[发明专利]用于制造半导体器件的光刻工艺的方法有效
| 申请号： | 200610074166.3 | 申请日： | 2006-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1845009A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 林水典;卢欣荣;罗益全 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;郑特强 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于制造半导体器件的光刻工艺的方法。该方法包括如下步骤：定义一光刻掩模的测试临界尺寸目标；测量一掩模临界尺寸；比较掩模临界尺寸和该测试临界尺寸目标，并据以决定一临界尺寸误差；依据该临界尺寸误差决定一光刻光基准能量；以及依据该光刻光基准能量曝光一晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 光刻 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的光刻工艺的方法，该方法包括如下步骤：定义一光刻掩模的测试临界尺寸目标；测量一掩模临界尺寸；比较该掩模临界尺寸和该测试临界尺寸目标，并根据所述比较决定一临界尺寸误差；依据该临界尺寸误差决定一光刻光基准能量；以及依据该光刻光基准能量曝光一晶片。
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