[发明专利]隔离元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210034008.0 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN103258851A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义;邱建维 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种隔离元件及其制造方法，隔离元件与高压元件共同形成于基板中。隔离元件包含：隔离井区，利用形成高压元件的微影制程与离子植入制程形成于基板中；栅极，形成于基板表面上；源极、漏极，分别位于栅极两侧的隔离井区中，且漏极与该源极由栅极隔开；漂移漏极区，形成于基板表面下方，且栅极与漏极由漂移漏极区隔开，部分漂移漏极区位于栅极下方，漏极位于漂移漏极区中；以及缓和区，形成于漂移漏极区下方的基板中，该缓和区的最浅部分位于漂移漏极区深度90％之下，且缓和区与漂移漏极区共享微影制程。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种隔离元件，其特征在于，包含：一基板，其为第一导电型、或其包含一第一导电型井区，该基板具有一上表面；一第二导电型隔离井区，形成于该上表面下方该基板中；一栅极，形成于该上表面上，且由上视图视之，该栅极位于该第二导电型隔离井区中；第一导电型源极、与第一导电型漏极，分别位于该栅极两侧上表面下方的该第二导电型隔离井区中，且该漏极与该源极由该栅极隔开；一第一导电型漂移漏极区，形成于该上表面下方的该第二导电型隔离井区中，且该栅极与该漏极由该漂移漏极区隔开，部分该漂移漏极区位于该栅极下方，该漏极位于该漂移漏极区中；以及一缓和区，其最浅部分位于该漂移漏极区自该上表面起算的深度90％以下，该缓和区与该漂移漏极区共享一第一微影制程，且该缓和区由第二导电型离子植入所形成。
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