[发明专利]基于二氯甲硅烷的化学汽相淀积多晶硅化物膜中异常生长的控制有效

申请号：	01110401.5	申请日：	2001-03-30
公开（公告）号：	CN1377990A	公开（公告）日：	2002-11-06
发明（设计）人：	林全植;田真镐;李钟昇;崔哲焕	申请（专利权）人：	三星电子株式会社
主分类号：	C23C16/24	分类号：	C23C16/24
代理公司：	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人：	谢丽娜,谷惠敏
地址：	韩国***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	在用于减轻和/或消除基于二氯甲硅烷基的CVD多晶硅硅化物WSiX膜中底层多晶硅的异常生长的工艺中,第一种技术是在基本上能够避免底层多晶硅结晶的温度进行底层多晶硅层的淀积。第二种方法是减小甲硅烷SiH4后冲洗暴露(例如持续时间和/或浓度),以避免硅侵入到底层多晶硅层,产生异常生长。以这种方式,可以消除异常现象,例如在后来的层中出现的应力破裂。
搜索关键词：	基于二氯甲硅烷化学汽相淀积多晶硅化物膜中异常生长控制
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【主权项】：

1.一种形成双层半导体膜的方法，包括：在扩散工序中，在底层衬底上设置多晶硅层，该扩散工序是在基本上避免多晶硅结晶的第一温度下进行的；将多晶硅层的温度升高到第二温度；用第一冲洗材料冲洗多晶硅层以提供过渡层；用第二冲洗材料冲洗多晶硅层，以便在多晶硅层上提供第二材料层，过渡层提供第二材料层和多晶硅层之间的粘附性；提供第一冲洗材料和第二冲洗材料的结合，以便在过渡层上淀积体第二材料层；用第二冲洗材料冲洗体第二材料层以便除去杂质；用第一冲洗材料冲洗体第二材料层，用以减小多晶硅层和第二材料层之间的应力。

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摘要：本发明提供一种外延生长设备的气流调节结构及外延层的生长方法，所述气流调节结构呈环形管状，且具有沿轴向延伸的环壁，所述环壁不同位置具有不同的轴向延伸高度，以调控外延生长工艺中进入半导体衬底上方的气流大小。通过气流调节结构调节外延生长工艺中半导体衬底上方局部气流，进而使外延层薄膜厚度均匀性与平坦度得到优化。本发明中，气流调节结构与基座是相互独立的两个装置，无需调整基座，气流调节结构制造工艺简单，加工周期通常仅需基座制造一半时间，降低了设备成本。

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摘要：本发明涉及一种光调制化学气相沉积装置，腔室为反应气体提供密闭空间，衬底为设置于腔室内的透明或半透明衬底，辉光发生触发源设置于腔室内的衬底的前方并作用于反应气体使其产生辉光以在衬底的面向辉光发生触发源的表面沉积功能薄膜，光反射器件设置于腔室内的衬底的后方并将收集到的光朝向衬底的面向光反射器件的表面反射以控制到达衬底的热量，从而调制薄膜的生长温度。本发明还涉及利用上述光调制化学气相沉积装置调制薄膜生长温度的方法。根据本发明的光调制化学气相沉积装置，可以调制辉光放电薄膜的生长温度，与传统加热器加热相比，可以简化设备制造、降低设备能耗和成本，具有高度的产业化利用价值。

一种磷掺杂多晶硅膜、其制备方法和用途-202210886651.X
发明人：周雨;董雪迪;张武;林佳继 -专利权人：拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23C16/24
摘要：本发明提供了一种磷掺杂多晶硅膜、其制备方法和用途，所述制备方法包括以下步骤：以正硅酸乙酯和磷烷作为反应气源，在反应腔内采用热丝化学气相沉积法在硅片的表面沉积得到磷掺杂非晶硅膜；抽除反应腔内的气体，并通入保护气，调节热丝化学气相沉积法中热丝距离对所述的磷掺杂非晶硅膜进行加热退火，加热退火后制备得到所述的磷掺杂多晶硅膜。本发明以磷烷和正硅酸乙酯作为原料，采用利用热丝化学气相沉积法制备磷掺杂多晶硅膜，通过热丝距离调节，实现催化沉积和退火加热激活，大大缩短了制备时间，且避免了大气对磷掺杂非晶硅膜的污染。

