[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件，其具备：第一导电型的第一半导体层(1)，第一导电型的第二半导体层(2)，第二导电型的第三半导体层(3)，第一导电型的第四半导体层(4)，栅极绝缘膜(6)，栅极电极(7)，层间绝缘膜(8)，第二导电型的第五半导体层(9)，第二导电型的第六半导体层10，绝缘性的电流狭窄体(11)，第一电极(12)，以及第二电极(13)。第六半导体层(10)具有比第五半导体层(9)的第二导电型杂质浓度高的浓度的第二导电型杂质。电流狭窄体(11)设置在第五半导体层内(9)，具有与第五半导体层(9)的表面平行的平面和设置在该平面内的间隙(11A)。

主权项

一种电力半导体器件，其特征在于，具有：第一导电型的第一半导体层；第一导电型的第二半导体层，设置在上述第一半导体层之上，并具有比上述第一半导体层的第一导电型杂质浓度低的浓度的第一导电型杂质；第二导电型的第三半导体层，形成在上述第二半导体层的与上述第一半导体层相反侧的表面；第一导电型的第四半导体层，形成在上述第三半导体层的与上述第一半导体层相反侧的表面，并具有比上述第二半导体层的第一导电型杂质浓度高的浓度的第一导电型杂质；栅极绝缘膜，与上述第二半导体层、上述第三半导体层及上述第四半导体层相接地设置；栅极电极，隔着上述栅极绝缘膜与上述第二半导体层、上述三半导体层及上述第四半导体层对置地设置；层间绝缘膜，设置在上述栅极电极上，与上述栅极绝缘膜一起覆盖上述栅极电极；第二导电型的第五半导体层，设置在上述第一半导体层的与上述第二半导体层相反侧的表面上；第二导电型的第六半导体层，设置在上述第五半导体层的与上述第一半导体层相反侧的表面上，并具有比上述第五半导体层的第二导电型杂质浓度高的浓度的第二导电型杂质；绝缘性的电流狭窄体，设置在上述第五半导体层内，具有与上述第五半导体层的上述表面平行的平面和设置在该平面内的间隙；第一电极，与上述第六半导体电连接；以及第二电极，与上述第三半导体层和上述第四半导体层电连接。