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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]凸块结构-CN202320818706.3有效
发明人：江俊纬;林咏胜;洪筠净 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请提供了一种凸块结构，包括：电子器件；第一金属层，位于所述电子器件上；第二金属层，位于所述第一金属层上；以及金属接合层，位于所述第二金属层上，其中，所述第一金属层在俯视图中的投影在所述金属接合层在所述俯视图中的投影内，从而提供一种稳定性能较好的凸块结构。
结构

[实用新型]封装结构-CN202223398247.2有效
发明人：江俊纬;洪筠净;林咏胜;许志渊 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本申请公开了一种封装结构，该封装结构包括：第一衬底，包括第一焊盘和容纳第一焊盘的第一绝缘层；第二衬底，包括位于第一焊盘下方的第二焊盘和容纳第二焊盘的第二绝缘层，其中，第一绝缘层接触第二绝缘层；补偿层，位于第一焊盘与第二焊盘之间，补偿层的配置为使第一焊盘与第二焊盘接合的第一接合温度在第一绝缘层的玻璃化温度点之上且在第一焊盘与第二焊盘的第二接合温度之下。上述技术方案至少能够解决现有的接合制程条件严苛导致良率下降的问题。
封装结构

[发明专利]半导体装置及其制造方法、半导体封装装置-CN202110599640.9在审
发明人：徐安萱;洪筠净;林咏胜;府玠辰 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及其制造方法、半导体封装装置。该半导体装置包括：基板；至少两个第一导电件，位于基板的第一区域，其中，至少两个第一导电件对应于至少两种不同的高度；绝缘材，设置于相邻的第一导电件之间。在本公开的半导体装置及其制造方法、半导体封装装置中，通过在基板上设置对应于至少两种不同的高度的至少两个第一导电件，能够在相对设置的两个半导体装置之间，利用较低的第一导电件之间的空间形成无电镀液的流动通道，从而在减小微流道宽度的同时保证微流道的空间大小，有利于提高混合接合的接合效果，进而提高产品良率。
半导体装置及其制造方法封装

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110461055.2在审
发明人：林咏胜;洪筠净;凃顺财;高金利 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：第一载板，具有位于第一表面上的第一导电柱；第二载板，具有与第一表面相对的第二表面，第二表面上具有第二导电柱；其中，第一导电柱的部分侧壁与第二导电柱的部分侧壁相对，并且通过化镀层与第二导电柱的部分侧壁接合，第一导电柱具有远离第一载板的第一端面，第一端面上的化镀层与第二载板的第二表面之间具有第一间隔。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体封装-CN202111304400.8在审
发明人：林咏胜;洪筠净;徐安萱;赖仲航 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体封装包含第一衬底、第一流通道和第二流通道。所述第一流通道在所述第一衬底上。所述第二流通道在所述第一衬底上且与所述第一流通道成流体连通。所述第二流通道与所述第一流通道的入口和出口间隔开。所述第一流通道和所述第二流通道构成所述第一衬底的结合区。
半导体封装

[发明专利]半导体封装和其制造方法-CN202011208697.3在审
发明人： 洪筠净;林咏胜;高金利 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体封装，所述半导体封装包含：第一衬底，所述第一衬底具有第一主动表面和从所述第一主动表面凹入的第一沟槽；第二衬底，所述第二衬底具有面向所述第一沟槽的第二沟槽；以及路径空腔，所述路径空腔由所述第一沟槽和所述第二沟槽限定。所述第一沟槽包括第一金属凸出部和第一绝缘凸出部。还公开了一种用于制造本文所述的半导体封装的方法。
半导体封装制造方法

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