[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810082364.3 | 申请日： | 2008-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN101256996A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 西沢元亨 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60;C09J9/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;陈晨 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法，在该半导体器件中，半导体元件的外侧连接端子与布线板的电极通过导电粘合剂互相连接，所述导电粘合剂包括：第一导电粘合剂；以及第二导电粘合剂，覆盖所述第一导电粘合剂；其中，所述第一导电粘合剂包含导电填充物，所述导电填充物包括银(Ag)；以及所述第二导电粘合剂包含导电填充物，所述导电填充物包括从锡(Sn)、锌(Zn)、钴(Co)、铁(Fe)、钯(Pd)、铂(Pt)组成的群组中选择的金属。本发明能够保证半导体器件的高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其中半导体元件的外侧连接端子与布线板的电极通过导电粘合剂互相连接，所述导电粘合剂包括：第一导电粘合剂；以及第二导电粘合剂，覆盖所述第一导电粘合剂；其中，所述第一导电粘合剂包含导电填充物，所述导电填充物包括银；以及所述第二导电粘合剂包含导电填充物，所述导电填充物包括从锡、锌、钴、铁、钯和铂组成的群组中选择的金属。
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