[发明专利]快闪存储器的存储单元的制造方法

摘要

本发明涉及一种快闪存储器的存储单元的制造方法，主要于半导体基底表面形成主动区，再依序形成第一绝缘层、第一导电层与第一遮蔽层，移除部分的第一遮蔽层以形成第一开口，进行氧化过程形成浮置栅氧化层；去除部分的第一导电层与第一绝缘层，形成第二开口以形成源极区。于第二开口内形成第二绝缘层；去除残留的第一遮蔽层、部分第一导电层与第一绝缘层以形成浮置栅与栅极绝缘层；依序形成第三绝缘层、第二导电层；于第二导电层的侧壁部分形成绝缘侧壁层。依序去除部分的第二导电层与第三绝缘层，形成第三开口、第四开口以及控制栅，然后形成漏极区。

主权项

1.一种快闪存储器的存储单元的制造方法，其特征在于，制造方法包括下列步骤：提供半导体基底；于该半导体基底表面形成主动区；于主动区内的该基底表面形成第一绝缘层；于该第一栅极绝缘层表面形成第一导电层；于该第一导电层表面形成第一遮蔽层；移除部分的该第一遮蔽层以定义第一开口，露出该第一导电层表面；进行氧化过程，使外露的该第一导电层表面形成浮置栅氧化层；去除相邻的前述浮置栅氧化层间的残留该第一遮蔽层，使原来位于其下的该第一导电层表面外露；以该浮置栅氧化层与残留的第一遮蔽层为遮蔽罩幕，去除前述相邻的浮置栅氧化层间外露的部分该第一导电层与位于其正下方的该第一绝缘层，形成第二开口，并暴露该基底表面；于该第二开口内的该半导体基底表层形成源极区；于该浮置栅氧化层与残留的第一遮蔽层表面沉积第二绝缘层并填满该第二开口；以该第一遮蔽层为停止层，实施一平坦化过程，去除该第一遮蔽层表面上方的该第二绝缘层，仅保留该浮置栅氧化层上方与该第二开口内的部分；去除残留的该第一遮蔽层；以残留的该第二绝缘层为遮蔽罩幕，依序去除未被残留的该第二绝缘层覆盖的残留该第一导电层与残留第一绝缘层形成浮置栅与栅极绝缘层，同时暴露该基底表面，其中，残留的该第二绝缘层、栅极绝缘层与浮置栅，共同形成一长方体的浮置栅区，突出于该基底表面；形成第三绝缘层覆盖该基底的表面以及浮置栅区表面与侧壁；形成第二导电层覆盖该第三绝缘层；形成第四绝缘层覆盖该第二导电层；去除部分的该第四绝缘层，保留该第二导电层的侧壁部分，形成第一绝缘侧壁层；以该第一绝缘侧壁层为遮蔽罩幕，实施微影与蚀刻过程，依序去除部分的该第二导电层与第三绝缘层，于残留的该第二绝缘层的上方形成第三开口，于该浮置栅旁的该基底上方形成第四开口，其中残余的该第二导电层形成控制栅，残余的该第三绝缘层形成穿隧氧化层；于该第三开口与第四开口的侧壁，形成第二绝缘侧壁层；以及于第四开口底部的半导体基底表层形成漏极区。