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[发明专利]一种用溶液浸泡烧结获得掺杂碳化硅单晶的方法-CN202310804382.2在审
发明人：张新峰;德米特罗维奇·德米特里;李国平;龙安泽;吴志亮;黄宏嘉;陈善亮;杨祚宝;王霖;花俊;汪群华 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B31/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用溶液浸泡烧结获得掺杂碳化硅单晶的方法，所述方法：将表面具有多孔结构的碳化硅单晶浸泡于溶有所需掺杂的物质的乙醇溶液或水溶液或乙醇水混合溶液中，浸泡完成后，再经烧结处理即得到掺杂碳化硅单晶。采用该方法获得的掺杂碳化硅单晶，其掺杂均匀。
一种溶液浸泡烧结获得掺杂碳化硅方法

[发明专利]一种ZnO/SiC纳米异质结高温乙醇气敏传感器及其制备方法-CN202310291018.0在审
发明人：王霖;黄海丽;张冬冬;陈善亮;高凤梅;胡丰;杨为佑 -专利权人：宁波工程学院
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明属于传感器技术领域，涉及一种ZnO/SiC纳米异质结高温乙醇气敏传感器及其制备方法。本发明通过水热法在SiC纳米线表面原位生长ZnO纳米颗粒，且ZnO/SiC纳米异质结的ZnO纳米颗粒团聚程度可控；本发明采用ZnO纳米颗粒生长时间为300‑1200min的ZnO/SiC纳米异质结构作为高温乙醇传感器的气敏材料，ZnO/SiC纳米异质的响应度明显高于单一ZnO纳米颗粒及单一SiC单晶纳米线制备的高温气敏传感器，具有较高的响应度。
一种 zno sic 纳米异质结高温乙醇传感器及其制备方法

[发明专利]一种用有机胶制备耐腐蚀石墨制品的方法-CN202310704095.4在审
发明人：张新峰;德米特罗维奇·德米特里;李国平;龙安泽;吴志亮;黄宏嘉;陈善亮;杨祚宝;王霖;花俊;汪群华 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明涉及一种用有机胶制备耐腐石墨制品的方法，所述方法：在石墨制品表面均匀涂覆有机胶，待有机胶固化后，得到产物A；产物A先置于一定温度环境下，保温一段时间后降温取出，有机胶初步碳化，再进行烧结，有机胶完全碳化。采用该方法制备的石墨制品，其用在PVT法或液相法生长过程中，能够抑制腐蚀，提高使用寿命。
一种有机制备腐蚀石墨制品方法

[实用新型]一种污泥好氧堆肥用搅拌装置-CN202222757411.8有效
发明人：廖惠芳;黎新泽;欧阳海梅;陈善亮;周博准 -专利权人：广宁县奥茵环境工程科技有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： B01F27/90 文献下载
摘要：本实用新型涉及搅拌混合设备技术领域，且公开了一种污泥好氧堆肥用搅拌装置，包括主箱体，固定安装在所述主箱体底部的支撑，以及包括设置在主箱体内部的搅拌机构，其特征在于：所述主箱体底部的中部开设有出料口，该出料口一处固定连接有导流板，所述搅拌机构包括设置在导流板上方的转动机构。通过调节振动机构中固定连接在销与搅拌叶片上的第二弹簧，在搅拌叶片进行转动调节时，此时的第二弹簧便会跟随搅拌叶片进行转动，从而产生一个扭矩力，当离心力消失，第一弹簧便会进行复位拉动滑杆进行复位，这样第二弹簧的扭矩力会进行一个回弹复位，同时带动搅拌叶片进行快速复位，从而产生振动，以达到震落搅拌叶片上所残留的堆肥。
一种污泥堆肥搅拌装置

[外观设计]鼠标-CN202230477099.X有效
发明人： 陈善亮 -专利权人： 陈善亮
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： 14-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：鼠标。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于作为电脑的输入设备。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
鼠标

[发明专利]一种SiC@C一体化复合光阳极及其制备方法与应用-CN202210597047.5在审
发明人： 陈善亮;徐尚;高凤梅;李维俊;杨为佑 -专利权人：宁波工程学院
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C25B11/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC@C一体化复合光阳极及其制备方法与应用，属于光电化学技术领域。本发明公开了一种SiC@C一体化复合光阳极，所述SiC@C一体化复合光阳极包括SiC纳米孔穴阵列层以及沉积在其表面的碳纳米薄层。本发明还公开了一种SiC@C一体化复合光阳极的制备方法，所述制备方法包括：将聚甲基丙烯酸甲酯与SiC光阳极半成品在双温区管式炉中进行化学气相沉积。
一种 sic 一体化复合阳极及其制备方法应用

