[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610163649.0 | 申请日： | 2006-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1976014A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 川野连也;副岛康志;高桥信明;栗田洋一郎;小室雅宏;松井聪 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/538;H01L25/065;H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;黄启行 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括：互连构件，第一半导体芯片，第二半导体芯片，树脂层，无机绝缘层和通孔电极。第一半导体芯片以面向下的方式安装在互连构件上。树脂层覆盖第一半导体芯片的侧表面。无机绝缘层与第一半导体芯片的后表面接触，且直接覆盖该后表面。而且，无机绝缘层在树脂层之上延伸。通孔电极穿过无机绝缘层和第一半导体芯片的半导体衬底。以面向下的方式在无机绝缘层上安装第二半导体芯片，该无机绝缘层覆盖最上层中的第一半导体芯片的背表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：形成互连构件；以面向下的方式在所述互连构件上安装具有半导体衬底的第一半导体芯片；在所述互连构件上形成树脂层，以覆盖所述第一半导体芯片的侧表面；减薄所述第一半导体芯片和所述树脂层；在所述第一半导体芯片的后表面上形成无机绝缘层，以与所述后表面接触并且在所述树脂层之上延伸；和形成通孔电极以穿过所述无机绝缘层和所述半导体衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610163649.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
