[发明专利]半导体器件制造方法

摘要

一种包括沟槽形成工艺的半导体器件制造方法，其中沟槽用具有高结晶度的外延层掩埋，同时掩模氧化膜保持未去除。在n型硅衬底的表面上形成n型半导体，且在n型半导体的表面上形成掩模氧化膜和掩模氮化膜(掩模层叠膜)。接着，通过光刻和蚀刻使得掩模层叠膜形成开口，且在硅衬底中形成沟槽。然后，使余下的掩模层叠膜的宽度变窄，藉此使n型半导体的靠近沟槽的开口末端的部分(第二暴露部分)暴露。在此状态下，沟槽用p型半导体掩埋，藉此防止掩模层叠膜的表面被p型半导体覆盖。而且，从n型半导体的第二暴露部分生长p型半导体，藉此防止在p型半导体的表面上形成V形凹槽。

主权项

1.一种半导体器件制造方法，包括：第一掩模步骤，其在第一导电类型的半导体衬底的主面上形成部分打开的第一掩模；蚀刻步骤，其通过蚀刻所述第一导电类型的半导体衬底的暴露给所述第一掩模的开口部分的半导体部分而形成沟槽；暴露步骤，其使所述第一掩模中的各个开口部分的宽度加宽，且暴露所述第一导电类型的半导体衬底的表面上的在所述蚀刻步骤之后未被蚀刻的半导体部分；以及层形成步骤，其在所述沟槽和在所述暴露步骤中暴露的所述第一导电类型的半导体衬底的所述半导体部分中外延生长第二导电类型的半导体层。