[发明专利]半导体发光器件和半导体发光器件组装体无效
| 申请号： | 200710007343.0 | 申请日： | 2007-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101009351A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 伊藤靖;名田直司 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L25/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种能又防止发光特性随时间经历而劣化、又使出光效率提高的半导体发光器件。在LED片(2)与罩盖(52)之间，设置屏蔽膜(51)。抑制LED片(2)与罩盖(52)之间的元素移动，避免LED片(2)内的金属元素(p型电极(25)和热传导性粘接剂(33)中包含的金属元素)与罩盖(52)内的硫或卤素的反应。当屏蔽膜(51)的折射率满足规定条件式时，LED片2与罩盖部(52)之间的折射率差得到缓解，从而减小从LED片(2)往外部时的菲涅耳反射。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 组装 | ||
【主权项】：
1、一种半导体发光器件，其特征在于，具有包含金属元素的半导体发光元件；由包含硫(S)或卤素且同时还能透射来自所述半导体发光元件的光的材料组成的罩盖部；以及设置在所述半导体发光元件与所述罩盖部之间、并使来自所述半导体发光元件的光穿透所述罩盖部而且同时还使所述半导体发光元件侧与所述罩盖部侧之间屏蔽的屏蔽膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社，未经索尼株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710007343.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：温热理疗仪顶盖
- 下一篇：具有麦克风阵列的电子装置