用于形成包括氮化硅的图案化结构的方法和系统-202210354424.2
发明人：芝英一郎 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C23C16/24
摘要：公开了形成适用于多重图案化过程的图案化结构的方法。示例性方法包括通过在硅前体脉冲周期内向反应室提供硅前体，向反应室提供氮反应物，向反应室提供氢反应物，以及在等离子体脉冲周期内提供等离子体功率以在反应室内形成等离子体，从而形成覆盖衬底的氮化硅层。可以通过控制提供给反应室的氢气量和/或使用其他过程参数来控制衬底上牺牲特征的蚀刻轮廓。

一种对PECVD设备进行预镀膜处理的方法和硅片的镀膜方法-202210551796.4
发明人：陈宇;毛卫平 -专利权人：东方日升（常州）新能源有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C23C16/24
摘要：本发明提供了一种对PECVD设备进行预镀膜处理的方法，包括：在PECVD工艺腔室内壁和托盘表面进行第一步沉积，形成氧化硅层；在所述氧化硅层表面进行第二步沉积，形成非晶硅层；所述第一步沉积和第二步沉积在PECVD设备的腔室中进行。本发明提供的预镀膜处理的方法能够明显改善工艺腔室内壁和托盘表面与非晶硅薄膜表面的附着力，使堆积在PECVD腔室内壁和托盘表面的非晶硅薄膜不易脱落，从而使两次腔室清洗之间的生产时间得到大幅度延长，避免了频繁的腔室清洗所占用的时间，将这部分时间用于生产，能够提升产能。

用于制造异质结太阳能电池的CVD设备及其镀膜方法-202010635937.1
发明人：陈金元;朱帆;石湘波 -专利权人：上海理想万里晖薄膜设备有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C23C16/24
摘要：本发明提供用于制造异质结太阳能电池的CVD设备及其镀膜方法。该CVD设备包括：第一、第二加载/卸载腔，其相应包括纵向间隔交替设置的第一和第二、第三和第四m层托盘承载件；第一、第二CVD工艺腔，其对应接收来自第一、第三m层托盘承载件的托盘、通过第一、第二工艺相应在硅片的第一面、第二面上沉积I/N、I/P型非晶硅薄膜；传输腔，其与第一、第二加载/卸载腔、第一、第二CVD工艺腔可联通地连接且接收来自第一、第三m层托盘承载件的托盘、将托盘对应传送至第一、第二CVD工艺腔、将承载有完成第一、第二工艺的硅片的托盘对应传送至第二、第四m层托盘承载件；硅片翻面装置，其接收对来自第二m层托盘承载件上的托盘进行下料所得的硅片并将其进行翻面。

一种多腔体化学气相沉积设备-202123150804.4
发明人：卢嘉 -专利权人：北京博纳晶科科技有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C23C16/24
摘要：本实用新型提供一种多腔体化学气相沉积设备，包括并列设置的至少两个腔体、设置在相邻的两个腔体之间与腔体连通的隔板、设置在每个腔体中的基板、预混合装置、气体分配系统、热丝加热系统、机械传动系统、水冷系统、升降台，与每个腔体的底部均连接的热交换系统，与热交换系统依次相连的真空泵、尾气净化系统，与每个腔体的顶部均连接的活性气体罐和与水冷系统相连的冷却水净化系统。本实用新型的多腔体可灵活运用，沉积时间较长时，可以使各个腔体同时进行沉积，工艺条件和顺序复杂时，沉积工艺可以在多腔体中按照工艺顺序进行传递，并且采用共同的通用工程系统、配电系统、自动化系统、尾气和循环水处理系统，节省硬件投资和运行成本。

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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[发明专利]基于二氯甲硅烷的化学汽相淀积多晶硅化物膜中异常生长的控制有效

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