[发明专利]超高压LDMOS器件结构及制备方法有效
| 申请号： | 201110441110.8 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103178087A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 宁开明;董科;马栋;朱东园 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超高压LDMOS器件结构，包括源端、漏端、高压漂移区和栅极沟道，源端有衬底阱，高压漂移区表面有反型层，该LDMOS中还设计有两个物理上相连的深阱，分别用于放置衬底阱和反型层，两深阱的间隙位于LOCOS鸟嘴附近。本发明还公开了上述结构的LDMOS的制备方法，包括设计深阱的光刻掩膜版、光刻、离子注入、去胶和热推阱等工艺步骤。本发明通过将源端的深阱与高压漂移区的深阱分离，并在离子注入后通过推阱使其连在一起，并使其间隙位于LOCOS鸟嘴下方，从而改善了LOCOS附近的电场分布，降低了其峰值电场，达到了N型和P型电荷平衡，在不增加工艺步骤和成本的基础上，实现了提高器件反向击穿电压的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 超高压 ldmos 器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
超高压LDMOS器件结构，包括源端、漏端、高压漂移区和栅极沟道，其中，源端有衬底阱，该衬底阱的杂质类型与衬底相同；高压漂移区表面有用于耐压的反型层，该反型层的杂质类型与高压漂移区相反；其特征在于，该LDMOS中有两个物理上相连的深阱，分别用于放置所述衬底阱和所述反型层，两深阱的间隙位于栅极下方的局部氧化硅的鸟嘴附近。
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