[发明专利]热处理装置有效

专利信息
申请号: 200480003856.9 申请日: 2004-02-06
公开(公告)号: CN1748268A 公开(公告)日: 2006-03-15
发明(设计)人: 上野裕人 申请(专利权)人: 福泰克炉业株式会社
主分类号: H01F41/18 分类号: H01F41/18;H01F41/22;C21D1/04;F27B14/16;F27D3/12;H01L43/08;H01L43/12
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 陈伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的热处理装置,在处理对象被热处理的区域中的由磁场产生装置(20)产生的磁场的方向和向热处理容器(2)中输送处理对象的输送装置(10)的输送方向相互平行,而且,相对于热处理装置整体的水平方向平行,上述处理对象配置为其主面在热处理区域中与磁场产生装置(20)产生的磁场的方向相平行,进行热处理。热处理装置通过使用小型的螺线管型磁铁(空芯线圈),将磁场产生装置的结构简单化,由此,可以节省装置重量、高度,设置面积可以保持与原来的相同程度,可以设置在通常的无尘室中,而且,和以往相比,可以大量地处理大型的处理对象。
搜索关键词: 热处理 装置
【主权项】:
1.一种热处理装置,具有保持处理对象的保持装置、收纳被保持装置保持的处理对象的热处理容器、将上述保持装置和上述处理对象一同向上述热处理容器中输送的输送装置、加热处理对象的加热装置、向上述处理对象施加磁场的磁场产生装置,其特征在于,在上述处理对象被热处理的区域中的由上述磁场产生装置产生的磁场的方向与将上述处理对象向热处理容器中输送的上述输送装置的输送方向相互平行,而且,相对于上述热处理装置整体的水平方向平行,上述处理对象配置为其主面在热处理区域中与由上述磁场产生装置产生的磁场的方向相平行,进行热处理。
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  • 王晓姹 - 天津理工大学
  • 2011-09-28 - 2012-02-22 - H01F41/18
  • 一种取向生长的铁掺杂氮化钛铁磁性薄膜的制备方法,采用超高真空三靶共沉积磁控溅射镀膜机制备,本步骤如下:1)在镀膜机对向的靶头上安装一对Ti靶,在Ti靶的表面固定Fe片;2)将玻璃基底安装在对向靶连线的中垂线上;3)对溅射室抽真空;4)向真空室通入Ar和N2的混合气体;5)开启溅射电源,在一对Ti靶上施加电流和电压;6)打开挡板溅射镀膜;7)镀膜结束后停止溅射,继续抽真空,关闭真空系统,冷却后充入氮气,即可制得的目标产品。本发明的优点是:该薄膜材料同时具备室温铁磁性和半导体两种属性,在电子学器件上具有潜在的应用价值;该制备方法工艺简单、易于实施,靶材使用率高、生产成本低,适于大规模推广应用。
  • 一种氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料的制备方法-200910049021.1
  • 林文松 - 上海工程技术大学
  • 2009-04-09 - 2009-12-09 - H01F41/18
  • 本发明属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域,具体涉及一种氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料的制备方法。该方法包括如下步骤:1)采用反应磁控溅射方法在衬底上交替沉积ZnO和Zn3N2薄层,制备ZnO/Zn3N2多层膜;2)将ZnO/Zn3N2多层膜在含有氧气的气氛下进行退火处理,完成制备氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料。本发明采用磁控溅射法制备ZnO/Zn3N2多层膜,结合热氧化退火工艺,可以制备具有c轴择优取向的氮掺杂ZnO稀磁半导体。采用X射线衍射分析(XRD)、霍尔效应测试和超导量子干涉仪(SQUID)磁强计对最后得到的样品薄膜的测试结果表明,本发明获得的氮掺杂ZnO具有c轴择优取向特点、具有p型半导体的特征,并具有铁磁效应。
  • 热处理装置-200480003856.9
  • 上野裕人 - 福泰克炉业株式会社
  • 2004-02-06 - 2006-03-15 - H01F41/18
  • 本发明的热处理装置,在处理对象被热处理的区域中的由磁场产生装置(20)产生的磁场的方向和向热处理容器(2)中输送处理对象的输送装置(10)的输送方向相互平行,而且,相对于热处理装置整体的水平方向平行,上述处理对象配置为其主面在热处理区域中与磁场产生装置(20)产生的磁场的方向相平行,进行热处理。热处理装置通过使用小型的螺线管型磁铁(空芯线圈),将磁场产生装置的结构简单化,由此,可以节省装置重量、高度,设置面积可以保持与原来的相同程度,可以设置在通常的无尘室中,而且,和以往相比,可以大量地处理大型的处理对象。
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