[发明专利]一种用于掺杂锗单晶体掺杂剂的装置有效
| 申请号： | 200810017264.2 | 申请日： | 2008-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101280461A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 杨旭;原洛渭 | 申请（专利权）人： | 西安理工晶体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B31/04 | 分类号： | C30B31/04 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 710077陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于掺杂锗单晶体掺杂剂的装置，包括漏斗体，漏斗体的漏斗进口端设置有漏斗盖，漏斗体的漏斗出口端与掺杂管连接，掺杂管沿炉盖掺杂口设置并固定在传动机构的移动座上，掺杂管上设置有进料球阀，移动座通过波纹管与炉体上的安装座密封连接，波纹管将掺杂管与外界隔离，移动座与传动机构连接。本发明的结构简单，便于操作，容易维护，制作成本低，能够方便地定量加入掺杂剂，对现行锗单晶生长新工艺要求不苛刻，满足其工艺要求。实现了预定特殊电学特性的锗单晶生产，扩展锗单晶体的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 掺杂 单晶体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种用于掺杂锗单晶体掺杂剂的装置，其特征在于，包括漏斗体(12)，漏斗体(12)的漏斗进口端设置有漏斗盖(26)，漏斗体(12)的漏斗出口端与掺杂管(1)连接，掺杂管(1)沿炉盖掺杂口(2)设置并固定在传动机构的移动座(9)上，掺杂管(1)上设置有进料球阀(10)，移动座(9)通过波纹管(8)与炉体上的安装座(3)密封连接，波纹管(8)将掺杂管(1)与外界隔离，移动座(9)与传动机构连接。
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- 2010-03-26 - 2010-10-13 - C30B31/04
- 本发明公开了一种用于制造太阳电池的硅片磷扩散吸杂工艺，包括以下步骤：将磷源涂布在硅片表面或者由载气携带POCl3进入扩散炉管，在保护气氛围下，将硅片置于800～1050℃下保温10～60分钟，接着将硅片置于500～800℃下保温20～60分钟，冷却后除去磷硅玻璃层。本发明工艺采用变温吸杂的方式，结合高温易将杂质溶解释放、在较低温度易使其有效地被吸杂层捕获的优点，能有效地降低硅基体中金属杂质的含量，提高太阳电池的光转化效率。
- 直拉硅单晶的镓元素掺杂方法及所用掺杂装置-201010132399.0
- 郭兵健;王飞尧;何国君;黄笑容;肖型奎 - 杭州海纳半导体有限公司;浙江众合机电股份有限公司
- 2010-03-25 - 2010-07-28 - C30B31/04
- 本发明公开了一种镓元素掺杂装置，包括由高纯石英制成的吊环(2)和环状固定套(3)，还包括由高纯单晶硅制成的空心圆锥体(4)；环状固定套(3)与空心圆锥体(4)相连，吊环(2)的一端与环状固定套(3)相连，吊环(2)的另一端与柄部(1)相连，在柄部(1)上设有与籽晶杆上的籽晶夹头相配套的凹槽(11)。本发明还同时公开了利用上述镓元素掺杂装置进行的直拉硅单晶的镓元素的掺杂方法。使用本发明能有效避免因硅熔体溅起对长晶造成的不良影响。
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