[发明专利]形成半导体装置的隔离结构的方法无效
| 申请号： | 200710005381.2 | 申请日： | 2007-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN101026123A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 金相德;朴宝旻 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成半导体装置的隔离结构的方法，包含在半导体基板上形成隔离沟槽。在隔离沟槽和基板上，形成第一绝缘层。在第一绝缘层上，形成旋布电介质(SOD)绝缘层，SOD绝缘层填充隔离沟槽且在隔离沟槽的上层之上延伸。移除提供在隔离沟槽之中的SOD绝缘层，以曝露隔离沟槽的上部，其中隔离沟槽的下部保持填充有SOD绝缘层。在填充隔离沟槽的下部的SOD绝缘层上，形成第二绝缘层，其中第二绝缘层填充隔离沟槽的上部。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 装置 隔离 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体装置的隔离结构的方法，该方法包含：在半导体基板上形成隔离沟槽；在所述隔离沟槽和基板上，形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上，形成旋布电介质绝缘层，该旋布电介质绝缘层填充隔离沟槽且在隔离沟槽的上层之上延伸；移除提供在隔离沟槽之中的旋布电介质绝缘层，以曝露隔离沟槽的上部，其中隔离沟槽的下部保持以旋布电介质绝缘层填充；及在填充隔离沟槽的下部的旋布电介质绝缘层上，形成第二绝缘层，其中第二绝缘层填充隔离沟槽的上部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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