逻辑电路，所述第一半导体基板与所述第二半导体基板被层叠，其中，在所述第一半导体基板的所述像素区域内的片上透镜上布置有用于保护所述片上透镜的保护基板，在所述保护基板与所述片上透镜之间设置有密封树脂。
半导体器件

[发明专利]转炉设备-CN201980094782.0在审
发明人： 佐佐木直人;松尾充高;内藤宪一郎;立石清和;平田浩;S·I·谢梅金;V·F·波利亚科夫 -专利权人：日本制铁株式会社;乌克兰国家科学院Z·I·涅克拉索夫钢铁研究所
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C21C5/46 文献下载
摘要：该转炉设备具备第一电极、第二电极、电源装置和控制装置，所述第一电极被配置为顶端浸渍到在转炉内的熔融铁合金浴的上方生成的炉渣内，所述第二电极被配置为与所述熔融铁合金浴或所述炉渣接触，所述电源装置经由所述炉渣向所述第一电极和所述第二电极供给直流电流，所述控制装置进行控制以使得所述直流电流不超过预设的最大输出电流。
转炉设备

[发明专利]半导体器件及其制造方法和电子装置-CN201480052465.X有效
发明人：驹井尚纪;佐佐木直人;小川尚纪;井上孝史;岩元勇人;大冈豊;长田昌也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体器件，其包括：第一半导体基板(12)和第二半导体基板(11)，在所述第一半导体基板中形成有像素区域(21)，所述像素区域内二维布置有进行光电转换的像素部(51)，在所述第二半导体基板中形成有逻辑电路，所述逻辑电路处理从所述像素部输出的像素信号，所述第一半导体基板与所述第二半导体基板被层叠。在所述第一半导体基板的所述像素区域内的片上透镜(16)上布置有保护所述片上透镜的保护基板(18)，所述片上透镜与所述保护基板之间插入有密封树脂(17)。
半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]半导体装置-CN201980073327.2在审
发明人： 佐佐木直人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：根据本公开的半导体装置(1)包括基板(10)和通孔(14)。在所述基板(10)中埋设有配线层(13)。所述通孔(14)从所述基板(10)的主表面沿深度方向延伸，以贯通所述配线层(13)，并且在侧周面上连接到所述配线层(13)。
半导体装置

[发明专利]半导体元件、半导体元件的制造方法及电子装置-CN201480066578.5有效
发明人： 佐佐木直人 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明涉及：能够抑制泄漏和裂纹产生的半导体元件；用于制造半导体元件的方法；以及电子装置。在本发明中，在金属布线的下方使用具有位于金属的CTE与Si的CTE之间的CTE值的绝缘膜，且在TSV侧壁部分，存在着使用具有良好覆盖率的P‑SiO(1μm)作为通孔内部绝缘膜的叠层结构。关于CTE位于金属的CTE与Si的CTE之间的绝缘膜，在通孔内部绝缘膜和与所述通孔内部绝缘膜连续的场域顶部绝缘膜中分别使用例如0.1μm和2μm厚度的SiOC。本发明能够应用于例如成像装置中使用的固态成像元件。
半导体元件制造方法电子装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法以及配线板的制造方法-CN201210070010.3在审
发明人： 佐佐木直人;尾崎裕司 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法以及配线板的制造方法。所述半导体器件包括焊接凸点，所述焊接凸点包括形成在基板的电极衬垫部分上的屏障金属层，以及形成在所述屏障金属层的上表面的中心部分以具有比所述屏障金属层的外径小的外径的焊接层。
半导体器件及其制造方法以及线板

[发明专利]固体摄像器件及固体摄像器件制造方法-CN201010233877.7有效
发明人：吉原郁夫;长田昌也;佐佐木直人;梅林拓;高桥洋;大塚洋一;北村勇也;金口时久;井上启司;林利彦;松谷弘康;青沼雅义;吉冈浩 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-07-22 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了固体摄像器件及固体摄像器件制造方法。该固体摄像器件包括：第一基板，它包括用于对入射光进行光电转换的感光部和设置在光入射侧上的布线部；透光性第二基板，它以指定间隔设置在所述第一基板的布线部侧上；贯通孔，它设置在所述第一基板中；贯通连接部，它设置在所述贯通孔中；正面侧电极，它与所述贯通连接部连接并设置在所述第一基板的正面上；背面侧电极，它与所述贯通连接部连接并设置在所述第一基板的背面上；以及停止电极，它设置在所述正面侧电极上，并填充所述正面侧电极与所述第二基板之间的空间。本发明能够容易地形成滤色器层和微透镜，且能够通过能量束加工工艺在固体摄像器件的基板中形成将要设有贯通连接部的贯通孔。
固体摄像器件制造方法

[发明专利]成像设备-CN200710139113.X有效
发明人：山田和广;佐佐木直人;中山宽之 -专利权人：宾得株式会社
申请日： 2007-07-25 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G03B11/04 文献下载
摘要：一种成像装置，具有在从镜头到成像设备的光路中的光学构件，该光学构件包括从所述镜头一侧依次如下排列的防水或防水/油膜、第一抗反射膜、红外截止玻璃、低通滤光片和红外截止膜。
成像设备

[发明专利]具有微带线结构的衬底及其制作方法和具有微带线结构的半导体器件-CN200410068269.X无效
发明人： 佐佐木直人 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2004-08-27 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01P3/08 文献下载
摘要：提供了一种具有微带线结构的衬底，包括：在构成衬底的基体的至少一个主要表面内提供的沟槽，该沟槽具有非弯曲曲面的内表面几何结构和对应于微带线的图形；沿沟槽的内表面几何结构形成的具有接地导电层和绝缘层的叠层膜；以及在叠层膜上形成的构成该微带线的信号线层；其中该信号线层具有被分开用于每个沟槽的结构。
具有微带结构衬底及其制作方法半导体器件

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