[发明专利]具有高K栅极介电层的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201110350730.0 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102956695A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 李昆育;姚亮吉;奥野泰利;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及的是集成电路制造，并且更具体地涉及的是带有高k栅极介电层的半导体器件。用于半导体器件的示例性的结构包括衬底和设置在该衬底上方的栅极结构。该栅极结构包括介电部分和设置在该介电部分上方的电极部分，并且该介电部分包括在衬底上的碳掺杂的高k介电层以及与电极部分相邻的无碳的高k介电层。本发明还提供具有高k栅极介电层的半导体器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 介电层 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；以及栅极结构，设置在所述衬底上方，其中，所述栅极结构包括介电部分和设置在所述介电部分上方的电极部分，其中，所述介电部分包括在所述衬底上方的碳掺杂的高介电常数(高k)介电层以及与所述电极部分相邻的无碳的高k介电层。
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