[发明专利]隔离元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210034008.0 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN103258851A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义;邱建维 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔离 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种隔离元件，其特征在于，包含：
一基板，其为第一导电型、或其包含一第一导电型井区，该基板具有一上表面；
一第二导电型隔离井区，形成于该上表面下方该基板中；
一栅极，形成于该上表面上，且由上视图视之，该栅极位于该第二导电型隔离井区中；
第一导电型源极、与第一导电型漏极，分别位于该栅极两侧上表面下方的该第二导电型隔离井区中，且该漏极与该源极由该栅极隔开；
一第一导电型漂移漏极区，形成于该上表面下方的该第二导电型隔离井区中，且该栅极与该漏极由该漂移漏极区隔开，部分该漂移漏极区位于该栅极下方，该漏极位于该漂移漏极区中；以及
一缓和区，其最浅部分位于该漂移漏极区自该上表面起算的深度90％以下，该缓和区与该漂移漏极区共享一第一微影制程，且该缓和区由第二导电型离子植入所形成。
2.如权利要求1所述的隔离元件，其中，在该基板上更形成有一高压元件，且该第二导电型隔离井区与该高压元件共享一第二微影制程与一第二离子植入制程。
3.如权利要求2所述的隔离元件，其中，还包含第二导电型深井区，形成于该基板中该隔离井区下方。
4.如权利要求2所述的隔离元件，其中，该缓和区与该漂移漏极区间具有一重迭区，为该缓和区与该漂移漏极区重迭的部分，该重迭区的导电型为具有杂质浓度较其它漂移漏极区为低的第一导电型。
5.一种隔离元件制造方法，其特征在于，包含：
在一基板的一第一导电型区域中形成一第二导电型隔离井区，该一基板为第一导电型、或其包含一第一导电型井区以作为该第一导电型区域，该基板具有一上表面；
形成一栅极于该上表面上，且由上视图视之，该栅极位于该第二导电型隔离井区中；
形成第一导电型源极、与第一导电型漏极，分别位于该栅极两侧上表面下方的该第二导电型隔离井区中，且该漏极与该源极由该栅极隔开；
形成一第一导电型漂移漏极区于该上表面下方的该第二导电型隔离井区中，且该栅极与该漏极由该漂移漏极区隔开，部分该漂移漏极区位于该栅极下方，该漏极位于该漂移漏极区中；以及
形成一缓和区，其最浅部分位于该漂移漏极区自该上表面起算的深度90％以下，该缓和区与该漂移漏极区共享一第一微影制程，且该缓和区由第二导电型离子植入所形成。
6.如权利要求5所述的隔离元件制造方法，其中，在该基板上更形成有一高压元件，且该第二导电型隔离井区与该高压元件共享一第二微影制程与一第二离子植入制程。
7.如权利要求6所述的隔离元件制造方法，其中，还包含形成第二导电型深井区于该基板中该隔离井区下方。
8.如权利要求6所述的隔离元件制造方法，其中，该缓和区与该漂移漏极区间具有一重迭区，为该缓和区与该漂移漏极区重迭的部分，该重迭区的导电型为具有杂质浓度较其它漂移漏极区为低的第一导电型。
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