[发明专利]半导体结构及金属氧化物半导体元件有效
| 申请号： | 200710136601.5 | 申请日： | 2007-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101211964A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡邦彥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/38 | 分类号： | H01L29/38;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及金属氧化物半导体元件，该半导体结构包括一第一复合层、一第二复合层和一第三复合层。第一复合层包括一元素和一第一掺杂物，其中第一掺杂物具有第一掺杂物浓度；第二复合层包括该元素和一第二掺杂物，其中第二掺杂物的导电型态和第一掺杂物的导电型态相同，第二掺杂物具有第二掺杂物浓度且位于第一复合层上；第三复合层包括该元素和第三掺杂物，其中第三掺杂物的导电型态和第一掺杂物的导电型态相同，第三掺杂物具有第三掺杂物浓度；第三复合层位于第二复合层上，且第二掺杂物浓度大体上低于第一掺杂物浓度和第三掺杂物浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 金属 氧化物 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一第一复合层，包括一元素和一第一掺杂物，其中该第一掺杂物具有第一掺杂物浓度；一第二复合层，包括该元素和一第二掺杂物，其中该第二掺杂物的导电型态和该第一掺杂物的导电型态相同，该第二掺杂物具有第二掺杂物浓度，且该第二复合层位于该第一复合层上；及一第三复合层，包括该元素和一第三掺杂物，其中该第三掺杂物的导电型态和该第一掺杂物的导电型态相同，该第三掺杂物具有第三掺杂物浓度，该第三复合层位于该第二复合层上，且该第二掺杂物浓度大体上低于该第一掺杂物浓度和该第三掺杂物浓度。
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