[发明专利]一种稳定性增强的高输出功率射频功率放大器在审

专利信息
申请号: 201811077908.7 申请日: 2018-09-16
公开(公告)号: CN109412538A 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 马建国;张蕾;傅海鹏 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H03F1/56 分类号: H03F1/56;H03F3/21;H03F3/45
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 吴学颖
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种稳定性增强的高输出功率射频功率放大器,包括一号CMOS晶体管、二号CMOS晶体管、三号CMOS晶体管、四号CMOS晶体管,一号CMOS晶体管和三号CMOS晶体管处于同一支路,二号CMOS晶体管和四号CMOS晶体管处于同一支路,一号CMOS晶体管和二号CMOS晶体管均为共源结构,三号CMOS晶体管和四号CMOS晶体管均为共栅结构,三号CMOS晶体管源极和四号CMOS晶体管漏极之间连接一号交叉耦合电容,三号CMOS晶体管漏极和四号CMOS晶体管源极之间连接二号交叉耦合电容。本发明能够在实现高的输出功率下保证射频功率放大器的稳定,不需要额外的稳定措施,降低成本。
搜索关键词: 射频功率放大器 交叉耦合电容 高输出功率 稳定性增强 支路 漏极 源极 共源结构 共栅结构 输出功率 稳定措施 保证
【主权项】:
1.一种稳定性增强的高输出功率射频功率放大器,包括一号CMOS晶体管(M1)、二号CMOS晶体管(M2)、三号CMOS晶体管(M3)、四号CMOS晶体管(M4),一号CMOS晶体管(M1)和三号CMOS晶体管(M3)处于同一支路,二号CMOS晶体管(M2)和四号CMOS晶体管(M4)处于同一支路,所述一号CMOS晶体管(M1)栅极分别连接有一号输入隔直电容(C1)和一号电阻(RG1),所述二号CMOS晶体管(M2)栅极分别连接有二号输入隔直电容(C2)和二号电阻(RG2),一号CMOS晶体管(M1)和二号CMOS晶体管(M2)均为共源结构,一号CMOS晶体管(M1)漏极连接三号CMOS晶体管(M3)源极,二号CMOS晶体管(M2)漏极连接四号CMOS晶体管(M4)源极,三号CMOS晶体管(M3)漏极分别连接有一号输出隔直电容(C3)和一号电感(L1),四号CMOS晶体管(M4)漏极分别连接有二号输出隔直电容(C4)和二号电感(L2),三号CMOS晶体管(M3)和四号CMOS晶体管(M4)均为共栅结构,其特征在于,所述三号CMOS晶体管(M3)源极和四号CMOS晶体管(M4)漏极之间连接有一号交叉耦合电容(CS1),所述三号CMOS晶体管(M3)漏极和四号CMOS晶体管(M4)源极之间连接有二号交叉耦合电容(CS2)。
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  • 2018-09-12 - 2019-06-04 - H03F1/56
  • 本实用新型公开了一种宽带低噪声放大器,属于集成电路领域,包括匹配放大级电路、第一增益提升级电路和第二增益提升级电路。所述匹配放大级电路采用共栅输入匹配与噪声消除结构,实现所述宽带低噪声放大器的宽带匹配、单端到差分的转换与极低噪声的性能;另外,所述匹配放大级电路包括栅极电感和反馈电容,通过栅极电感和反馈电容的并联,来补偿所述宽带低噪声放大器高频增益;所述第一增益提升级电路用于补偿所述宽带低噪声放大器中间频段增益;所述第二增益提升级电路用于补偿所述宽带低噪声放大器低频段增益;所述宽带低噪声放大器的三级电路补偿全频段增益。本实用新型实现了宽带输入匹配、高频增益补偿的功能。
  • 阻抗可调节功率分配器及射频功率放大器-201821668210.8
  • 张青平;龙华 - 深圳飞骧科技有限公司
  • 2018-10-15 - 2019-06-04 - H03F1/56
  • 本实用新型提供阻抗可调节功率分配器及射频功率放大器。所述阻抗可调节功率分配器包括输入端、分配电路、第一输出端、第二输出端,输入端通过分配电路连接第一输出端和第二输出端进行功率分配,阻抗可调节功率分配器还包括:第一接地电感,一端连接所述第一输出端,另一端连接电源地;第二接地电感,一端连接所述第二输出端,另一端连接电源地。本实用新型可对功率分配器的输入及输出阻抗进行调节,简化了匹配电路结构,缩小了面积,减小了电路的损耗,增加了应用该阻抗可调节功率分配器的射频功率放大器的输出功率。
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