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[发明专利]一种电磁继电器的控制电路及控制方法-CN202310938400.6在审
发明人： 黄浩斐;曲鹏;吴斌;许奔;毕涛 -专利权人：融通航空发动机科技有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01H47/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种电磁继电器的控制电路及控制方法，控制电路包括微控制单元MCU、驱动电路。微控制单元MCU控制驱动电路输出电压至电磁继电器控制线圈两端，一端作为驱动、一端作为使能，对电磁继电器进行控制；开启阶段微控制单元MCU通过驱动电路将电磁继电器/接触器的控制线圈端电压控制在略高于最小可靠动作电压范围；保持阶段微控制单元MCU通过驱动电路将电磁继电器/接触器的控制线圈端电压控制在略高于最小可靠保持电压范围；关闭阶段微控制单元MCU通过驱动电路将电磁继电器/接触器的控制线圈端电压控制在低于最大可靠释放电压范围。本发明可以有效防止电磁继电器/接触器误动做、提高可靠性、降低工作功耗。
一种电磁继电器控制电路控制方法

[发明专利]一种简捷的开关量反馈检测系统、方法和存储介质-CN202310733799.4在审
发明人：曲鹏;黄浩斐;毕涛;吴斌;许奔;马骏腾 -专利权人：融通航空发动机科技有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本发明提供了一种简捷的开关量反馈检测系统、方法和存储介质，所述系统包括开关量通道电压输出电路、限流电路、隔离电路、微控制单元MCU及相应的检测程序；当开关量通道需要导通时，控制电路的控制信号输出，开关量通道输出电源电压，通过限流电阻加载到光耦中的发光二极管两端。利用光耦中发光二极管导通原理，可以控制光耦的输出电压高低电平，进而控制微控制单元MCU引脚输入电压的高低，微控制单元MCU的采集程序可以实时判断引脚电平的高低，从而检测开关量通道是否工作，并将开关量的反馈电平与时间的对应关系记录下来，方便日后的数据检查。
一种简捷开关反馈检测系统方法存储介质

[发明专利]一种基于旋变模式的活塞发动机电控调节方法-CN202310267709.7在审
发明人：曲鹏;王海朋;吴斌;黄云龙;黄浩斐;黄帅;许奔;毕涛 -专利权人：融通航空发动机科技有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： F02B77/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于旋变模式的活塞发动机电控调节方法，主要针对小型二冲程航空活塞发动机，其他活塞发动机也可适用于本发明。具体包括:获取曲轴旋转变压器信号；根据旋转变压器信号确定旋转变压器当前角度，通过计算旋转变压器角度与曲轴角度对应关系确定当前曲轴角度；根据旋转变压器信号确定曲轴转速；根据曲轴角度和曲轴转速实现二冲程航空活塞发动机的喷油、点火等控制功能；根据旋转变压器信号能够确定发动机停车后的曲轴位置。该方法可实现对发动机曲轴角度和转速的高精度辨识，且实时性较好。
一种基于模式活塞发动机电调节方法

[发明专利]一种Ga2-CN202211379414.0在审
发明人：王梦倩;王世琳;黄浩斐;邓洁;刘尊;龚恒玥;贺新柳;唐可;汪琳;王林军;黄健 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ga2O3薄膜禁带宽度调控的工艺方法，采用共溅射法，选择合适的掺杂剂，实现了Ga2O3薄膜禁带宽度的可控调节。将Ga2O3和作为掺杂剂的ZnO、B2O3、In2O3或Al2O3靶材分别置于射频靶位上，利用磁控共溅射的方法得到掺杂的Ga2O3薄膜，从而调控Ga2O3薄膜禁带宽度。改变Ga2O3薄膜中掺入的元素种类可控制其禁带宽度调控的方向。改变靶的溅射功率，可以控制Ga2O3薄膜中元素掺入的量，从而控制Ga2O3薄膜禁带宽度改变的大小。再将所得的Ga2O3薄膜进行退火处理，使其结构更加均匀致密。本禁带宽度调控方法操作简单、成本较低、效果显著。本发明得到的不同禁带宽度的Ga2O3薄膜，能够更好地应用在紫外探测、发光器件、太阳能电池等领域。
一种 ga base sub

[发明专利]一种大尺寸碲锌镉厚膜像素阵列探测器及其制备方法-CN202211379432.9在审
发明人： 黄浩斐;李洪伟;丽娜·阿扎提;张磊;贺新柳;李浩龙;王林军;唐可;黄健 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸碲锌镉厚膜像素阵列探测器及其制备方法，还涉及这种具有像素阵列结构的大尺寸碲锌镉厚膜探测器的制备方法。所述探测器采用衬底‑背电极‑半导体‑面电极的叠层结构的组合形式。相较于传统碲锌镉探测器，本方法采用碲锌镉厚膜、像素阵列结构的面电极以及导电氧化物薄膜电极，所制备的探测器尺寸大、具有空间分辨能力且服役性能好。本发明制备的探测器对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。
一种尺寸碲锌镉厚膜像素阵列探测器及其制备方法

