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[发明专利]预通材料在各向异性导体中的使用-CN202010082415.3有效
发明人： M·E·塔特尔;J·F·克丁;O·R·费伊;中野永一;罗时剑 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请涉及预通材料在各向异性导体中的使用。一种半导体装置组合件具有第一衬底、第二衬底和各向异性导电膜。所述第一衬底包含第一多个连接器。所述第二衬底包含第二多个连接器。所述各向异性导电膜定位在所述第一多个连接器与所述第二多个连接器之间。所述各向异性导电膜具有电绝缘材料以及通过所述电绝缘材料横向分隔开的多个互连件。所述多个互连件形成从所述第一多个连接器延伸到所述第二多个连接器的导电通道。一种方法包含将所述多个互连件连接到所述第一多个连接器和所述第二多个连接器，使得所述导电通道可操作以将电从所述第一衬底传导到所述第二衬底。所述方法可包含通过所述多个互连件传送电流。
材料各向异性导体中的使用

[发明专利]微电子装置组合件和封装体以及相关方法和系统-CN202080081502.5在审
发明人： O·R·费伊;R·K·理查兹;A·U·利马耶;D·S·林;C·H·育;B·K·施特雷特;仲野英一;罗时剑 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：公开了一种微电子装置组合件，所述微电子装置组合件包括衬底，所述衬底具有暴露于其表面上的导体。两个或两个以上微电子装置堆叠在所述衬底上，每个微电子装置包括有源表面，所述有源表面具有可操作地耦接到导电迹线的接合衬垫，所述导电迹线在介电材料之上延伸到所述堆叠的至少一个侧面以外的通孔位置，并且通孔在所述通孔位置处延伸穿过所述介电材料，并且包括与所述两个或两个以上微电子装置中的每一个的所述导电迹线中的至少一些接触的导电材料，并且延伸到所述衬底的暴露导体。还公开了制造方法和相关电子系统。
微电子装置组合封装以及相关方法系统

[发明专利]具有多层囊封剂的半导体装置及相关联系统、装置与方法-CN201880077783.X在审
发明人： 罗时剑;J·S·哈克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置包含：衬底，其包含迹线，其中所述迹线突出在所述衬底的顶表面上方；预填充材料，其在所述衬底上方且在所述迹线之间，其中所述预填充材料直接接触所述迹线的外围表面；裸片，其经附接在所述衬底上方；及晶片级底部填充物，其在所述预填充材料与所述裸片之间。
具有多层囊封剂半导体装置相关联系方法

[发明专利]用于裸片接合期间的自对准的裸片特征-CN201910848580.2在审
发明人： B·K·施特雷特;周卫;C·J·甘比;J·S·哈克;罗时剑 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本申请案涉及用于裸片接合期间的自对准的裸片特征。半导体装置组合件包含具有第一侧及第二侧的衬底，所述第一侧具有至少一个虚设垫及至少一个电垫。所述半导体装置组合件包含具有第一侧及第二侧的第一半导体装置以及从所述第二侧延伸的至少一个电柱。所述电柱经由焊料连接到所述电垫以形成电互连件。所述半导体装置组合件包含从所述第一半导体装置的所述第二侧延伸的至少一个虚设柱及定位在所述虚设柱的一端与所述虚设垫之间的液体。所述液体的所述表面张力将所述虚设柱拉向所述虚设垫。所述表面张力可减少或最小化所述半导体装置组合件的翘曲及/或使所述虚设柱及所述虚设垫对准。
用于接合期间对准特征

[发明专利]半导体装置组合件和其制造方法-CN201910468632.3在审
发明人： 罗时剑 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本申请设计一种半导体装置组合件和其制造方法。一种半导体装置组合件，其包含连接所述半导体装置组合件的两个组件的热响应材料的第一元件。所述第一元件经配置以在第一确定的温度下向邻近组件施加力，以减少所述邻近组件中的一或两个的翘曲。所述第一元件可膨胀或收缩以施加所述力。所述半导体装置可包含连接两个组件的热响应材料的第二元件。所述第二元件可经配置以在第二预先确定的温度下膨胀或收缩。所述第二元件可经配置以施加与所述第一元件相比不同量的力。所述第二元件可经配置以施加与所述第一元件相比相反方向的力。所述第一元件和所述第二元件可经组合配置，以减少所述半导体装置组合件中一或多个组件的翘曲。
第一元件半导体装置第二元件组合件热响应材料配置施加翘曲收缩邻近预先确定组合配置组件施加可膨胀膨胀申请制造

