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[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN202310473532.6在审
发明人： A·格拉斯曼;I·尼基廷 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体封装包括基板；布置于基板上的第一半导体管芯和第二半导体管芯；包封第一半导体管芯和第二半导体管芯的模制主体，该模制主体包括背离基板的第一外侧；多个至少部分穿过模制主体从第一外侧延伸到第一半导体管芯和/或第二半导体管芯的电连接器；布置于模制主体内的第一侧外侧上的沟槽中的多个镀敷导电轨道，导电轨道通过电连接器耦接到第一半导体管芯和/或第二半导体管芯。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装和包括半导体封装的半导体装置模块-CN202310193189.X在审
发明人： E·菲尔古特;I·尼基廷;A·费尔施勒;W·肖尔茨;B·施默尔泽 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本文公开了半导体封装和包括半导体封装的半导体装置模块。一种半导体封装(10；20；30)包括：管芯载体(11)，其包括第一主面和与第一主面相对的第二主面；半导体管芯(13)，其设置在管芯载体(11)上，半导体管芯(13)包括第一焊盘和第二焊盘；第一电连接器(14)，其设置在第一焊盘上；包封体(15；25；35)，其至少部分地覆盖半导体管芯(13)、管芯载体(11)和第一电连接器(14)；以及绝缘层(16；26；35A)，其设置在管芯载体(11)的第二主面上。
半导体封装包括装置模块

[发明专利]堆叠模块布置装置-CN202310079794.4在审
发明人： P·卢涅夫斯基;I·尼基廷;B·施默尔泽 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H05K1/14 文献下载
摘要：公开了一种堆叠模块布置装置，其包括：第一模制电子模块；第二模制电子模块；以及接口，第一模制电子模块和第二模制电子模块通过该接口以堆叠构造彼此物理连接和电连接。第一模制电子模块是具有至少40V的最大击穿电压和至少10A的最大DC电流的功率电子模块。
堆叠模块布置装置

[发明专利]用于电子装置的焊料停止特征-CN202211510349.0在审
发明人： I·尼基廷;A·阿尔特豪斯;P·舍尔;A·利斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01R4/02 文献下载
摘要：描述了用于电子装置的焊料停止特征。一种电子装置可以包括电绝缘衬底，所述电绝缘衬底上的金属化部，经由焊料接头附接到所述金属化部的第一主表面的金属结构，以及形成于所述金属化部的侧壁中的凹陷。所述凹陷与所述焊料接头的至少一部分相邻并且形成焊料停止件。所述金属结构的第一区段在垂直于所述金属化部的所述第一主表面的垂直方向上与所述金属化部和所述焊料接头都分隔开。所述凹陷在与所述金属化部共面的水平方向上的线性尺度至少是所述金属结构的第一区段在所述垂直方向上与所述金属化部的所述第一主表面分隔开的距离的两倍。描述了额外的焊料停止件实施例。
用于电子装置焊料停止特征

[发明专利]包括带有暴露的接触部的凹陷的半导体封装和半导体模块-CN202211126624.9在审
发明人： J·特罗伊;I·尼基廷;B·施默尔泽 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本文公开了一种半导体封装(10；20)，其包括：衬底(11)；设置在衬底(11)上的至少一个半导体管芯(12)；与半导体管芯(12)连接的至少一个电连接器(13)；覆盖衬底(11)、至少一个半导体管芯(12)并至少部分覆盖电连接器(13)的包封体(14)，包封体(14)包括形成到包封体(14)的主表面中的凹陷(14A)；其中，至少一个电连接器(13)在凹陷(14A)内暴露。
包括带有暴露接触凹陷半导体封装模块

[发明专利]分层减轻的嵌入式封装-CN202211114985.1在审
发明人： B·施默尔泽;I·尼基廷;E·菲尔古特;W·肖尔茨 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本文公开了一种半导体组件，该半导体组件包括：层压基板，其包括堆叠于彼此顶上的由电绝缘材料构成的多个层压层；半导体封装，其包括由电绝缘包封材料构成的封装体以及从封装体暴露的多个电接触部，其中，半导体封装嵌入在层压基板的层压层内，其中，半导体封装包括分层减轻特征，其中，分层减轻特征包括下述选项中的一者或两者：与层压层啮合的宏结构，以及增强半导体封装与层压层之间的粘附力的由微结构构成的粗糙化表面。
分层减轻嵌入式封装

[发明专利]具有按压配合触点的功率模块-CN202210881863.9在审
发明人： I·尼基廷;P·卢涅夫斯基 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本公开涉及具有按压配合触点的功率模块。一种用于形成半导体器件的方法包括：提供包括金属区的基板，在金属区的上表面上形成电绝缘材料的包封体，在包封体中形成开口，以及将按压配合连接器插入到开口内，其中，在将按压配合连接器插入到开口内之后，按压配合连接器被牢固地保持到基板，并且按压配合连接器的接口端是电气可触及的。
具有按压配合触点功率模块

[发明专利]具有从模制主体暴露的键合线环的半导体模块及其制造方法-CN202210461549.5在审
发明人： I·尼基廷;P·卢涅夫斯基 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本公开内容涉及具有从模制主体暴露的键合线环的半导体模块及其制造方法。一种半导体模块包括：衬底；布置在衬底上的半导体管芯；至少一个第一键合线环，其中，第一键合线环的两端布置在半导体管芯的第一电极上并且耦合到半导体管芯的第一电极；以及包封半导体管芯的模制主体，其中，至少一个第一键合线环的顶部从模制主体的第一侧暴露。
具有主体暴露键合线环半导体模块及其制造方法