[发明专利]一种生长在碳纤维布上的锯齿状氮掺杂SiC纳米线的制备方法-CN202011209541.7有效
发明人：杨为佑;李笑笑;牛昌明;李侃;李维俊;刘乔;陈善亮;钱桂荣 -专利权人：宁波工程学院;江苏尚今光电科技有限公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明提供的一种生长在碳纤维布上的锯齿状氮掺杂SiC纳米线的制备方法，包括以下步骤：将生长在碳纤维布上的三棱柱状氮掺杂SiC纳米线置于氢氟酸和硝酸的混合溶液中，加热腐蚀反应，冷却后，水洗、干燥得生长在碳纤维布上的锯齿状氮掺杂SiC纳米线。本发明提供的一种生长在碳纤维布上的锯齿状氮掺杂SiC纳米线的制备方法，实现了锯齿状氮掺杂SiC纳米线的简单制备，增加了电化学活性反应位点，提高比电容和高温服役循环寿命。
一种生长碳纤维锯齿状掺杂 sic 纳米制备方法

[发明专利]一种锯齿状氮掺杂SiC纳米线基高温超级电容器-CN202011209525.8有效
发明人：杨为佑;李笑笑;牛昌明;李侃;李维俊;刘乔;陈善亮;钱桂荣 -专利权人：宁波工程学院;江苏尚今光电科技有限公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明提供一种锯齿状氮掺杂SiC纳米线基高温超级电容器，所述超级电容器包括正负电极、隔膜和电解液，并将生长有锯齿状氮掺杂SiC纳米线的碳纤维布作为正负电极。所述锯齿状氮掺杂SiC纳米线基超级电容器能够在150℃温度下持续稳定工作，远高于目前大多数超级电容器使用温度，表现出优异的高温电化学性能。
一种锯齿状掺杂 sic 纳米高温超级电容器

[发明专利]一种碳纳米纤维基电催化剂的制备方法及其应用-CN202011305456.0有效
发明人： 陈善亮;余浩;张东东;杨为佑 -专利权人：宁波工程学院
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01M4/96 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米纤维基电催化剂的制备方法，包括以下步骤：将蜡烛灰分散在有机溶剂中，然后加入高分子聚合物、二苄基二硫，搅拌后，再加入钴盐和镍盐，继续搅拌，得前驱体溶液；将前驱体溶液静电纺丝，收集纤维前驱体，干燥；将干燥的纤维前驱体在150～300℃下空烧1～3h，随后在惰性气氛中高温碳化，得碳纳米纤维基电催化剂。本发明制备的碳纳米纤维基电催化剂具有优异的电催化性能和循环稳定性。
一种纳米纤维催化剂制备方法及其应用

[发明专利]一种碳化硅和硅异质结逆导型IGBT-CN202210188984.5在审
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅和硅异质结逆导型IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，由底层到顶层依次为P+集电极区和N+集电极区、位于P+集电极区和N+集电极区上方的N+缓冲层、位于N+缓冲层上方的N漂移区，位于漂移区的上方的表面结构，所述P+集电极区的集电极接触为欧姆接触，N+集电极区的集电极接触为肖特基接触；所述N+集电极区使用碳化硅材料制成，所述P+集电极区、N+缓冲层、N漂移区、表面结构均使用硅材料制成。设计除了N+集电极区由碳化硅材料制成，其余区域都由硅材料制成，且N+集电极区的集电极接触为肖特基接触，利用碳化硅肖特基结压降较高的特性，消除电压折回现象。
一种碳化硅硅异质结逆导型 igbt

