[发明专利]包含多晶硅的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810001510.5 | 申请日： | 2008-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101217157A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 鲜于文旭;李正贤;裴炯轸;朴永洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/861;H01L29/872;H01L21/329;H01L21/20;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;邱玲 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包含多晶硅(poly－Si)的半导体器件及该半导体器件的制造方法。该半导体器件包括TaNx材料层以及形成在TaNx材料层上的poly－Si层。可通过如下步骤来制造包含poly－Si的半导体器件：形成TaNx材料层；通过在TaNx材料层上沉积硅并对硅进行退火来形成poly－Si层。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 多晶 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包含多晶硅的半导体器件，所述器件包括：TaNx材料层；多晶硅层，在TaNx材料层上。
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