[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010127009.0 | 申请日： | 2010-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102194693A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;钟汇才;朱慧珑;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，是在栅极替代工艺中形成栅极时，在形成功函数金属层和第一金属层以后，去除一部分的功函数金属层和第一金属层；而后在去除部分填充形成第二金属层。这种栅极结构的器件，由于去除了一部分的本身具有高电阻率的功函数金属层，并填充了本身具有低电阻率的第二金属层，这样大大减小了栅极整体的电阻率，进而提高了器件的AC性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：A.提供半导体衬底；B.在所述半导体衬底上形成伪栅堆叠及其侧墙，以及在所述伪栅堆叠两侧的半导体衬底内形成源极区和漏极区，所述伪栅堆叠包括高k栅介质层和伪栅极；C.去除所述伪栅极，暴露所述高k栅介质层以形成开口；D.覆盖所述开口内的底部和侧壁形成功函数金属层，以及在功函数金属层上形成填满所述开口的第一金属层；E.将所述开口内功函数金属层与第一金属层的上部去除；F.在所述开口内填充第二金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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