[发明专利]一种半导体器件的制作方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成第一、第二、第三和第四牺牲层；在第一、第二、第三和第四牺牲层中形成暴露半导体衬底的开口；在第四牺牲层上和开口内依次形成第五和第六牺牲层，其中第一、第三和第五牺牲层为氧化物层和氮化物层中的一种，第二、第四和第六牺牲层为氧化物层和氮化物层中的另一种；对第六和第五牺牲层进行刻蚀，以在开口的侧壁上形成间隙壁；执行第一掺杂工艺；去除间隙壁；执行第二掺杂工艺，以在半导体衬底中形成浓度较高的沟道和位于沟道两侧的低浓度掺杂区，第一和第二掺杂工艺掺杂相同导电类型的掺杂剂。该方法不但工艺简单，易于实现，而且能够与CMOS工艺技术很好地兼容。

主权项

一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：a)提供半导体衬底；b)在所述半导体衬底上依次形成第一牺牲层、第二牺牲层、第三牺牲层和第四牺牲层；c)在所述第一牺牲层、所述第二牺牲层、所述第三牺牲层和所述第四牺牲层中形成暴露所述半导体衬底的开口；d)在所述第四牺牲层上和所述开口内依次形成第五牺牲层和第六牺牲层，其中所述第一、第三和第五牺牲层为氧化物层和氮化物层中的一种，所述第二、第四和第六牺牲层为氧化物层和氮化物层中的另一种；e)对所述第六牺牲层和所述第五牺牲层进行刻蚀，以在所述开口的侧壁上形成间隙壁；f)执行第一掺杂工艺，且所使用的第一掺杂剂具有与待形成的电诱导结型MOSFET相反的导电类型；g)去除所述间隙壁；以及h)执行第二掺杂工艺，且所使用的第二掺杂剂与所述第一掺杂剂具有相同的导电类型，以在所述半导体衬底中形成浓度较高的沟道和位于所述沟道两侧的低浓度掺杂区。