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[发明专利]软磁性多层件沉积设备、制造磁性多层件的方法和磁性多层件-CN201880043721.7有效
发明人： C.V.法卢布;M.布莱斯 -专利权人：瑞士艾发科技
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：软磁性材料多层件沉积设备包括位于真空运输室(3)的圆形内部空间中的大量基板载体(11)的圆形布置。在操作中，基板载体(11)经过处理站(17A、17B)。处理站(17A)中的一个具有由第一软磁性材料组成的溅镀靶(TA)。第二处理站(17B)包括由与第一个所提到的靶(TA)的第一软磁性材料不同的第二软磁性材料组成的靶(TA)。控制基板载体(11)相对于处理站(17A、17B)的相对移动的控制单元(23)提供大量基板载体(11)环绕真空运输室(3)的圆形内部空间的轴线AX的不止一次360°转动，而第一和第二处理站(17A、17B)是持续可操作的。
磁性多层沉积设备制造方法

[发明专利]一种高矫顽力软硬磁复合铁氧体薄膜材料及其制备方法-CN202211368120.8在审
发明人：郑辉;谢斌;郑鹏;郑梁;张阳 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：一种高矫顽力高剩磁比复合铁氧体薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：(1)制备BaFe9Al3O19铁氧体靶材；(2)用脉冲激光沉积法在Al2O3(000l)基片上沉积非晶态BaFe9Al3O19铁氧体薄膜；(3)将上述生长的非晶态BaFe9Al3O19铁氧体薄膜放置马弗炉中进行退火，促使形成BaFe2O4和BaFe9Al3O19复合铁氧体薄膜。本发明通过固相法进行Al离子掺杂制备致密性良好的六角铁氧体靶材，并选用脉冲激光沉积技术沉积薄膜，通过控制薄膜的生长条件，实现BaFe2O4和BaFe9Al3O19复合的薄膜，充分发挥软硬磁复合的特点，提高了铁氧体薄膜的磁性能，最终制备出c轴面外取向且具有高矫顽力特征的复合铁氧体薄膜材料。其特征在于，矫顽力大于1.83T，剩磁比达到93％，在自偏置微波器件和磁记录领域具有良好的应用前景。
一种矫顽力软硬复合铁氧体薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种铁磁/氧化物多层膜的制备方法及铁磁/氧化物多层膜-CN202110538469.0有效
发明人：徐秀兰;黄意雅;张辉;江勇;于广华 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：本申请提供的铁磁/氧化物多层膜的制备方法，对Ta和Co40Fe40B20的表面进行清洗，在基片上依次沉积所述Ta2O5、Ta、Co40Fe40B20、MgO及Ta，从而形成Ta2O5/Ta/Co40Fe40B20/MgO/Ta的薄膜体系，在真空环境下，对所述薄膜体系进行热处理，重复上述步骤得到所述铁磁/氧化物多层膜，本申请提供的铁磁/氧化物多层膜的制备方法，通过在多层膜最底层插入同质氧化物来达到减弱原子扩散的目的，可以有效调控多层膜界面氧迁移程度的变化，获得适度且有益的Fe‑O轨道杂化状态，从而优化CoFeB/MgO界面处Fe 3d和O 2p轨道耦合作用，导致了很好的垂直磁各向异性热稳定性，上述制备工艺简单、控制方便、效率高、成本低等优点。
一种氧化物多层制备方法

[发明专利]一种非本征二维复合磁性材料、制备方法及应用-CN202111269911.0有效
发明人：李渊;邓瑶;苏建伟;翟天佑 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种非本征二维复合磁性材料、制备方法及应用，属于二维材料制备领域。所述方法包括：在基底上生长磁性薄膜，退火使其形成磁性纳米颗粒；利用化学气相沉积法的方法将二维材料包覆在磁性纳米颗粒表面，形成曲面包覆结构，得到所述非本征二维复合磁性材料。该方法形成在室温下拥有磁性的非本征的复合二维材料，可以有效地控制材料尺寸，在非易失性磁性存储和谷‑自旋电子学器件方面具有巨大应用前景。由此解决二维本征磁性材料的磁性实现都在较低温的条件下；而传统的非本征的磁性并不能很好地达到想要的效果，并且制备方法复杂、制备条件苛刻的技术问题。
一种二维复合磁性材料制备方法应用

[发明专利]一种磁性薄膜、含有其的磁码组件以及制备方法-CN202211186162.X在审
发明人：徐秀兰;盖志豪;于广华 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：本发明涉及材料领域，具体涉及一种磁性薄膜、含有其的磁码组件以及制备方法。制备磁性薄膜的方法包括：采用磁控溅射沉积含有SrFe12O19的磁性材料，在大于500℃的条件下进行保温处理后，按1~5℃/min的速率降温至500℃，进行随炉冷却，得到磁性薄膜。在本发明中，采用的磁性薄膜材料为SrFe12O19，制备原料与制备方法简单，制备出的产品相一致性佳，同时制备出的薄膜具有高的矫顽力和高的剩磁比，而进一步地研究发现，本发明能在沉积后采用大于500℃的条件下进行保温后，采用随炉降温方式，在提高矫顽力和剩磁比的同时，又提高退火设备的利用率。
一种磁性薄膜含有组件以及制备方法

