[发明专利]从衬底去除本体材料层的方法以及适于该方法的化学机械抛光剂有效
申请号: | 201080053661.0 | 申请日: | 2010-11-25 |
公开(公告)号: | CN102640275A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | V·I·莱曼;S·艾伯特;M·布兰茨;Y·蓝;P·扎查里阿斯;I·古拜杜林;Y·李 | 申请(专利权)人: | 巴斯夫欧洲公司 |
主分类号: | H01L21/463 | 分类号: | H01L21/463;C09G1/02 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 肖威;刘金辉 |
地址: | 德国路*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 一种通过CMP从衬底去除本体材料层并使暴露表面平面化的方法,包括:(1)提供CMP试剂,其在未添加辅助材料的情况下在化学机械抛光结束时呈现:-与其开始时相同的SER和比其开始时更低的MRR,-比初始SER更低的SER以及与初始MRR相同或基本相同的MRR,或-比其开始时更低的SER和更低的MRR;(2)使所述本体材料层的表面与所述CMP试剂接触;(3)用所述CMP试剂对所述本体材料层进行CMP;(4)继续CMP直至从暴露表面去除所有材料残留物;以及一种CMP试剂及其在电和光学器件制造中的用途。 | ||
搜索关键词: | 衬底 去除 本体 材料 方法 以及 适于 化学 机械抛光 | ||
【主权项】:
一种通过化学机械抛光从衬底表面去除本体材料层并使暴露表面平面化的方法,所述方法包括如下步骤:(1)提供含水化学机械抛光剂(A),其在未添加辅助材料的情况下在化学机械抛光结束时呈现:‑与其开始时相同或基本相同的静态蚀刻速率SER和比其开始时更低的材料去除速率MRR,‑比其开始时更低的静态蚀刻速率SER以及与其开始时相同或基本相同的材料去除速率MRR,或‑比其开始时更低的静态蚀刻速率SER和更低的材料去除速率MRR;(2)使所述本体材料层的表面与所述含水化学机械抛光剂(A)接触;(3)使用所述含水化学机械抛光剂(A)化学机械抛光所述本体材料层,同时‑其初始SER保持相同或基本相同且其初始MRR降低,‑其初始SER降低且其初始MRR保持相同或基本相同,或‑其初始SER及其初始MRR均降低,直至去除本体金属层且暴露出衬底表面;和(4)继续使用所述化学机械抛光剂(A)进行化学机械抛光,在所述方法的该阶段所述化学机械抛光剂(A)具有:‑与初始SER相同或基本相同的SER和低于初始MRR的MRR,‑低于初始SER的SER以及与初始MRR相同或基本相同的MRR,‑低于初始SER和初始MRR的SER和MRR,直至所有材料残余物均从所述暴露表面去除。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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