[发明专利]带有氮掺杂的高-K电介质和二氧化硅的多晶硅栅极有效
| 申请号： | 201110343934.1 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102820329A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 黄靖谦;邱盈翰;王琳松 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种多晶硅栅极结构包括衬底、设置在衬底上方的二氧化硅层、设置在二氧化硅层上方的氮掺杂的高-k介电层以及设置在氮掺杂的高-k介电层上方的多晶硅栅极。本发明还公开了一种带有氮掺杂的高-K电介质和二氧化硅的多晶硅栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 掺杂 电介质 二氧化硅 多晶 栅极 | ||
【主权项】：
一种多晶硅栅极结构，包括：衬底；二氧化硅层，设置在所述衬底上方；氮掺杂的高‑k介电层，设置在所述二氧化硅层上方；以及多晶硅栅极，设置在所述氮掺杂的高‑k介电层上方。
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