[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管，包括多个P型柱，各P型柱将漂移区分隔成多个单元，且各P型柱和各P型柱之间的第一N型层组成P型薄层和N型薄层交替排列的结构，使组成IGBT器件的NMOS为一种超级结的库尔MOS结构，超级结的NMOS结构能使器件的漂移区更易耗尽，从而能提高漂移区的耐压能力并提高器件整体的耐压能力；漂移区的耐压能力的提高，能使漂移区的掺杂浓度提高，以及能使漂移区的厚度变薄，从而能降低器件导通电阻，增加器件的电流密度，减小器件通态时的电阻和焦耳热，提高器件的关断响应速度。本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管的制作方法。

主权项

一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括：集电区，由形成于硅衬底底部的P型层组成，从所述硅衬底的背面引出集电极；场截止层，由形成于所述硅衬底底部的N型注入层组成，所述N型注入层位于所述集电区上部并和所述集电区相接触；漂移区，由形成于所述硅衬底中的第一N型层组成，所述第一N型层位于所述N型注入层上，所述N型注入层的掺杂浓度大于所述第一N型层的掺杂浓度；多个P型柱，由填充于第一沟槽中的P型外延层组成，所述P型柱的底部进入所述第一N型层中、并且所述P型柱的底部和所述集电区相隔有一段距离；每两个相邻的所述P型柱之间组成绝缘栅双极晶体管的一个单元结构，所述单元结构包括：P阱，所述P阱形成于所述漂移区上，所述P阱的深度小于所述P型柱的深度；发射区，由形成于所述P阱上部的第二N型层组成，所述P阱将所述发射区和所述漂移区隔开；栅极，覆盖部分所述P阱，被所述栅极覆盖的所述P阱为沟道区，所述沟道区连接所述P阱两侧的所述漂移区和所述发射区。