“蓝仕虎”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果29个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]太阳电池及其制备方法-CN202310559011.2在审
发明人：赵晖;蓝仕虎 -专利权人：通威太阳能（成都）有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了太阳电池及其制备方法，所述太阳电池包括层叠设置的：第一金属栅线电极、第一透明导电膜层、N型界面层、N型纳米晶掺杂层、第一钝化层、单晶硅衬底、第二钝化层、P型纳米晶掺杂层、P型界面层、第二透明导电膜层、第二金属栅线电极；所述N型界面层、所述P型界面层中的至少之一为非晶掺杂界面层。由此，本发明可以提升纳米晶掺杂层和透明导电膜层的接触，可以降低太阳电池的串联电阻，可以提升填充因子，进而提高电池的转换效率。
太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种快速清洗大面积真空腔室内累积薄膜的方法-CN202011370190.8有效
发明人： 蓝仕虎;张丽平;刘正新;孟凡英;程琼;周华;谢毅 -专利权人：中威新能源（成都）有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速清洗大面积真空腔室内累积薄膜的方法，涉及半导体光电转换领域，包括以下步骤：步骤S1：第一步清洗，向沉积腔室通入第一清洗气体，产生等离子体，调整第一压力和第一清洗气体流量将所述等离子体的滞留时间调整为第一滞留时间，清洗时间为第一清洗时间；步骤S2：第二步清洗，向沉积腔室通入第二清洗气体，产生等离子体，调整第二压力和第二清洗气体流量将所述等离子体的滞留时间调整为第二滞留时间，清洗时间为第二清洗时间。采用两种或者多种气体滞留时间相组合的方式对沉积腔内表面和托盘进行清洗，减少清洗时间，又可以提高清洗均匀性，同时降低清洗气体的使用量，提升设备有效生产的时间，实现了产能增加而成本降低。
一种快速清洗大面积空腔室内累积薄膜方法

[发明专利]太阳电池及其制备方法和用电设备-CN202310036559.9在审
发明人：张丽平;蓝仕虎;赵晖;李龙文;李俊;付昊鑫;孟凡英;刘正新 -专利权人：中威新能源（成都）有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明公开了太阳电池及其制备方法和用电设备，太阳电池包括：半导体基底、第一钝化层、第二钝化层、N型掺杂微晶硅层、P型掺杂微晶硅层、第一电极和第二电极；其中，N型掺杂微晶硅层包括第一N型掺杂微晶硅层和第二N型掺杂微晶硅层，与第二N型掺杂微晶硅层相比，第一N型掺杂微晶硅层具有较小的孔隙率；和/或，P型掺杂微晶硅层的结构与N型掺杂微晶硅层的结构类似。本发明的太阳电池能够抵抗空气中水汽的氧化，从而能够抑制太阳电池随搁置时间的延长其转换效率的急剧衰减，同时具有较高的短路电流和填充因子，从而提高了高效率太阳电池的稳定性。
太阳电池及其制备方法用电设备

[实用新型]异质结电池生产系统及载具-CN202222346506.0有效
发明人： 蓝仕虎;张丽平;赵晖;石建华;付昊鑫;孟凡英;刘正新 -专利权人：中威新能源（成都）有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种异质结电池生产系统及载具，载具包括底座及至少两个承托件。其中，底座上设有至少两个第一连接部，每个承托件均设有一个与一个第一连接部可拆卸连接的第二连接部，至少两个承托件与至少两个第一连接部一一对应设置，使所有承托件配合形成用于支撑硅片的支撑平面，且一个第二连接部与一个第一连接部连接以在支撑平面的上方形成用于与一个硅片定位配合的定位结构。当载具连同硅片在腔室内完成硅片的非晶硅沉积，载具连同沉积完非晶硅的硅片从腔室内移出后，只需将各个承托件从底座上取下进行清洗，将备用的承托件再安装在底座上即可再次承托硅片进行硅片的非晶硅沉积，不会影响CVD设备的稼动率，提高产能，保证生产效率。
异质结电池生产系统

[实用新型]沉积设备及用于沉积设备的电极结构-CN202222840697.6有效
发明人： 蓝仕虎;张丽平;赵晖;付昊鑫;石建华;孟凡英;刘正新 -专利权人：中威新能源（成都）有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种沉积设备及用于沉积设备的电极结构，电极结构包括阴极组件、阳极件以及连接件，其中阳极件与阴极组件相对且间隔设置。连接件设置在阴极组件与阳极件之间，并且连接件与阴极组件以及阳极件可拆卸连接，连接件、阴极组件与阳极件共同围合形成沉积腔。上述沉积设备及用于沉积设备的电极结构能调整阳极件与阴极件之间的间距，从而优化沉积设备的成膜质量，并且能降低气体流失量，从而降低了生产成本。
沉积设备用于电极结构

