[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 03806429.4 | 申请日： | 2003-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1643698A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | 德田法史;楠茂 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件，其目的在于特别是在半导体衬底的厚度方向上流过主电流的半导体器件中提供不仅能满足性能和耐压、而且能满足半导体衬底的机械强度的、此外在光刻的工序中不需要对曝光装置等的调整花费工夫的半导体器件。而且，为了实现上述目的，具备：在与第1主面相反一侧的第2主面上具有由侧面(91)和底面(92)规定的凹部的半导体衬底；在半导体衬底的凹部的底面(92)的表面内配置的半导体区(IP5)；在第2主面一侧的周边区域1A的表面内配置的半导体区(IP4)；以及在凹部的侧面(91)上配置的、对半导体区(IP4)与(IP5)进行电绝缘的绝缘膜(IL)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具备在半导体衬底(1～8)的第1主面上设置的第1主电极和在上述半导体衬底(1～8)的第2主面上设置的第2主电极，在上述半导体衬底(1～8)的的厚度方向上流过主电流，其特征在于：上述半导体衬底(1～8)通过具有在上述第2主面上设置的至少1个凹部(9、9A～9D)，至少具备具有第1厚度(A)的第1区域和具有比上述第1厚度(A)薄的第2厚度(B)的第2区域，上述第2区域与上述至少1个凹部(9、9A～9D)的形成区相对应，在上述至少1个凹部(9、9A～9D)内配置上述第2主电极，将上述第2厚度设定为维持上述半导体器件的耐压的厚度。
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