[发明专利]半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201110440271.5 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103177936A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件制造方法，涉及半导体工艺技术领域。该方法包括：在衬底上形成硬掩模层；在所述硬掩模层上形成嵌段共聚物，其中构成所述嵌段共聚物的组分彼此之间不混溶；使所述嵌段共聚物进行定向自组装，形成分别由所述嵌段共聚物的不同组分形成的第一组分域和第二组分域；选择性地去除所述第一组分域而保留所述第二组分域，以形成图案；利用所述图案对所述硬掩模层进行蚀刻而形成硬掩模图案；以及利用所述硬掩模图案对所述衬底进行蚀刻而形成衬底图案。根据本发明，可防止制造小尺寸衬底图案的过程中的衬底垮塌，从而能够提高衬底图案质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成硬掩模层；在所述硬掩模层上形成嵌段共聚物，其中构成所述嵌段共聚物的组分彼此之间不混溶；使所述嵌段共聚物进行定向自组装，形成分别由所述嵌段共聚物的不同组分形成的第一组分域和第二组分域；选择性地去除所述第一组分域而保留所述第二组分域，以形成图案；利用所述图案对所述硬掩模层进行蚀刻而形成硬掩模图案；以及利用所述硬掩模图案对所述衬底进行蚀刻而形成衬底图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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