[发明专利]一种具有绝缘层隔离结构肖特基半导体装置及其制备方法无效
| 申请号： | 201110376203.7 | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103137711A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 朱江;盛况 | 申请（专利权）人： | 朱江;盛况 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有绝缘层隔离结构肖特基半导体装置，通过沟槽结构，可以实现较深的条状P型半导体硅材料3，通过绝缘层隔离可以实现较理想化的垂直条状的半导体材料，当器件接反向偏压时，条状的P型半导体硅材料3和条状的N型半导体硅材料2形成电荷互补，形成超结结构，改变漂移区的电场强度分布，形成平坦的电场强度分布曲线；本发明还提供一种具有绝缘层隔离结构肖特基半导体装置的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 绝缘 隔离 结构 肖特基 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有绝缘层隔离结构肖特基半导体装置，其特征在于：包括：多个沟槽位于第一半导体材料表面；沟槽内壁的侧壁的表面设置有绝缘介质；沟槽内壁的底部为第一半导体材料；沟槽之间第一半导体材料上部为肖特基势垒结；沟槽内填充有第二单晶半导体材料；沟槽侧壁的上部为肖特基势垒结；半导体装置表面和背部区域覆盖有金属层。
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