[发明专利]微型倒装晶体管及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200410014834.4 申请日: 2004-05-01
公开(公告)号: CN1571150A 公开(公告)日: 2005-01-26
发明(设计)人: 王新潮;吴振江 申请(专利权)人: 江苏长电科技股份有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/495;H01L29/73;H01L21/331;H01L21/56
代理公司: 江阴市同盛专利事务所 代理人: 唐纫兰
地址: 214431江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种微型倒装晶体管及其制备方法,包括晶体管芯片1、引线框架2和塑封体3,其特点是晶体管芯片的集电极、基极、发射极三个电极都是从芯片同一表面引出,三个电极上均设置有微型凸起,晶体管芯片向下倒装,其表面的三个微型凸起电极与引线框架上相应的电极直接焊接。其制备方法为:在一高浓度N+单晶片上,做一层N型外延层,在集电极C引出部位下面,先进行高浓度N+磷预扩散,把N型外延层扩穿,使集电极C与N+衬底连通起来,再在外延层上先用B离子注入的方法做一个P型基区,同时形成集电结,然后在基区内一特定范围磷扩散,形成N+发射区及发射结,然后正面蒸铝,反刻铝形成发射极E,基极B。本发明的晶体管薄、小、轻,且有良好的电流特性及散热特性。
搜索关键词: 微型 倒装 晶体管 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种微型倒装晶体管,包括晶体管芯片(1)、引线框架(2)和塑封体(3),塑封体(3)将晶体管芯片(1)和引线框架(2)包覆住,晶体管芯片(1)上设置有集电极、基极、发射极三个电极,引线框架(2)上设置有相应的三个电极,其特征在于晶体管芯片(1)的集电极、基极、发射极三个电极都是从芯片(1)同一表面(11)引出,三个电极上均设置有微型凸起(12、13、14),晶体管芯片(1)向下倒装,其表面(11)的三个微型凸起电极(12、13、14)与引线框架(2)上相应的电极直接焊接。
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  • 梅田宗一郎;久德淳志 - 新电元工业株式会社
  • 2017-10-26 - 2023-10-20 - H01L23/48
  • 半导体装置包括:引线框,其一端部在封装部内与半导体元件的第二端子的上端面相接触,其另一端部从封装部露出;以及控制用导电性接合材料,其将半导体元件的第二端子的上端面与引线框的一端部之间接合且具有导电性。引线框的一端部包含:基准部;中间部,其相连于基准部且位于比基准部更靠近一端部的前端侧;以及倾斜部,其相连于中间部且位于一端部的前端的同时,具有从中间部向下方倾斜的形状,倾斜部以及中间部的上下方向的厚度比基准部的上下方向的厚度更薄。
  • 半导体装置-201780016796.1
  • 佐佐木光政 - 新电元工业株式会社
  • 2017-08-24 - 2023-10-20 - H01L23/48
  • 本实施方式的半导体装置1被安装在散热体上,其特征在于,包括:发热电子部件20;封装部30,用于封装发热电子部件20;引线构件40,具有:被封装部30封装的内引线部41、以及从封装部30露出的外引线部42;以及引线构件50,具有:被封装部30封装的内引线部51、以及从封装部30露出的外引线部52,其中,内引线部41具有:将从外引线部42传播的热量释放至散热体的散热端部41c、以及位于散热端部41c与外引线部42之间并且与发热电子部件20的主电极21电气连接的电气连接部41d。
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