[发明专利]具有用于增加爬电距离的模制台阶的模制半导体模块-CN202210140748.6在审
发明人： O·M·克赖特尔;L·布施;A·恩韦尔加;邱美芬;何恬诗;E·克利;K·M·顾;S·K·穆鲁甘;M·宁多夫;I·尼基廷;B·施蒂勒;T·施特克;段珂颜 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体模块，包括：具有较厚和较薄部分的双规格引线框架，所述较薄部分的部分形成高电压引线；附接到较厚部分的半导体管芯；以及包封管芯的模制化合物(MC)。较厚的引线框架部分设置在MC的底侧。MC的侧面在高电压引线和较厚的引线框架部分之间具有台阶区域。台阶区域的第一大致垂直部分从高电压引线延伸至大致水平部分，台阶区域的大致水平部分延伸至第二大致垂直部分，并且台阶区域的第二大致垂直部分延伸至MC的底侧。从第一大致垂直部分到第二大致垂直部分测量的大致水平部分的线性尺寸至少为4.5mm。
具有用于增加距离台阶半导体模块

[发明专利]使用冷却流体冷却并且包括屏蔽层的封装体-CN201710862319.9有效
发明人： A·格拉斯曼;W·哈布莱;J·赫格尔;I·尼基廷;A·施特拉斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：公开了一种封装体(100)，其包括至少一个电子芯片(102)、包封所述至少一个电子芯片(102)的至少一部分的包封材料(104)以及位于所述包封材料(104)的外表面的至少一部分上的屏蔽层(106)，所述屏蔽层被配置用于将所述封装体(100)的内部与用于从所述至少一个电子芯片(102)去除热能的冷却流体屏蔽开。
使用冷却流体并且包括屏蔽封装

[发明专利]具有金属基板的功率模块-CN202110718273.X在审
发明人：李五湖;R·黑尔维希;O·霍尔菲尔德;M·迈尔;I·尼基廷 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种形成功率半导体模块的方法包括：提供平面片状金属的基板；在所述基板的上表面中形成通道，所述通道部分地延伸穿过所述基板的厚度并在所述基板中限定出多个岛；在所述岛中的第一个岛上安装第一半导体管芯；形成包封体的模制主体，所述模制主体覆盖所述基板、填充所述通道并包封所述半导体管芯；在所述模制主体中形成孔并且在所述孔下方的所述基板的所述上表面中形成凹陷；以及将按压配合连接器布置在所述孔中，并且在所述按压配合连接器的内端和所述基板之间形成机械和电连接。
具有金属功率模块

[发明专利]功率半导体模块-CN202110689821.0在审
发明人： M·宁多夫;L·布施;O·M·克赖特尔;C·诺伊吉尔格;I·尼基廷 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：一种功率半导体模块，包括：引线框，具有第一管芯焊盘、与所述第一管芯焊盘分离的第二管芯焊盘、形成为所述第一管芯焊盘的延伸部的第一电源引线、与所述第一管芯焊盘和所述第二管芯焊盘分离的第二电源引线、以及形成为所述第二电源引线的延伸部且与所述第二管芯焊盘并排的第一连接区域。第一多个功率半导体管芯附接到所述第一管芯焊盘并且并联电耦合。第二多个功率半导体管芯附接到所述第二管芯焊盘并且并联电耦合。第一电连接在第一方向上在所述第一多个功率半导体管芯和所述第二管芯焊盘之间延伸。第二电连接在所述第一方向上在所述第二多个功率半导体管芯和所述第一连接区域之间延伸。
功率半导体模块

[发明专利]用于半导体封装件的间隔体框架-CN202110747395.1在审
发明人： I·尼基廷 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：一种在半导体封装件生产期间进行框架处理的方法包括：提供引线框架，所述引线框架具有通过第一系杆固定到所述引线框架的外围的引线；提供多规格间隔体框架，所述多规格间隔体框架具有通过第二系杆固定到所述间隔体框架的外围的间隔体，所述间隔体比所述第二系杆厚；以及使所述多规格间隔体框架与所述引线框架对准，使得所述多规格间隔体框架的所述间隔体和所述第二系杆不接触所述引线框架的所述引线。还描述了一种功率半导体模块以及一种组装功率半导体模块的方法。
用于半导体封装间隔框架

[发明专利]半导体管芯的前侧或背侧互连的附加制造-CN202110067783.5在审
发明人： E·菲尔古特;I·埃舍尔-珀佩尔;M·格鲁贝尔;I·尼基廷;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于制造半导体管芯封装的方法(100)，该方法包括：(110)提供半导体晶体管管芯，该半导体晶体管管芯可能地包括在第一下主面上的第一接触焊盘和/或在上主面上的第二接触焊盘；(120)向所述第二接触焊盘上制造前侧电导体，并且可能地向所述第一接触焊盘上制造背侧电导体；以及(130)施加覆盖所述半导体管芯以及所述前侧电导体的至少一部分的包封体，其中，所述前侧电导体和/或所述背侧电导体是通过金属结构的激光辅助结构化来制造的。
半导体管芯互连附加制造

[发明专利]具有不同熔化温度的互连结构的封装体-CN202110353843.X在审
发明人： A·格拉斯曼;J·赫格尔;A·凯斯勒;I·尼基廷 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种封装体(100)包括：至少一个电子芯片(102)；第一散热体(104)，所述至少一个电子芯片(102)通过第一互连结构(170)安装在所述第一散热体(104)上；第二散热体(106)，所述第二散热体(106)通过第二互连结构(172)安装在所述至少一个电子芯片(102)上或上方；以及包封材料(108)，所述包封材料(108)包封所述至少一个电子芯片(102)的至少一部分、所述第一散热体(104)的一部分和所述第二散热体(106)的一部分，其中，所述第一互连结构(170)被配置为相比所述第二互连结构(172)具有不同的熔化温度。
具有不同熔化温度互连结构封装

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