[发明专利]一种Ga2-CN202211379413.6在审
发明人：唐可;刘尊;黄浩斐;邓洁;王世琳;王梦倩;龚恒玥;刘川;黄健;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ga2O3基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法，所述异质结依次由单晶p‑Si衬底、本征Ga2O3薄膜和n型Ga2O3薄膜叠加而成，分别在p‑Si衬底和n型Ga2O3薄膜上生长欧姆接触电极制备日盲紫外探测器。本发明采用插入高阻本征层的方法来改善日盲紫外探测器的性能，相比于传统的pn结器件结构，PIN型探测器具有更小的暗电流以及更高的信噪比。此外，本发明以Si为p型层制备PIN型日盲紫外探测器，与其它探测器相比具有低成本，易集成的优势，在导弹追踪、无线通信、火焰探测、臭氧层空洞监测、电弧检测等军事和民用领域具有重要意义和应用前景。
一种 ga base sub

[发明专利]一种氧化镓器件用欧姆接触复合电极及其制备方法-CN202211379415.5在审
发明人：王世琳;王梦倩;黄浩斐;邓洁;刘尊;龚恒玥;贺新柳;唐可;黄健;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓器件用欧姆接触复合电极及其制备方法，实现与氧化镓材料形成欧姆接触的复合电极，与氧化镓材料形成欧姆接触的复合电极结构采用低阻复合中间层‑金属电极的组合形式，整体依次由氧化镓材料、低阻掺杂氧化镓中间层、低阻氧化物半导体中间层和金属电极四部分进行层叠组装而成；其中氧化镓材料可以包括单晶、多晶以及非晶氧化镓。本发明设计的复合电极引入低阻复合中间层，解决传统多层金属叠层电极在合金化的过程中易引起界面反应的问题，新型复合电极减少界面的影响，改善氧化镓材料电极接触特性，实现对氧化镓材料更稳定的欧姆接触，使氧化镓器件的电学性能更加可靠，在氧化镓电力电子器件领域中有广泛的应用前景。
一种氧化器件欧姆接触复合电极及其制备方法

[发明专利]一种钽掺杂Ga2-CN202211379912.5在审
发明人：黄健;邓洁;黄浩斐;王梦倩;王世琳;刘尊;顾客云;李洪伟;丽娜.阿扎提;张磊;唐可;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ta掺杂的Ga2O3薄膜的可控制备工艺方法，通过磁控溅射法共溅射氧化钽和氧化镓，生成掺钽的氧化镓薄膜；将所述的掺钽的氧化镓薄膜进行退火。本发明所制备的钽掺杂的氧化镓薄膜表面分布均匀，结构致密，且薄膜厚度可控。本发明的制备方法操作简单，工艺可控性强。该工艺对发展光电探测器、高功率器件、场效应晶体管等器件具有重要意义，在航空航天、轨道交通、能源转换、通信及汽车领域具有广阔的应用前景。
一种掺杂 ga base sub

[发明专利]一种微小型发动机的起发一体控制系统-CN202210630318.2在审
发明人：曲鹏;王海朋;张进取;黄浩斐;吴斌;许奔 -专利权人：中国人民解放军总参谋部第六十研究所
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H02K7/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种微小型发动机的起发一体控制系统，包括起发电机、起动控制系统、发电电源控制系统；起动控制系统和发电电源控制系统集成化设计，共用起动控制系统的逆变电路；起动时，逆变电路为起发电机提供驱动电压和电流；发电时，通过逆变电路中MOSFET本身自带的体二极管进行整流，将起发电机产生的三相交流电转换成直流电，供DC‑DC输出电路进一步转换成电气设备用电。本发明起动控制系统采用多余度控制技术，发电电源控制系统和起动控制系统采用集成化设计，共用起动控制系统的逆变电路，从而达到了微小型发动机的高起动成功率和可靠发电的目的。本发明中的起发一体控制系统还可将交流电转换成反馈起发电机转速特征的方波信号或者差分信号。
一种微小发动机一体控制系统

[发明专利]在石墨烯衬底上定向生长碲锌镉薄膜的制备方法-CN201810204992.8有效
发明人：黄健;谷青苗;周新雨;杨帆;邹天宇;唐可;黄浩斐;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种在石墨烯衬底上定向生长碲锌镉薄膜的制备方法，先采用CVD方法在铜箔上制备出单层石墨烯，再以石墨烯为衬底采用近空间升华法制备一层定向碲锌镉薄膜。本发明通过设定衬底和升华源之间距离实现近空间升华制备薄膜的方案，采用石墨烯材料作为衬底结构，与目标CdZnTe薄膜晶格匹配度高，从而实现定向性好的CdZnTe薄膜的制备。本发明旨在石墨烯衬底上采用进空间升华方法制备定向CdZnTe薄膜，实现制成器件时载流子在上下极之间传输损耗低，提高器件载流子传输速度，提高器件传输速度。本发明方法相比CdZnTe单晶生长工艺简单、成本更低、可大面积制备、批量生长可行性高。
石墨衬底定向生长碲锌镉薄膜制备方法

