[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200610146404.7 | 申请日： | 2006-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN1967873A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 星崎博之;古田博伺 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L27/12;H01L23/522;H01L23/367 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，具有在绝缘体上的半导体层上形成的场效应晶体管，包括：漏电极配线，形成在场效应晶体管的漏极区上；源电极配线，形成在场效应晶体管的源极区上；第一接触插塞，连接漏极区和漏电极配线；以及第二接触插塞，连接源极区和源电极配线，第二接触插塞的数量大于第一接触插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具有在绝缘体上的半导体层上形成的场效应晶体管，包括：漏电极配线，形成在场效应晶体管的漏极区上；源电极配线，形成在场效应晶体管的源极区上；第一接触插塞，连接漏极区和漏电极配线；以及第二接触插塞，连接源极区和源电极配线，第二接触插塞的数量大于第一接触插塞。
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