[发明专利]具有改进热性能的堆叠式半导体裸片组合件及相关的系统及方法-CN201580012756.0有效
发明人：迈克尔·科普曼斯;罗时剑;戴维·R·亨布里 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本文揭示具有改进热性能的堆叠式半导体裸片组合件及相关的系统及方法。在一个实施例中，半导体裸片组合件可包含半导体裸片堆叠及导热外壳，所述导热外壳将所述半导体裸片堆叠至少部分封围于壳体内。封装衬底承载所述导热外壳，且插入物安置于所述导热外壳与所述半导体裸片堆叠之间。所述插入物的外围部分侧向延伸超过所述半导体裸片堆叠且耦合到插入于所述外围部分与所述封装衬底之间的多个传导构件。
具有改进性能堆叠半导体组合相关系统方法

[发明专利]包含绝热材料的半导体装置封装以及制作及使用此类半导体封装的方法-CN201380045685.5有效
发明人：史蒂文·格罗特斯;李健;罗时剑 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：半导体装置封装包括第一半导体装置，所述第一半导体装置包括位于其至少一个端上的热产生区域。第二半导体装置附着到所述第一半导体装置。所述热产生区域的至少一部分横向延伸超过所述第二半导体装置的至少一个对应端。绝热材料至少部分地覆盖所述第二半导体装置的所述端。形成半导体装置封装的方法包括将第二半导体装置附着到第一半导体装置。所述第一半导体装置包括在其一端处的热产生区域。所述热产生区域的至少一部分横向延伸超过所述第二半导体装置的一端。用绝热材料至少部分地覆盖所述第二半导体装置的所述端。
包含绝热材料半导体装置封装以及制作使用方法

[发明专利]具有多个热路径的堆叠半导体裸片组合件及相关联系统和方法-CN201280061833.8有效
发明人：史蒂文·K·赫罗特休斯;李健;张浩钧;保罗·A·西尔韦斯特里;李晓;罗时剑;卢克·G·英格兰德;布伦特·基思;贾斯普瑞特·S·甘地 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本文揭示具有多个热路径的堆叠半导体裸片组合件及相关联系统和方法。在一个实施例中，一半导体裸片组合件可包含布置成堆栈的多个第一半导体裸片和承载所述第一半导体裸片的第二半导体裸片。所述第二半导体裸片可包含向外侧向延伸超出所述第一半导体裸片的至少一个侧的外围部分。所述半导体裸片组合件可进一步包含在所述第二半导体裸片的所述外围部分处的热传递特征。所述第一半导体裸片可界定第一热路径，并且所述热传递特征可界定与所述第一半导体裸片分离的第二热路径。
具有多个热路径堆叠半导体组合相关联系方法

[发明专利]具有增强型热管理的半导体裸片组合件、包含所述半导体裸片组合件的半导体装置及相关方法-CN201280059990.5有效
发明人： 罗时剑;李晓;李健 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体裸片组合件，其包括在堆栈中的多个半导体裸片。另一半导体裸片邻近于所述堆栈并且具有一区域，所述区域可包括外围延伸越出所述堆栈的相对较高功率密度区域。传导元件在所述堆栈中的半导体裸片的和所述另一半导体裸片的集成电路之间延伸并且电互连所述堆栈中的半导体裸片与所述另一半导体裸片的集成电路。热柱插入于所述堆栈的半导体裸片之间，并且例如盖等热量耗散结构与所述堆栈的最上裸片及所述另一半导体裸片的所述高功率密度区域接触。还揭示其它裸片组合件、半导体装置及管理半导体裸片组合件内的热量传送的方法。
具有增强管理半导体组合包含装置相关方法

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