[发明专利]一种碳化硅和硅异质结沟槽逆导型IGBT-CN202210188969.0在审
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅和硅异质结沟槽逆导型IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，由底层到顶层依次为P+集电极区和N+集电极区、位于P+集电极区和N+集电极区上方的N+缓冲层、位于N+缓冲层上方的N漂移区，位于漂移区的上方的表面结构，所述P+集电极区的集电极接触为欧姆接触，N+集电极区的集电极接触为肖特基接触；所述N+集电极区使用碳化硅材料制成，所述P+集电极区、N+缓冲层、N漂移区、表面结构均使用硅材料制成。设计除了N+集电极区由碳化硅材料制成，其余区域都由硅材料制成，且N+集电极区的集电极接触为肖特基接触，利用碳化硅肖特基结压降较高的特性，消除电压折回现象。
一种碳化硅硅异质结沟槽逆导型 igbt

[发明专利]一种碳化硅和硅异质结低功耗沟槽型IGBT-CN202210156675.X在审
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅和硅异质结低功耗沟槽型IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，其由底层到顶层依次为P+集电极、位于P+集电极上方的N+缓冲层B、位于N+缓冲层B上的N+缓冲层A、位于N+缓冲层A上的N漂移区、位于N漂移区的上方的表面结构；所述P+集电极、N+缓冲层B均使用硅材料制成，所述N+缓冲层A、N漂移区、表面结构均使用碳化硅材料制成。设计N+缓冲层A以上的部分由碳化硅材料制成，N+缓冲层B及以下的部分由硅材料制成，这样，漂移区部分利用碳化硅的高击穿电压特性，集电极部分利用硅材料的高注入效率，缓冲层利用异质结界面缺陷加快载流子复合，使得IGBT具有超低的导通和关断损耗。
一种碳化硅硅异质结低功耗沟槽 igbt

[发明专利]一种碳化硅和硅异质结低功耗IGBT-CN202210156677.9在审
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅和硅异质结低功耗IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，其由底层至顶层依次为P+集电极、位于P+集电极上方的N+缓冲层B、位于N+缓冲层B上方的N+缓冲层A、位于N+缓冲层A上方的N漂移区、位于漂移区的上方的表面结构；所述P+集电极、N+缓冲层B均使用硅材料制成，所述N+缓冲层A、N漂移区、表面结构均使用碳化硅材料制成。设计N+缓冲层A以上的部分由碳化硅制成，N+缓冲层B及以下的部分由硅材料制成，这样，漂移区部分利用碳化硅的高击穿电压特性，集电极部分利用硅材料的高注入效率，缓冲层利用异质结界面缺陷加快载流子复合，使得IGBT具有超低的导通和关断损耗。
一种碳化硅硅异质结低功耗 igbt

[发明专利]一种半导体铝合金零部件清洗装置-CN202210025634.7有效
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;龙安泽;曹金星;杜陈;应艳阳 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明涉及零部件清洗技术领域，具体涉及一种半导体铝合金零部件清洗装置，包括壳体一与壳体二，所述壳体一与壳体二侧面相互接触，且壳体一与壳体二弧形侧面底部通过铰链转动连接，所述壳体一与壳体二内侧面两侧均固定连接有橡胶片，且同一侧的两个橡胶片相互接触，所述橡胶片内侧面固定连接有橡胶条，且同一侧的两个橡胶条相互接触。本发明中，通过橡胶片内侧面固定连接有橡胶条，可以将壳体一与壳体二合围在零件的一部分上，并使橡胶片与橡胶条挡在壳体一与壳体二一侧，这时在清洗零件时，可以避免水流到设备其他零件上，这样可以不需要将零件拆下进行清理，清理较为简单，有利于节约时间，保证半导体的生产可以顺利进行。
一种半导体铝合金零部件清洗装置

[发明专利]一种用于半导体的切割装置-CN202210025656.3有效
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;龙安泽;曹金星;杜陈;应艳阳 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体切割技术领域，具体涉及一种用于半导体的切割装置，包括底板，所述底板的顶面固连有循环机构，所述循环机构包括两个工架，所述工架的底面与底板之间固连有支撑架，两个所述工架的四个顶角之间均固连有限位板一。本发明中，通过承载板和两个激光发射组件的设置，使激光发射组件的移动方向与承载板移动方向垂直，通过承载板与激光发射组件相互垂直移动的配合，使得激光发射组件能对物料进行复杂形状的切割，通过承载板的底面和顶面均能吸附固定物料，实现一次对两块物料进行加工，增加效率，通过移动机构一和移动机构二的设置，移动机构一与移动机构二在循环机构上循环移动，从而减少激光发射组件的等待时间，进一步增加效率。
一种用于半导体切割装置

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