[发明专利]压合装置、压合方法、以及半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 200610146346.8 申请日: 2006-11-10
公开(公告)号: CN1964011A 公开(公告)日: 2007-05-16
发明(设计)人: 高桥秀和;楠本直人 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/603 分类号: H01L21/603;H01L21/00;H01L21/66;G06K19/077
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的技术方案是:在压力检测薄膜上设置衬底;在衬底上选择性地设置元件组,以使提供在衬底上且用作天线的导电膜与提供在元件组且用作凸块的导电膜重叠;通过施加压力压合衬底和元件组,使形成在衬底上的导电膜和提供在元件组且用作凸块的导电膜电连接;以及当压合时,通过由压力检测薄膜检测施加到元件组的压力值和压力分布,并且基于检测的压力值和压力分布来控制当压合时施加的压力。
搜索关键词: 装置 方法 以及 半导体器件 制造
【主权项】:
1.一种压合方法,包括:在压力检测薄膜上设置衬底;在所述衬底上设置元件组,以使形成在所述衬底上的第一导电膜与所述元件组的第二导电膜彼此重叠;压合所述衬底和所述元件组,以使形成在所述衬底上的所述第一导电膜和所述元件组的所述第二导电膜彼此电连接;当压合时,由所述压力检测薄膜检测施加到所述元件组的压力值和压力分布;以及基于所述检测的压力值和压力分布控制在所述检测后给所述元件组施加的压力。
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