[发明专利]电池的制备方法、电池和电子产品-CN202211144583.6在审
发明人：赵晖;蓝仕虎;孟凡英;刘正新 -专利权人：中威新能源（成都）有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种电池的制备方法、电池和电子产品，上述电池的制备方法包括依次在衬底的一侧表面依次形成第一钝化层、第一掺杂层、第一透明导电层以及第一电极，在衬底的另一侧表面依次形成第二钝化层、第二掺杂层、第二透明导电层以及第二电极，通过对第一掺杂层以及第二掺杂层进行臭氧表面处理，经过处理后的掺杂层表面可以有效与透明导电层进行有效复合，可以抑制电池片由于掺杂层绕镀带了的漏电风险。进一步地，在对掺杂层进行臭氧表面化处理后，并通过与增加透明导电层面积的配合下实现提高电池短路电流性能，且电池其他性能也均没有下降，获得兼具较高短路电流、填充因子以及较低的电池失效比例的高电池效率的电池。
电池制备方法电子产品

[发明专利]一种稳定高效率硅异质结太阳电池的制备方法-CN202010479758.3有效
发明人：张丽平;刘正新;蓝仕虎;孟凡英 -专利权人：中威新能源（成都）有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种稳定高效率硅异质结太阳电池的制备方法，在累积薄膜的表面沉积本征非晶硅薄膜，所述累积薄膜包括沉积腔室内的累积薄膜，对沉积腔室内沉积的本征非晶硅薄膜为高氢含量且高无序度非晶硅薄膜，所述高氢含量是指通过对单位体积内氢原子个数的计算，相对于硅原子个数5.22×1022，氢的百分比含量在10%~25%；高无序度是指微结构因子R为15%~80%。本发明在沉积腔室内和托盘表面沉积非晶硅薄膜，可以有效减小累积薄膜的内应力而避免沉积腔内累积薄膜的脱落，有益于高效率低成本硅异质太阳电池的稳定产出，快速处理累积薄膜、获得稳定高效率硅异质结太阳电池。
一种稳定高效率硅异质结太阳电池制备方法

[发明专利]化学气相沉积方法、载具、电池片及异质结电池-CN202210711555.1在审
发明人：付昊鑫;蓝仕虎;赵晖;张丽平;石建华;孟凡英;刘正新 -专利权人：中威新能源（成都）有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种化学气相沉积方法、载具、电池片及异质结电池，由于非遮蔽区的外边缘环绕有环形遮蔽区，从而能够有效的避免N层掺杂磷原子膜层绕镀到了反面与非遮蔽区上的i层钝化层及P层掺杂硼原子膜层相接触，进而能够避免N层掺杂磷原子膜层中的磷原子穿过i层钝化层而与P层掺杂硼原子膜层导通，从而能够有效的避免生产出来的异质结电池的并阻偏低的问题，在EL检测过程中也不会出现边角发黑的问题，保证产品良率。
化学沉积方法电池异质结

[发明专利]硅基薄膜、太阳电池及其制备方法-CN202210320702.2在审
发明人：张丽平;刘正新;蓝仕虎;张海川;赵晖;李龙文;孟凡英 -专利权人：中威新能源（成都）有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基薄膜、太阳电池及其制备方法，硅基薄膜的制备方法包括如下步骤：对基底进行预热；将预热后的所述基底置于沉积腔室内，向所述沉积腔室内充入氢气和惰性气体，触发辉光放电，然后向所述沉积腔室内充入反应气体在所述基底上沉积形成硅基薄膜。通过在辉光放电之前，在沉积腔室内引入氢气和惰性气体，启动辉光后通过惰性气体与氢气相互作用，增强气体分子的碰撞频率，激发出丰富的亚稳态原子氢，从而大幅度地降低薄膜中的悬挂键密度、降低缺陷态，进而提高硅基薄膜的质量；惰性气体的加入还可以加速反应气体的分解，提高反应气体的利用率，降低生产成本。本发明的硅基薄膜生产成本较低、薄膜质量较好。
薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种硅异质结太阳电池本征钝化层的结构及其制作方法-CN202010390696.9有效
发明人：张丽平;刘正新;韩安军;孟凡英;石建华;杜俊霖;蓝仕虎;闫涛;罗洁 -专利权人：中威新能源（成都）有限公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池技术领域的一种硅异质结太阳电池本征钝化层的结构及其制作方法，结构包括设置在单晶硅片衬底上方的第一受光面和下方的第二受光面，至少在第一受光面上或者第一受光面和第二受光面上的本征硅基薄膜钝化层均是三层复合结构，其中第一层和第三层均为本征掺杂氢化非晶硅层，第二层为设置在第一层和第三层之间的宽带隙本征氢化非晶SiAx：H层；制作方法为在晶体硅衬底的受光面沉积一层非晶硅层；再生长一层宽带隙硅基i‑SiAx层；再生长一层非晶硅层，形成本征硅基钝化层；解决高钝化性能和低寄生吸收不能兼得、高钝化性能和低串联电阻相互制约的问题；该本征硅基钝化层可以降低晶体硅表面的复合速率，又可以利用宽带隙提升到达吸收层的入射光。
一种硅异质结太阳电池钝化结构及其制作方法

