[发明专利]在半导体器件中形成铜布线的方法无效
| 申请号： | 200910143122.5 | 申请日： | 2009-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101807540A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 朴滢淳;郭鲁正;廉胜振;柳春根;郑钟九;金成准 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/00;H01L21/321;B08B3/08;B08B3/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在半导体器件中形成铜布线和防止铜离子迁移的方法。所述方法包括：对已经进行CMP工艺之后的用于形成铜布线的铜层进行后清洗工艺。所述后清洗工艺包括使用柠檬酸基化学品进行一次化学清洗。然后使用抗坏血酸基化学品对已经进行所述一次化学清洗的所述铜层进行二次化学清洗。后清洗工艺完成之后，防止了铜离子随时间的迁移，由此改善了半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 布线 方法 | ||
【主权项】：
一种在半导体器件中形成铜布线的方法，包括对先前已经进行了CMP(化学机械抛光)工艺的铜层进行后清洗工艺的步骤，所述后清洗工艺包括以下步骤：使用柠檬酸基化学品对所述铜层进行一次化学清洗；和使用抗坏血酸基化学品对已经进行了所述一次化学清洗的所述铜层进行二次化学清洗。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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