[发明专利]具有复合衬底结构的CZT薄膜材料及其制备方法-CN202011347355.X在审
发明人：黄健;黄浩斐;陈卓睿;尚艺;张志洛;唐可;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： C25B11/069 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有复合衬底结构的CZT薄膜材料及其制备方法，所述碲锌镉薄膜采用基片‑复合衬底‑半导体的三明治结构的组合形式。所述复合衬底结构是由氧化锌基薄膜层与金属催化层进行层叠组装结合的结构。本发明在传统碲锌镉薄膜生长过程中采用复合衬底结构。与传统生长方式相比，本发明所采用的复合衬底结构技术，得到的薄膜生长速度更快，薄膜晶粒尺寸更大，薄膜晶体质量更高，薄膜表面形貌可调控。本发明制备的薄膜材料对于能源、公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域能源获取、安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。
具有复合衬底结构 czt 薄膜材料及其制备方法

[发明专利]具有复合钝化层的CZT膜复合材料、核辐射探测器件及其制备方法-CN202010835636.3在审
发明人：陈哲;别佳瑛;陈卓睿;尚艺;黄浩斐;李洪伟;黄健;唐可;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有复合钝化层的CZT膜复合材料、核辐射探测器件及其制备方法，属半导体探测材料制造技术领域。本方法是先通过近空升华法在导电玻璃衬底上沉积碲锌镉膜，在进行抛光和腐蚀之后，再在碲锌镉膜上通过磁控溅射方法依此沉积碲化镉、硫化锌的复合钝化层。之后在N2氛围下进行退火。经过光刻和干法刻蚀后，使用电子束蒸发方法继续在膜上上沉积金电极。钝化层的存在使得抛光、腐蚀后的碲锌镉膜表面受到良好的保护，碲锌镉膜表面漏电流减小，从而改善碲锌镉探测器的性能，本发明制备的薄膜材料对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。
具有复合钝化 czt 复合材料核辐射探测器件及其制备方法

[发明专利]透明Ga2-CN202010872254.8在审
发明人：黄健;尚艺;陈卓睿;别佳瑛;黄浩斐;唐可;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明Ga2O3的p‑i‑n异质结构日盲型紫外光探测器及其制备方法，制备了Ga2O3薄膜，对日盲紫外光探测器的结构进行了设计，本发明探测器的结构采用衬底、p型NiO薄膜、i层Ga2O3薄膜、n型硼、镓共掺的氧化锌(BGZO)薄膜和Au电极五部分进行层叠组装而成。本发明相对于商业上使用的光电倍增管结构简单，性能优异，并且安全无毒，适用于大规模日盲紫外光探测器中。同时，p‑i‑n型结构的设计扩展了耗尽区的宽度，增大了光电转换的有效工作区域，提高了器件的响应速度。
透明 ga base sub

[发明专利]碲锌镉薄膜的表面抛光工艺方法-CN201910547459.6在审
发明人：黄健;杨帆;别佳瑛;邹天宇;王同营;马云诚;陈卓睿;黄浩斐;唐可;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L21/463 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉薄膜的表面抛光工艺方法，所述CdZnTe薄膜表面进行机械抛光和化学抛光，即依次进行使用Al₂O₃抛光粉的物理机械抛光和使用溴甲醇溶液的化学腐蚀抛光。相比于未经表面处理的CdZnTe薄膜，本发明所采用的表面处理得到的CdZnTe薄膜表面缺陷和杂质更少，表面粗糙度更小，薄膜表面质量更好。本发明制备的薄膜材料对于射线探测、辐射探测、天体物理、国防安保以及医疗检测等方面具有重要意义和应用前景。
表面抛光工艺抛光碲锌镉薄膜表面粗糙度薄膜表面薄膜材料表面缺陷辐射探测化学腐蚀化学抛光机械抛光甲醇溶液射线探测天体物理物理机械医疗检测重要意义抛光粉安保制备国防应用

[发明专利]采用氧化锌导电电极的碲锌镉辐射探测器及其制备方法-CN201810212660.4在审
发明人：黄健;李冰;马云诚;胡艳;邹天宇;唐可;于舜杰;黄浩斐;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用氧化锌导电电极的碲锌镉辐射探测器及其制备方法，该辐射探测器采用电极‑半导体‑电极三明治器件结构，即依次由氧化锌基导电氧化物薄膜电极、碲锌镉和氧化锌基导电氧化物薄膜电极三部分层叠组装的结构。本发明采用氧化锌基导电氧化物薄膜电极代替传统的金属电极。与传统碲锌镉辐射探测器相比，氧化锌基导电氧化物薄膜电极导电性能良好，在碲锌镉表面的附着力远高于金属，接触电阻更低，可靠性更高，大大提高了探测器的稳定性和使用寿命。本探测器可广泛应用于核医学，航空航天以及安全防护等众多辐射监测领域。对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域辐射监控、安全防护方面具有重要意义。
电极碲锌镉导电氧化物薄膜辐射探测器氧化锌基安全防护导电电极航空航天核医学氧化锌探测器制备附着力三明治电极导电性能层叠组装辐射监测辐射监控公共安全接触电阻金属电极器件结构使用寿命重要意义传统的核工业半导体科学研究金属军事应用

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