[发明专利]一种磁性Fe@Mn核壳结构纳米线及其制备方法-CN202210232344.X在审
发明人：吴开明;曹晓明 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性Fe@Mn核壳结构纳米线及其制备方法。其技术方案是：用串列加速器产生的32S离子束对聚对苯二甲酸乙二醇酯膜辐照，依次进行第一次化学蚀刻、电沉积Fe纳米线和第二次蚀刻扩孔；再采用恒电压电沉积的方法，在载有Fe纳米线的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的孔隙内用恒电压直流方式进行电沉积Mn，用稀HCl清洗，共循环3～4次，制得载有磁性Fe@Mn核壳纳米线的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜；然后在二氯甲烷中浸泡，用去离子水洗涤，制得磁性Fe@Mn核壳结构纳米线。本发明工艺简单和操作性强，所制备的磁性Fe@Mn核壳结构纳米线具有形貌尺寸均匀一致、长径比能在大范围内调节、Mn壳层厚度均匀可调、壳层结构分明和性能稳定的特点。
一种磁性 fe mn 结构纳米及其制备方法

[发明专利]一种优化钴基磁性薄膜电感材料磁性能的方法-CN202011120297.7有效
发明人：徐秀兰;于广华;冯春 -专利权人：山东麦格智芯机电科技有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种优化钴基磁性薄膜电感材料磁性能的方法，属于信息存储及电感技术领域。本发明技术方案通过将沉积完毕后的样品在真空环境下，进行适当温度的热处理，诱发其界面结构的改变。通过界面处的Co‑O轨道杂化强弱来调节铁磁/非磁(Co基软磁材料/MO)界面处的轨道结构，得到有益的、适度的Co‑O轨道杂化状态，进而调控铁磁薄膜材料磁性能，具有工艺简单、控制方便、效率高、成本低等优点，适合应用于未来信息存储和电感技术中。
一种优化磁性薄膜电感材料方法

[发明专利]室温磁热材料及其制备方法-CN202111462601.0在审
发明人：郭振刚;刘志锋;张博;杨发松 -专利权人：天津城建大学
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种室温磁热材料及其制备方法。所述室温磁热材料的制备方法包括：步骤一：采用磁控溅射沉积技术在基底上制备Gd5Si2Ge2合金薄膜；步骤二：采用磁控溅射沉积技术，在Gd5Si2Ge2合金薄膜上制备Ni50Mn37Sb13合金薄膜，获取由GdSiGe/NiMnSb合金薄膜复合成的第一复合薄膜材料；步骤三：采用磁控溅射沉积技术，在所述第一复合薄膜材料的表面制备Ni50Mn37Sn13薄膜，获取由GdSiGe/NiMnSb/NiMnSn合金薄膜复合成的第二复合薄膜材料；步骤四：采用磁控溅射沉积技术，在所述第二复合薄膜材料的表面制备Ni50Mn35In15薄膜，以获取由GdSiGe/NiMnSb/NiMnSn/NiMnIn合金薄膜复合成的室温磁热材料。本发明提供的室温磁热材料的制备方法简单易操作，具有实用价值，且该复合材料成本低廉，环境友好无污染。
室温材料及其制备方法

[发明专利]磁性薄膜叠层的沉积方法、磁性薄膜叠层及微电感器件-CN201610929057.9有效
发明人：杨玉杰;丁培军;张同文;夏威;王厚工 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性薄膜叠层的沉积方法、磁性薄膜叠层及微电感器件，该沉积方法包括以下步骤：S1，在待加工工件上沉积粘附层；S2，沉积磁性/隔离单元；磁性/隔离单元包括至少一对交替设置的磁性膜层和隔离层。本发明提供的磁性薄膜叠层的沉积方法，可以增大磁性薄膜叠层的总厚度，从而可拓宽由其制备所得的电感器件的应用频率范围。
磁性薄膜沉积方法电感器件

[发明专利]一种利用活泼金属氧化物优化钴基薄膜电感材料磁性能的方法-CN202011120360.7有效
发明人：徐秀兰;于广华;冯春 -专利权人：广东麦格智芯精密仪器有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用活泼金属氧化物优化钴基薄膜电感材料磁性能的方法，属于信息存储及电感技术领域。本发明选择由较活泼金属构成的离子型氧化物作为阻隔层，并采用轨道杂化工程来实现薄膜软磁性能的控制，得到有益的、适度的Co‑O轨道杂化状态，进而优化铁磁薄膜材料磁性能。离子型氧化物化学键能低，活泼性强，相较于Al金属而言，更活泼的金属Hf或Mg较易从Co中夺取O，使得界面氧化状态呈现不同程度的欠氧、适氧、过氧，增加了调节的范围和可控性，因而可以使得Co‑O的轨道杂化状态向适度改变，从而引起Co基软磁材料/MO磁性能的改变，具有工艺简单、控制方便、效率高、成本低等优点，适合应用于未来信息存储和电感技术中。
一种利用活泼金属氧化物优化薄膜电感材料磁性方法

