[发明专利]一种闭环曲率补偿CMOS带隙基准电压源无效

专利信息
申请号: 200910301441.4 申请日: 2009-04-09
公开(公告)号: CN101533288A 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: 范涛;袁国顺 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G05F3/30 分类号: G05F3/30
代理公司: 北京市德权律师事务所 代理人: 王建国
地址: 100029北京市朝*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种闭环曲率补偿CMOS带隙基准电压源,属于电源及微电子技术领域。所述基准电压源包括:CTAT电流产生电路,于产生PTAT电流(IPTAT);闭环补偿电流产生I);参考于产生闭环补偿电流(ICL)电压产生电路,用于产生参考电压源(Vref);PTAT电流产生电路与CTAT电流产生电路相连,CTAT电流产生电路与闭环补偿电流产生电路相连,参考电压产生电路与CTAT电流产生电路和闭环补偿电流产生电路相连。本发明提供的闭环曲率补偿CMOS带隙基准电压源结构,可以有效地提高补偿电流的精确度,进而提高输出参考电压的温度稳定性。
搜索关键词: 一种 闭环 曲率 补偿 cmos 基准 电压
【主权项】:
【权利要求1】一种闭环曲率补偿CMOS带隙基准电压源,其特征在于,所述基准电压源包括:PTAT电流产生电路,用于产生PTAT电流(IPTAT);CTAT电流产生电路,用于产生CTAT电流(ICTAT);闭环补偿电流产生电路,用于产生闭环补偿电流(ICL);参考电压产生电路,用于产生参考电压源(Vref);所述PTAT电流产生电路与CTAT电流产生电路相连,所述CTAT电流产生电路与闭环补偿电流产生电路相连,所述参考电压产生电路与CTAT电流产生电路和闭环补偿电流产生电路相连。
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