[发明专利]异质结太阳电池、其制备方法及发电装置-CN202111667805.8在审
发明人： 蓝仕虎;张丽平;赵晖;张海川;石建华;付昊鑫;孟凡英;刘正新 -专利权人：中威新能源（成都）有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结太阳电池、其制备方法及发电装置。该异质结太阳电池包括：衬底层、第一钝化层、第二钝化层、发射部件和背场部件；发射部件和背场部件均包括沿远离衬底方向依次设置的掺杂层、导电层和电极层，发射部件和/或背场部件具有电接触增强结构，电接触增强结构为：掺杂层包括第一掺杂区和设置于第一掺杂区之间的被电极层遮蔽的第二掺杂区，第二掺杂区的掺杂浓度和/或晶化程度高于第一掺杂区。该异质结太阳电池能够在提高填充因子的同时能够抑制开路电压和短路电流降低问题。
异质结太阳电池制备方法发电装置

[发明专利]异质结太阳电池的制备方法、异质结太阳电池及应用-CN202111513014.X在审
发明人：张海川;蓝仕虎;张丽平;赵晖;石建华;付昊鑫;杜俊霖;孟凡英;刘正新 -专利权人：中威新能源（成都）有限公司
申请日： 2021-12-11 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结太阳电池的制备方法、异质结太阳电池及应用。该异质结太阳电池的制备方法包括如下步骤：通过气体源在硅衬底的第一表面上沉积第一钝化层，第一钝化层的基材为氢化非晶硅，在沉积第一钝化层的过程中逐渐向气体源中通入二氧化碳，且随沉积的第一钝化层的厚度增加，控制二氧化碳在气体源中的掺杂比例逐渐上升。相较于不具有杂原子呈梯度浓度分布结构的异质结太阳电池，在转化效率处于同一档位时，上述制备方法制备得到的异质结太阳电池具有更高的CTM值。
异质结太阳电池制备方法应用

[发明专利]导电膜的镀膜方法、太阳能电池的制备方法及太阳能电池-CN201810746125.7在审
发明人： 蓝仕虎 -专利权人：君泰创新(北京)科技有限公司
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开一种导电膜的镀膜方法、太阳能电池的制备方法及太阳能电池，涉及太阳能技术领域，为提高太阳能电池的光电转换效率设计。导电膜的镀膜方法包括在衬底表面的第一区域沉积第一导电膜；在衬底表面的至少包括第二区域的区域沉积第二导电膜，第一区域和第二区域位于所述衬底的同一表面上，第二区域为衬底表面上除过第一区域的其余区域，第一导电膜和第二导电膜形成导电膜，导电膜中位于衬底第一区域上方的导电膜的电导率大于第二区域上方的导电膜的电导率，导电膜中位于衬底第二区域上方的导电膜的透光率大于第一区域上方的导电膜的透光率。本发明提供的导电膜的镀膜方法、太阳能电池的制备方法及太阳能电池用于提高太阳能电池的性能。
导电膜太阳能电池第二区域第一区域衬底表面衬底镀膜电导率透光率制备太阳能技术领域光电转换效率导电膜形成区域沉积同一表面沉积

[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法-CN201810603869.3在审
发明人： 蓝仕虎 -专利权人：君泰创新(北京)科技有限公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本申请公开了一种异质结太阳能电池，所述异质结太阳能电池包括：单晶硅片；设置在所述单晶硅片上的本征薄膜；设置在所述本征薄膜上的掺杂层；设置在所述掺杂层上的透明导电氧化物薄膜；以及设置在所述透明导电氧化物薄膜上的电极；其中，所述单晶硅片至少一面上的所述掺杂层包括不同掺杂浓度的掺杂区，并且所述不同掺杂浓度的掺杂区均与所述透明导电氧化物薄膜相接触。本申请还公开了一种制备异质结太阳能电池的方法。本申请的异质结太阳能电池的掺杂层由不同掺杂浓度的掺杂区结合形成，提高了Voc、掺杂层的导电性和电池的填充因子(FF)，同时保证了更高的光透过率，提高了短路电流(Isc)，最终提高了电池效率。
掺杂层异质结太阳能电池透明导电氧化物薄膜单晶硅片掺杂区掺杂本征薄膜申请导电性电池效率短路电流光透过率填充因子电极制备电池保证

[实用新型]一种掩膜板装置-CN201821080019.1有效
发明人： 蓝仕虎 -专利权人：君泰创新（北京）科技有限公司
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种掩膜板装置，涉及太阳能电池制造技术领域，为提高导电膜的使用性能而设计。所述掩膜板装置包括第一掩膜板和第二掩膜板；所述第一掩膜板和第二掩膜板均包括框架，所述框架内设置有多个间隔布设的遮挡件，所述遮挡件将所述框架内划分成交错间隔的开口区和遮挡区，所述第一掩膜板的开口区结构和第二掩膜板的遮挡区结构相同，所述第一掩膜板的遮挡区结构和第二掩膜板的开口区结构相同。本实用新型提供的掩膜板装置用于提高导电膜的性能。
掩膜板开口区遮挡区本实用新型导电膜遮挡件太阳能电池间隔布设交错间隔使用性能制造

1
2
下一页»
尾页
共 29 条