[发明专利]基于范德瓦尔斯外延制备柔性铁磁性金属薄膜的方法-CN202110985312.2在审
发明人：江奕天;尹志岗;张兴旺;吴金良 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：本发明提供一种基于范德瓦尔斯外延制备柔性铁磁性金属薄膜的方法，包括：解理氟金云母，得到氟金云母衬底，其中，氟金云母衬底包括F‑Mica(001)，氟金云母衬底的新鲜解理面用于外延生长；将氟金云母衬底置于磁控溅射仪的沉积室内；采用射频磁控溅射方式将金属元素沉积到新鲜解理面上，其中，射频磁控溅射时沉积室内温度为600～700℃。本发明操作方法简单，易于实现大面积生长制备；将柔性自支撑铁磁性金属薄膜外延生长在氟金云母衬底上，衬底与薄膜之间只存在弱的范德瓦尔斯相互作用，晶格失配对单晶薄膜质量的影响大大降低，能得到高质量的单晶铁磁性金属薄膜。
基于瓦尔外延制备柔性铁磁性金属薄膜方法

[发明专利]磁性膜的形成方法和磁存储元件的制造方法-CN201980001803.X有效
发明人：吴承俊;森田正;野末龙弘 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：本发明提供磁性膜的形成方法，其包括：将靶材进行溅射而在成膜对象上形成非晶态的磁性膜(S12)，该靶材以选自由Mn3Sn、Mn3Ge和(Mn1‑xFex)Ge组成的组中的任意一种作为主成分；以及对非晶态的磁性膜进行加热，使非晶态的磁性膜结晶化(S13)。结晶化包括将非晶态的磁性膜在225℃以上400℃以下的温度进行加热。
磁性形成方法存储元件制造

[发明专利]垂直磁各向异性增强的Fe基多层薄膜-CN201810888671.4有效
发明人：吴华疆 -专利权人：泉州凯华新材料科技有限公司
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直磁各向异性增强的Fe基多层薄膜，从内到外依次包括：Si基片、Fe3O4层、FeCo层、第一NdFeB层、第一FePt层、第二NdFeB层、金属Mn层以及第二FePt层，其中，Fe3O4层的厚度为10‑20nm，FeCo层的厚度为15‑25nm，第一NdFeB层的厚度为35‑50nm、第一FePt层的厚度为15‑25nm、第二NdFeB层的厚度为25‑45nm、金属Mn层的厚度为10‑20nm以及第二FePt层的厚度为20‑30nm。由于本发明独特的非对称式层结构，使得本发明的Fe基多层薄具有显著的垂直磁各项异性，同时在膜层厚度进行大幅度变化时，由于铁磁性原子之间的强化耦合的作用，本发明的复合膜层仍然能够保证大的垂直磁各项异性。本发明的复合膜层生产工艺要求宽松，生产效率高，生产成本低。
垂直各向异性增强 fe 基多薄膜

[发明专利]一种外延生长钇铁石榴石纳米薄膜的方法-CN201710070951.X有效
发明人：杨金波;付建波;王常生;刘顺荃;杜红林;韩景智 -专利权人：北京大学
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延生长具有垂直磁各向异性的钇铁石榴石纳米薄膜的方法，该方法首先在衬底上外延生长一缓冲层，然后在所述缓冲层上外延生长钇铁石榴石纳米薄膜。所述缓冲层为晶格常数介于衬底和钇铁石榴石之间的材料，如钐镓石榴石等。衬底可以采用掺杂替代的钆镓石榴石。进一步可以在所述钇铁石榴石纳米薄膜上再外延生长一层晶格常数大于钇铁石榴石的材料，以加大垂直方向的应变程度。本发明利用缓冲层克服了面内的应力驰豫问题，获得了较高的诱导磁各向异性，最终获得了具有垂直磁各向异性的高质量外延钇铁石榴石纳米薄膜。对于磁光器件，微波和自旋电子学器件的研究和应用具有重大的意义。
一种外延生长具有垂直各向异性铁石纳米薄膜方法

[发明专利]消除反常自旋重取向的非晶CoSiB厚膜及其制备方法-CN201710044602.0有效
发明人：王三胜;张玉 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：本发明涉及磁性薄膜制备技术领域，公开了一种消除反常自旋重取向的非晶CoSiB厚膜及其制备方法。本发明非晶CoSiB厚膜为(CoSiB/Ti)n/CoSiB纳米周期结构，每层CoSiB薄膜的厚度为100nm‑300nm，每层Ti薄膜的厚度为2‑8nm。本发明采用CoSiB强磁靶为溅射靶材，以射频磁控溅射的方式制备CoSiB薄膜；然后采用Ti靶材为溅射靶材，以直流磁控溅射的方式，在制得的CoSiB薄膜表面镀制Ti薄膜；反复交替生长，制备n>1的纳米周期结构。
制备薄膜非晶厚膜溅射靶材周期结构取向自旋射频磁控溅射直流磁控溅射制备技术领域薄膜表面磁性薄膜交替生长镀制强磁

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