[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1、一种半导体器件，其中半导体元件的外侧连接端子与布线板的电极通过导电粘合剂互相连接，所述导电粘合剂包括：

第一导电粘合剂；以及

第二导电粘合剂，覆盖所述第一导电粘合剂；

其中，所述第一导电粘合剂包含导电填充物，所述导电填充物包括银；以及

所述第二导电粘合剂包含导电填充物，所述导电填充物包括从锡、锌、钴、铁、钯和铂组成的群组中选择的金属。

2、如权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第二导电粘合剂还包括树脂。

3、如权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一导电粘合剂直接连接到所述布线板的所述电极。

4、如权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一导电粘合剂的所述导电填充物为银或者含银的混合物或合金。

5、如权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第二导电粘合剂的所述导电填充物为锡或者含锡的混合物或合金。

6、如权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述树脂由从环氧化合物、丙烯酸化合物、乙烯基化合物和热固性化合物组成的群组中选择的材料制成。

7、如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

底部填充材料，位于所述半导体元件与所述布线板之间的间隙内。

8、如权利要求7所述的半导体器件，

其中，所述底部填充材料由从环氧树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、硅树脂组成的群组中选择的材料制成。

9、一种半导体器件的制造方法，包括：

在半导体元件的外侧连接端子上形成包含导电填充物的第一导电粘合剂，所述导电填充物包括银；

在所述第一导电粘合剂的表面上形成第二导电粘合剂，所述第二导电粘合剂包含导电填充物，所述导电填充物包括从锡、锌、钴、铁、钯、铂组成的群组中选择的金属；以及

通过由所述第一导电粘合剂和所述第二导电粘合剂组成的导电粘合剂，将所述半导体元件的所述外侧连接端子连接到在布线板上形成的电极。

10、如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，还包括：

在形成所述第一导电粘合剂之后，将所述第一导电粘合剂固化。

11、如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，还包括：

在形成所述第二导电粘合剂之后，将所述第二导电粘合剂固化。

12、如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，

其中，当通过调整工艺施加力时，将所述第二导电粘合剂固化。

13、如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，还包括：

在将所述半导体元件的所述外侧连接端子连接到在所述布线板上形成的所述电极之前，在所述布线板上提供底部填充材料。

14、如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，还包括：

在将所述半导体元件的所述外侧连接端子连接到在所述布线板上形成的所述电极之后，向所述半导体元件与所述布线板之间的间隙提供底部填充材料。

15、如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，

其中，通过加热来将所述半导体元件的所述外侧连接端子连接到在所述布线板上形成的所述电极；

在所述加热的过程中，在所述第二导电粘合剂的外表面上形成包含在所述第二导电粘合剂中的金属的氧化物膜。

16、如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，

其中，所述第一导电粘合剂的所述导电填充物为银或者含银的混合物或合金。

17、如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，

其中，所述第二导电粘合剂的所述导电填充物为锡或者含锡的混合物或合金。

18、如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，

其中，所述第二导电粘合剂还包括树脂。

19、如权利要求18所述的半导体器件的制造方法，

其中，所述树脂是由从环氧化合物、丙烯酸化合物、乙烯基化合物和热固性化合物组成的群组中选择的材料制成。

20、如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，

其中，所述底部填充材料由从环氧树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、硅树脂组成的群组中选择的材料制成。